德州仪器LMx39x/LM2901x系列比较器技术解析

描述

Texas Instruments LMx39/LM2901/LM2901-Q1四通道差分比较器包含四个独立的电压比较器,设计用于在宽电压范围内由单电源供电运行。LM339B/LM2901B/LM2901B-Q1器件是行业标准LM339和LM2901比较器系列的下一代版本。这些下一代B版比较器具有更低的失调电压、更高的电源电压能力以及更低的电源电流。这些器件还具有更低的输入偏置电流、更低的传播延迟、更高的2kV ESD性能以及通过专用ESD钳位提高输入耐受性。Texas Instruments LM339B/LM2901B/LM2901-Q1可直接替代LM239、LM339和LM2901/LM2901-Q1 “A”和“V”级。

数据手册:

*附件:LMx39x,LM2901x数据手册.pdf

*附件:LM2901B-Q1,LM2901x-Q1数据手册.pdf

特性

  • LM339B/LM2901BLM2901B-Q1
    • B版本改进规格
      • 最大额定电压:高达38V
      • ESD额定值:2kV (HBM)
      • 低输入失调电压:0.37mV
      • 低输入偏置电流:3.5nA
      • 低电源电流:每个比较器200µA
      • 快速响应时间:1µs
      • LM339B的扩展温度范围

功能框图

电压比较器

德州仪器LMx39x/LM2901x系列比较器技术解析

一、产品概述与核心特性

LMx39x和LM2901x系列是德州仪器(TI)推出的四路差分比较器产品家族,包含军用级(LM139)、工业级(LM239)、商用级(LM339)及汽车级(LM2901)等多个版本。该系列最新B版本(LM339B/LM2901B)具有以下显著改进:

  • 宽电压工作范围‌:2V至36V(B版本可达38V)
  • 超低功耗‌:每比较器仅200μA静态电流(B版本)
  • 精密比较性能‌:
    • 输入失调电压:±0.37mV(B版本)
    • 输入偏置电流:3.5nA(B版本)
    • 响应时间:1μs(B版本)
  • 增强可靠性‌:2kV HBM ESD防护(所有版本)
  • 输出兼容性‌:开集输出可驱动TTL、CMOS和MOS逻辑
  • 温度范围‌:
    • 军用级:-55°C至125°C
    • 工业级:-40°C至85°C
    • 汽车级:-40°C至125°C

二、关键参数对比

2.1 电气特性对比

参数LM339BLM2901B传统型号
电源电压范围2-36V2-36V2-30/32V
失调电压(最大值)±5.5mV±5.5mV±15mV
响应时间(典型值)1μs1μs1.3μs
输入偏置电流(典型值)3.5nA3.5nA25nA

2.2 封装选项

  • 标准封装‌:
    • 14引脚SOIC(8.7mm×3.9mm)
    • 14引脚PDIP(19.3mm×6.4mm)
    • 14引脚TSSOP(5mm×4.4mm)
  • 先进封装‌:
    • 16引脚WQFN(3mm×3mm,带散热焊盘)
    • 14引脚SOT-23(4.2mm×2mm)

三、架构与功能详解

3.1 内部结构

采用PNP达林顿对输入级设计,具有以下特点:

  1. 宽共模范围‌:从地到VCC-2V
  2. 高增益带宽‌:典型值200V/mV(LM339B)
  3. 输出级‌:开漏NPN晶体管,支持线与逻辑
  4. 保护电路‌:集成输入箝位二极管防止过压

3.2 工作模式

  1. 电压比较模式‌:
    • 当IN+ > IN- + VOS时,输出高阻抗
    • 当IN+ < IN- + VOS时,输出晶体管导通
  2. 特殊输入情况‌:
    • 单输入超出共模范围时仍能正确比较
    • 双输入超出共模范围需参考应用笔记

四、典型应用设计

4.1 单端比较器电路

设计要点‌:

  • 参考电压设置:建议使用1%精度电阻分压
  • 上拉电阻选择:
    • TTL负载:1kΩ至4.7kΩ
    • CMOS负载:10kΩ至100kΩ
  • 去耦电容:0.1μF陶瓷电容靠近VCC引脚

4.2 窗口比较器

实现方案‌:

  1. 使用两个比较器构建上下阈值
  2. 输出通过二极管实现"与"逻辑
  3. 阈值公式:
    • V_upper = Vref×(R1+R2)/(R1+R2+R3)
    • V_lower = Vref×R1/(R1+R2+R3)

五、布局与热管理

5.1 PCB设计指南

  1. 电源处理‌:
    • 每个比较器电源引脚单独去耦
    • 避免长电源走线引入噪声
  2. 信号隔离‌:
    • 敏感信号远离输出走线
    • 必要时添加地线屏蔽

5.2 热设计考虑

  • 热阻参数‌:
    • SOIC封装:θJA=111.2°C/W
    • WQFN封装:θJA=67.6°C/W
  • 散热建议‌:
    • 高功耗应用优先选择WQFN封装
    • 散热焊盘必须焊接至PCB地平面

六、选型指南

应用场景推荐型号关键优势
汽车电子LM2901B-Q1AEC-Q100认证,125°C工作
工业控制LM339B高精度,38V耐压
航天军工LM139-SP抗辐射,-55°C至125°C
消费电子LM339PW小尺寸TSSOP封装
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