选型手册：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶体管

引言

结合官方说明手册Rev. 4.1, 3/2014 进行解读：MRFE6VP61K25 系列，点进来不难看出，原品牌是飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor, Inc.）发布的 MRFE6VP61K25 系列，为什么跑到NXP官网下面了？接下来我们由此展开了解下该系列。

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飞思卡尔半导体 与 NXP 的关系？

首先明确：飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）和恩智浦（NXP）之间的关系是合并与收购

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在合并之前，这两家公司都是各自领域的巨头：

• 飞思卡尔：作为摩托罗拉（Motorola）半导体部门的剥离公司，飞思卡尔在汽车电子、微控制器（MCU）和网络处理器方面拥有强大的技术和市场份额。
• 恩智浦：作为飞利浦（Philips）半导体部门的剥离公司，恩智浦则在安全连接技术、射频识别（RFID）和近场通信（NFC）等领域处于领先地位。

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通过整合，NXP 吸收了飞思卡尔的优势，所以现如今，我们搜索飞刺卡尔半导体的型号的时候就会发现被收录到NXP 的官网上了。

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NI--1230H--4S MRFE6VP61K25HR6/R5

 

MRFE6VP61K25 系列 基本信息

简单描述下，就是一个，N 沟道增强型横向 MOSFET，用于高电压驻波比（VSWR）场景，输入输出均为非匹配设计，支持 1.8-600MHz 宽频率范围，当然pdf中也专门列出引脚图，及一些特性，这里就简要概括下。

引脚图

Pin Connections 注：封装背面为晶体管源端

 

 

关键性能参数（典型值：VDD=50V，IDQ=100mA）

1. 基础性能（230MHz 频段）

信号类型	输出功率（Pout）	功率增益（Gps）	漏极效率（ηD）
脉冲信号（100μs，20% 占空比）	峰值 1250W	24.0dB	74.0%
连续波（CW）	1250W	22.9dB	74.6%

2. 不同频段应用电路典型性能

频率范围	信号类型	输出功率（Pout）	功率增益（Gps）	漏极效率（ηD）
27MHz	CW	1300W	27dB	81%
40MHz	CW	1300W	26dB	85%
81.36MHz	CW	1250W	27dB	84%
87.5-108MHz	CW（FM 广播）	1100W	24dB	80%
144-148MHz	CW	1250W	26dB	78%
170-230MHz	DVB-T（数字广播）	225W	25dB	30%
352MHz	脉冲（200μs，20% 占空比）	1250W	21.5dB	66%
352MHz	CW	1150W	20.5dB	68%
500MHz	CW	1000W	18dB	58%

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封装及型号释义

MRFE6VP61K25封装图示

 

• NI - 1230H - 4S（有耳）：型号为 MRFE6VP61K25HR6、MRFE6VP61K25HR5
• NI - 1230S - 4S（无耳）：型号为 MRFE6VP61K25HSR5
• NI - 1230GS - 4L（无耳表贴）：型号为 MRFE6VP61K25GSR5

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信息来源链接：https://www.nxp.com.cn/part/MRFE6VP61K25H