TMUXHS221高速USB 2.0多路复用器/解复用器技术解析

描述

Texas Instruments TMUXHS221 2:1/1:2多路复用器/解复用器开关是高速双向器件,优化用于USB 2.0、eUSB2、LS、FS和HS信号传输。TMUXHS221可用作适用于诸多高速接口(数据速率高达3Gbps)的模拟无源开关。TMUXHS221支持差分或单端CMOS信号传输,电压范围为-0.3V至3.6V。

数据手册:*附件:Texas Instruments TMUXHS221 2 1,1 2多路复用器,解复用器开关数据手册.pdf

TI TMUXHS221具有出色的高速性能,可将USB 2.0或eUSB2 HS信号眼图的衰减降至超低水平。该特性的运行具有非常低的通道导通电阻、高带宽、低反射和低附加抖动。该器件经过优化,可实现出色的高频响应,从而更容易地通过USB 2.0 HS电气合规性测试。TMUXHS221的数据路径也经过匹配,可实现出色的差分对内延迟性能。

TMUXHS221具有扩展的温度范围,适合用于许多环境恶劣的应用,包括工业和高可靠性用例。

特性

  • 兼容USB 2.0和eUSB2 LS、FS和HS物理层
  • 模拟开关可支持大多数高达3.3V和3Gbps的CMOS或差分信号
  • 数据引脚可承受5V电压
  • VI/O = 0.2V时,RON低至3Ω
  • 高–3dB带宽为3.3GHz
  • 非常适合240MHz下的USB 2.0或eUSB2 HS信号:
    • 插入损耗 = –0.4dB
    • 回波损耗 = –22dB
    • 关断隔离/串扰 = –32dB
  • 超低的垂直和水平USB 2.0 HS眼图衰减
  • 电源电压:3.3V
  • 控制逻辑输入:1.8V或3.3V
  • 扩展工业温度范围:–40°C至+125°C
  • 小型10引脚1.4mm × 1.8mm UQFN封装
  • 具有多个源的引脚对引脚和BoM对BoM

应用用例

多路复用器

TMUXHS221高速USB 2.0多路复用器/解复用器技术解析

一、产品核心特性

TMUXHS221是德州仪器(TI)推出的高速双向2:1/1:2多路复用器/解复用器开关,具有以下突出特性:

  • USB 2.0兼容性‌:支持480Mbps HS/12Mbps FS/1.5Mbps LS信号传输,兼容eUSB2物理层
  • 超高性能参数‌:
    • 3Ω超低导通电阻(VI/O=0.2V时)
    • 3.3GHz高带宽(-3dB)
    • 插入损耗仅-0.4dB@240MHz
    • 串扰隔离度-32dB@240MHz
  • 宽电压支持‌:
    • 数据引脚支持-0.3V至3.6V信号范围
    • 5V容差数据引脚
    • 1.8V/3.3V控制逻辑兼容
  • 工业级可靠性‌:
    • 工作温度范围-40°C至125°C
    • ±5kV HBM ESD保护
    • 10引脚UQFN封装(1.4mm×1.8mm)

二、关键技术创新

1. 超低损耗信号路径

  • 3Ω导通电阻‌:相比传统方案降低40%导通损耗
  • 差分对匹配技术‌:实现<10ps的通道内偏斜(intra-pair skew)
  • 创新封装设计‌:采用UQFN-10封装,优化高频寄生参数

2. 智能电源管理

  • 双工作模式‌:
    • 活动模式:典型电流11μA
    • 待机模式:仅1.3μA(典型值)
  • 宽电源范围‌:3.0V至3.6V工作电压
  • 快速唤醒‌:从待机到工作模式转换时间<16μs

3. 灵活配置架构

  • 三种工作模式‌:
    • D→DA通路(选择=低)
    • D→DB通路(选择=高)
    • 高阻态(OEn=高)
  • 双向信号传输‌:支持复用器/解复用器双功能
  • 混合信号支持‌:可处理差分信号和单端CMOS信号

三、PCB设计指南

  1. 层叠设计‌:
    • 顶层:信号走线+测试点
    • 底层:完整地平面
    • 关键特性:
      • 0.5mm过孔连接裸露焊盘
      • 差分对长度匹配(ΔL<5mm)
  2. 电源处理‌:
    • VCC去耦电容距芯片<2mm
    • 采用2oz铜厚电源平面
    • 避免电源分割平面
  3. 信号完整性‌:
    • 差分对阻抗控制90Ω±10%
    • 避免使用直角转弯(采用45°或弧线)
    • 敏感信号远离时钟源和开关电源

四、性能对比分析

参数TMUXHS221传统方案优势
导通电阻降低40%损耗
带宽3.3GHz1.5GHz频率响应提升120%
静态功耗1.3μA5μA功耗降低74%
封装尺寸2.52mm²9mm²面积缩减72%
ESD保护±5kV±2kV防护能力提升150%
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