理想二极管+雷卯TVS:过抛负载P5A测试,功耗降97%

描述

 

一.优点:



 

1、极低功耗:导通压降仅 10-20mV,20A 电流下功耗降至 0.4W(较肖特基二极管降低 97%),无需额外散热片;
 

2、瞬时响应:反向电流检测响应时间 < 1μs,彻底消除反向恢复浪涌,避免对后端芯片的冲击;
 

3、宽域兼容:部分型号反向耐压可达-65V,覆盖 12V 汽车蓄电池反接(-12V)、24V 工业电源波动等极端场景。
 


 

二极管
 

二.目前理想二极管中主流的专用控制器型号及适合场景



 

1、TI LM74700:65V 耐压,集成过温保护,适合汽车电子电源冗余设计
 

LM5050-1:75V 耐压,低静态电流(7μA),适用于电池供电的便携式设备;
 

2、荣湃Pai8150x/Pai8151x 系列:支持背靠背FET 架构、电池反向保护及电源路径冗余,适用于新能源汽车低压系统。
 

3、美信 MX16171:1-50V 宽输入,支持并联扩展电流,工业控制冗余电源首选;
 

4、芯洲科技 SCT53600Q:±65V 耐压,AEC-Q101 认证,车载 ECU、BMS 系统核心防护器件。
 

二极管
 

三.传统二极管pk 理想二极管



 

如下表:
 

器件类型
 

正向压降
 

功耗@20A
 

反向耐压上限
 

特点
 

肖特基二极管
 

0.5-0.7V
 

10-14W
 

-200V
 

反接耐压低,易击穿
 

普通整流管
 

1.0-1.5V
 

20-30W
 

-1000V
 

功耗高,需强制散热
 

PMOS
 


 


 


 

贵, 开关在正极
 

NMOS
 


 


 


 

便宜,但不理想,
 

开关在负极
 

理想二极管(NMOSFET+专用控制器)
 


 


 


 

不贵,
 

且开关在正极
 


 

二极管
 

四.雷卯TVS+理想二极管12V/24V直流电源浪涌保护方案



 

   “双重屏障” 防护逻辑理想二极管与 TVS 的协同需满足 “时间+能量” 双维度配合: 
 

    理想二极管:负责反向电流阻断(如荣湃的Pai8151系列在0.75μS内关断)和持续过流保护(如芯洲 SCT53600Q 支持 50A 过载 10ms);
 

    雷卯TVS:承担正向浪涌能量泄放(响应时间 < 1ns)和电压钳位(雷卯TVS二极管将瞬态电压限制在理想二极管耐压范围内)
 


 

12V汽车电子方案(满足 ISO 7637-2 测试)


 

二极管
 

核心器件
 

 理想二极管专用控制器:荣湃Pai8150C(-55V至80V 耐压, AEC-Q100 认证);
 

TVS:雷卯 SM8S24CA(24V VRWM,38.9V VC,6600W 峰值功率,AEC-Q101 认证)。
 

参数匹配逻辑
 

  VRWM=24V(1.2×12V 系统电压),确保正常工作时 TVS 无漏流;
 

  VC=38.9V(< Pai8150C 的80V 耐压),避免浪涌击穿 MOSFET;
 

  峰值电流 IPP=170A(>ISO 7637-2 脉冲 5A 的 100A 需求)。
 

  实测表现 :雷卯EMC团队在雷卯实验室环境下验证:
 

 脉冲 5A 测试(100V 输入,1Ω 源阻抗,300ms):钳位电压稳定在 38.5V;
 

 反接测试(-12V 持续 1min):Pai8150C 快速关断,后端电路零损伤。
 


 

24V工业控制浪涌防护方案(满足 IEC 61000-4-5 等级 3)


 

二极管

 

核心器件
 

    理想二极管:荣湃Pai8150C(-55V至80V耐压);
 

    TVS:雷卯 SMDJ26CA(26V VRWM,42V VC,3000W 峰值功率)。
 

参数匹配逻辑
 

    VRWM=26V(1.08×24V 系统电压),适配工业电源波动范围;
 

    VC=42V(< Pai8150C 的80V 耐压),保护驱动电路;
 

    冗余设计可配合雷卯 GDT(2R090-5S)组成两级防护,GDT 泄放 80% 浪涌电流(>2kA)。
 

    实测表现:2kV 浪涌测试(8/20μs 波形):系统压降≤5V,后端PLC无复位;
 


 

电动汽车12V辅助电池充电控制与浪涌综合防护方案

电动汽车12V辅助电池需解决 3 个问题:
 

1、充电时可控通断(充满自动关断,避免反向放电);

2、动阶段双向供电(12V电池给高压侧电容预充电);

3、防护两类浪涌:

电压浪涌(雷击、电源尖峰,损伤电路);

电流浪涌(启动时电容充电的大电流,冲击 MOSFET)。

二极管


 

上海雷卯方案架构:

前级 TVS:钳位瞬态过压,雷卯采用SM8S24CA,满足 ISO 7637-2 测试;

背靠背 MOSFET(Q1+Q2):配合控制器实现 充电路径开关 + 双向导通

充电路径通:EN 信号低→Q1、Q2 导通→DC/DC 给电池充电;

充电路径断:电池充满→EN信号高→Q1、Q2关断→切断电路,防反向放电。

控制器阴极(CATHODE)引脚悬空→允许能量反向流动(比如 12V 电池给高压侧电容预充电)。

理想二极管控制器:驱动 MOSFET,内置软启动逻辑(通过外接 RC 网络缓启动)。

雷卯通过TVS+理想二极管的科学搭配,不仅能解决传统二极管的功耗与可靠性痛点,更能构建符合国际标准的浪涌防护体系。
 

雷卯TVS+理想二极管方案推荐TVS料号
 

类型
 

型号
 

描述
 

电流
 

封装
 

应用
 

TVS
 

SM8S24CA
 

24V,双向,87V 1Ω测试
 

170A
 

DO-218AB
 

12V汽车电源P5A测试
 

TVS
 

5.0SMDJ24CA
 

24V,双向,87V 2Ω测试
 

131A
 

SMC
 

TVS
 

SMCJ26CA
 

26V,双向,1500W
 

35.6A
 

SMC
 

24V工业电源浪涌防护
 

TVS
 

SMDJ26CA
 

26V,双向,3000W
 

71.3A
 

SMC
 

GDT
 

2R090-5S
 

90V,1.5PF,Bi
 

5KA
 

2R-5
 

MOS
 

LM5D142N06
 

60V,3.1mΩ
 

142A
 

PDFN5*6
 

理想二极管推荐的N MOSFET
 

MOS
 

LMAK50N06
 

60V,25mΩ
 

50A
 

TO-252
 

Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD、TVS、TSS、GDT、MOV、MOSFET、Zener、电感等产品。雷卯自建免费实验室,拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分