‌TLC6C598-Q1 8位移位寄存器LED驱动器技术文档总结

TLC6C598-Q1 是一款单片、中压、低电流功率 8 位移位寄存器设计用于需要相对中等负载功率的系统，例如 LED。

该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器，用于为 8 位D 型存储寄存器。数据通过上升上的移位寄存器和存储寄存器传输分别是移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 的边缘。存储寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 时将数据传输到输出缓冲器为高电平。CLR 上的低电平清除器件中的所有寄存器。保持输出使能 （G） 为高电平，使输出缓冲器中的所有数据保持为低电平，并且所有漏极输出关闭。保持 G 为低电平使来自存储寄存器的数据对输出缓冲器透明。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS 晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。 这 串行输出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿从器件发出时钟，以提供额外的级联应用的保持时间。这为以下应用提供了更高的性能时钟信号可能偏斜，设备彼此不靠近，或者系统必须承受电磁干扰。该器件包含内置的热关断保护。
*附件：tlc6c598-q1.pdf

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 40 V 和 50 mA当 Vcc = 5 V 时具有连续灌电流能力。电流限制随着结处的降低而降低温度升高以提供额外的设备保护。该器件还提供高达 2000 V 的ESD 保护（使用人体模型测试时）和 200 V （使用机器模型时）。

TLC6C598-Q1 特性适用于在工作环境范围内工作温度范围为 −40°C 至 125°C。

特性

• 符合汽车应用标准
• AEC-Q100 符合以下标准：
  • 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 设备 HBM ESD 分类等级 H2
  • 设备 CDM ESD 分类级别 C3B
• 3 V 至 5.5 V 的宽 Vcc
• 输出最大额定值为.40 V
• 8个功率DMOS晶体管输出，50 mA连续电流，V CC = 5 伏
• 热关断保护
• 增强多级级联
• 所有寄存器均通过单输入清除
• 低功耗
• 开关时间慢（tr和 t f ），这有助于显着降低 EMI
• 16引脚TSSOP-PW封装
• 16引脚SOIC-D封装

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
TLC6C598-Q1是德州仪器（TI）推出的汽车级认证8位移位寄存器LED驱动器，具有以下核心特性：

• ‌工作条件‌：3V至5.5V宽电压范围，支持-40°C至125°C环境温度
• ‌输出能力‌：8路开漏DMOS晶体管输出，单路连续电流50mA（VCC=5V时），耐压40V
• ‌关键保护‌：内置热关断（175°C触发）、ESD防护（HBM 2000V/CDM 200V）

‌2. 功能特点‌

• ‌级联扩展‌：支持通过SER_OUT引脚串联多设备，提升多级LED控制可靠性
• ‌寄存器控制‌：8位串入并出移位寄存器+8位D型存储寄存器，数据在SRCK↑和RCK↑沿同步
• ‌输出管理‌：CLR低电平清除所有寄存器，G引脚全局使能/禁用输出（支持PWM调光）

‌3. 电气特性‌

• ‌静态参数‌：静态导通电阻典型值6-14Ω（VCC=5V，25°C）
• ‌动态性能‌：最大时钟频率10MHz，输出切换时间tr/tf约210ns/128ns
• ‌功耗‌：静态电流≤160μA，动态电流随频率线性增长（5MHz时约200μA）

‌4. 封装与布局‌

• ‌封装选项‌：16引脚TSSOP（PW）和SOIC（D）封装
• ‌热设计‌：TSSOP封装θJA=129.4°C/W，建议PCB布局时最大化覆铜并增加散热过孔
• ‌推荐设计‌：VCC引脚需就近放置0.1μF陶瓷去耦电容

‌5. 典型应用‌

• ‌汽车电子‌：仪表盘背光、指示灯（Tell-Tale）驱动
• ‌LED控制‌：支持级联架构的多通道LED照明系统
• ‌接口方案‌：通过MCU的SPI/GPIO控制，典型电路包含限流电阻计算：Rx = (VSupply - VLED) / ILED