Texas Instruments RES11A匹配薄膜电阻分压器是一款匹配电阻分压器对，用于薄膜SiCr电阻，搭载Texas Instruments的现代化、高性能模拟CMOS工艺。该器件具有1kΩ 的标称输入电阻，可实现低热噪声和电流噪声，并提供多种标称比率，以满足各种系统需求。只需将器件位置旋转180°，即可将RES11A用于反向增益配置。此功能支持布局复用，且提高了分立式仪表、差分放大器等应用的灵活性。

数据手册：*附件：Texas Instruments RES11A匹配薄膜电阻分压器数据手册.pdf

Texas Instruments RES11A系列具有高比率匹配精度，所测量的每个分压器比率均在标称的±120ppm（典型值）以内。该精度在整个温度范围内保持不变，最大比率偏移仅为±2ppm/°C。此外，器件的偏置长期稳定性已通过全面的表征得到证明。RES11A的温度范围为-40°C至+125°C。该器件采用8引脚SOT-23-THIN封装，主体大小为 2.9mm×1.6mm（主体大小为标称值，不包括引脚）。

特性

• 宽温度范围：-40 °C至+125 °C
• 高比率匹配精度：±0.05%（最大值）
• 低温漂：±2ppm/°C TCR（最大值）

功能框图

RES11A精密匹配薄膜电阻分压器技术解析与应用指南

一、产品概述

RES11A系列是德州仪器(TI)推出的精密匹配薄膜电阻分压器，采用先进的SiCr薄膜工艺制造，具有业界领先的匹配精度和温度稳定性。该系列包含10种标准分压比型号，从1:1到1:10可选，采用8引脚SOT-23-THIN封装（尺寸2.9mm×2.8mm），工作温度范围-40°C至+125°C，专为需要高精度电平转换和信号调理的应用而设计。

二、核心技术特性

1. 精密匹配技术

• ‌比率匹配精度‌：±0.05%（最大值）
• ‌匹配温度系数‌：±0.05ppm/°C（典型值）
• ‌长期稳定性‌：经过严格老化测试验证
• ‌比率容差‌：±500ppm（最大值）

2. 电气性能参数

• ‌输入电阻‌：1kΩ（RIN1/RIN2标称值）
• ‌分压比范围‌：1:1至1:10（10种标准型号）
• ‌绝对TCR‌：±18ppm/°C（典型值）
• ‌电压系数‌：0.02Ω/V（典型值）
• ‌带宽‌：35MHz（-3dB点）

3. 可靠性特征

• ‌工作电压‌：最高±120V（取决于分压比）
• ‌ESD保护‌：±2000V HBM，±500V CDM
• ‌热阻‌：RθJA=156.2°C/W
• ‌最大结温‌：150°C

三、关键技术创新

1. 双分压器匹配架构

RES11A内部集成两个精密匹配的分压器网络（RIN1+RG1和RIN2+RG2），采用独特的布局设计确保：

• 同一晶圆区域制造的匹配电阻对
• 热耦合设计保持温度一致性
• 对称布线减少寄生效应

2. 先进的SiCr薄膜工艺

• 采用TI专有的SiCr（硅铬）薄膜材料
• 激光微调实现±0.025%的匹配精度
• 低噪声特性（3.5nV/√Hz @1kΩ||4kΩ）

3. 温度补偿设计

• 电阻对采用相同的温度系数材料
• 热耦合布局确保均匀加热
• 实测tM温漂仅±0.05ppm/°C

四、选型指南

型号	分压比	输入电阻	增益电阻	典型应用场景
RES11A10	1:1	1kΩ	1kΩ	阻抗匹配网络
RES11A20	1:2	1kΩ	2kΩ	信号衰减电路
RES11A40	1:4	1kΩ	4kΩ	差分放大器
RES11A90	1:9	1kΩ	9kΩ	高边电流检测
RES11A00	1:10	1kΩ	10kΩ	精密电平转换

五、PCB设计要点

1. ‌热管理‌：
   • 最大功耗受结温限制
   • 避免长时间工作在最大额定电压
   • 四层板设计可改善散热
2. ‌布局规则‌：
   • 敏感信号远离电源走线
   • 对称布局保持阻抗匹配
   • 输入走线最短化
3. ‌接地策略‌：
   • 仅连接一个GND/SUB引脚
   • 另一个GND/SUB引脚悬空
   • 采用星型接地减少噪声耦合

六、性能验证方法

1. DC参数测试

• 采用四线开尔文连接法
• 测试电路包含精密电压源和纳伏表
• 测量条件：TA=25°C，<1mA偏置电流

2. AC特性测试

• 网络分析仪测量带宽
• 10kHz至500MHz频率扫描
• 校准去除板级寄生效应

3. 长期稳定性测试

• 1000小时85°C/85%RH老化
• 定期监测比率漂移
• 数据表明<5ppm/1000hr的稳定性