Texas Instruments TPS53685双通道D-CAP+™多相控制器具有跨电感稳压器 (TLVR) 拓扑支持、双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和PMBus™接口。该器件完全兼容TI NexFET™智能电源级。完全符合AMD SVI3标准的降压控制器具有D-CAP+™架构和下冲衰减 (USR) 等高级控制特性,可提供快速瞬态响应和良好的电流共享,从而最大程度地降低对输出电容的要求。此外,该器件还提供全新的相位交错策略和动态切相功能,可提升不同负载条件下的效率。
数据手册:*附件:Texas Instruments TPS53685双通道D-CAP+™多相控制器数据手册.pdf
TI TPS53685还支持PMBus通信接口,用于向系统报告遥测电压、电流、功率、温度和故障情况。所有可编程参数均可通过PMBus接口进行配置,而且可作为新的默认值存储在NVM中,以尽可能减少外部组件数量。
TPS53685器件采用热增强型40引脚QFN封装,额定工作温度为–40°C至125°C。
特性
- 输入电压范围:4.5V至17V
- 输出电压范围:0.25V至5.5V
- 双输出,支持N+M相位配置(N+M≤8,M≤4)
- 支持原生跨电感器稳压器 (TLVR) 拓扑
- 符合AMD® SVI3标准
- 增强型D-CAP+控制,具有优异的瞬态性能和出色的动态电流共享
- 可编程环路补偿
- 灵活的相位触发顺序
- 动态切相,可编程电流阈值,优化轻重负载时的效率
- 单独的相电流校准和报告
- 快速相位添加,用于瞬态下冲抑制 (USR)
- 无驱动器配置,实现高效的高频开关
- 完全兼容TI NexFET功率级,用于高密度解决方案
- 精确可调电压定位
- 获得专利的AutoBalance™相位电流均衡
- 可选择的每相电流限制
- PMBus系统界面,用于遥测电压、电流、功率、温度和故障状况
- 5.00 x 5.00mm 40引脚0.4mm间距QFN封装
简化示例应用

TPS53685双通道多相控制器技术解析与应用指南
一、核心特性与创新设计
- 双通道灵活配置
- 支持N+M≤8相(单通道≤4相)的电源拓扑,适用于高密度计算场景,如AMD SVI3兼容的服务器CPU供电系统。
- 集成TLVR(Trans-Inductor Voltage Regulator)拓扑原生支持,优化高频瞬态响应能力。
- D-CAP+™增强控制技术
- 通过动态相位增减(Phase Shedding)实现负载效率优化:轻载时自动关闭冗余相位,重载时快速激活相位抑制电压跌落(Undershoot Reduction技术)。
- 专利AutoBalance™相位电流平衡算法,确保多相间电流分配误差<±3%。
- 智能化监控接口
- 全功能PMBus™接口支持电压/电流/功率/温度的实时遥测,可配置报警阈值并存储至NVM(非易失存储器)。
- 提供每相独立的电流校准与报告功能,便于系统级能效分析。
二、关键应用场景
- 高性能计算电源:利用0.25V~5.5V宽输出范围及17V输入耐压,满足GPU/FPGA的严格供电需求。
- 5G基站BBU:多相并联设计(支持8相)可提供>200A的持续电流输出,配合可编程电压定位(Droop Control)降低电容用量。
- 边缘服务器:Driverless架构减少外部元件,5×5mm QFN封装适应紧凑型PCB布局。