TLC6C5912-Q1 是一款单片、中压、低电流功率 12 位移位寄存器 设计用于需要相对中等负载功率的系统,例如 LED。
该器件包含一个 12 位串行输入并行输出移位寄存器,可为 12 位馈电 D型存储寄存器。通过移位寄存器和存储寄存器进行数据传输 移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的边沿。存储 寄存器在移位寄存器清除 (CLR) 时将数据传输到输出缓冲器 很高。CLR 的低电平会清除设备中的所有寄存器。保持输出 使能 (G) 高电平使输出缓冲器中的所有数据保持为低电平,所有漏极 输出关闭。将 G 保持为低电平,使存储寄存器中的数据 对输出缓冲区透明。
*附件:tlc6c5912-q1.pdf
当输出缓冲器中的数据为低电平时,DMOS晶体管输出关闭。当数据是 高电平时,DMOS晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 (SER OUT) 时钟 在 SRCK 的下降沿从器件中取出,为级联提供额外的保持时间 应用。这为时钟信号可能 倾斜、设备彼此不靠近,或者系统必须耐受电磁 干扰。该设备包含内置的热关断保护。
输出为低侧开漏 DMOS 晶体管,输出额定值为 40 V 和 50 mA 当 V CC = 5 伏。电流限制 随着结温的升高而降低,以提供额外的器件保护。该设备还 使用人体模型进行测试时提供高达 2000 V 的 ESD 保护,在测试时提供高达 200 V 的 ESD 保护 使用机器模型进行测试。
TLC6C5912-Q1 特性适用于在工作环境温度下工作 范围为 −40°C 至 125°C。
特性
参数
方框图

1. 产品概述
2. 关键特性
3. 应用设计
4. 文档结构
5. 安全提示
该文档适用于汽车仪表盘、指示灯等LED驱动场景,需配合MCU进行寄存器配置和时序控制。
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