Texas Instruments SN74ACT573/SN74ACT573-Q1八路D型透明锁存器具有三态输出，专为驱动相对低阻抗或高电容负载而设计。此系列器件特别适用于实现I/O端口、缓冲寄存器、总线驱动器和工作寄存器。Texas Instruments SN74ACT573-Q1器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

数据手册：

*附件：SN74ACT573 数据表.pdf

*附件：SN74ACT573-Q1 数据表.pdf

特性

• 工作VCC 范围：4.5V至5.5V
• 输入接受电压至5.5 V
• 5V时最大tpd为9.5ns
• 输入与TTL电压兼容

功能框图

SN74ACT573八路D型透明锁存器技术解析与应用指南

一、产品概述

SN74ACT573是德州仪器(TI)推出的一款高性能八路D型透明锁存器，采用先进的CMOS工艺制造，工作电压范围4.5V至5.5V。该器件具有3态输出特性，最大传播延迟仅9.5ns(5V供电时)，专为驱动高容性或低阻抗负载设计，特别适用于缓冲寄存器、I/O端口、总线驱动和工作寄存器等应用场景。

二、核心特性

1. 电气特性

• ‌宽电压工作范围‌：4.5V至5.5V
• ‌高速响应‌：最大传播延迟9.5ns(5V时)
• ‌驱动能力‌：
  • 连续输出电流±24mA(5V时)
  • 短时脉冲驱动能力±75mA(5V时)
• ‌输入兼容性‌：输入可接受高达5.5V的电压
• ‌低功耗‌：静态电流仅20μA(5.5V时)

2. 封装选项

封装代号	封装类型	尺寸(mm)	热阻(°C/W)
DB	SSOP	7.2×5.3	70
DW	SOIC	12.8×7.5	101.2
N	PDIP	24.33×6.35	69
PW	TSSOP	6.5×4.4	126.2
RKS	VQFN	4.5×2.5	67.7

三、功能描述

1. 逻辑架构

SN74ACT573包含8个D型透明锁存器，具有两个关键控制信号：

• ‌ LE(锁存使能) ‌：高电平时输出(Q)跟随输入(D)；低电平时锁存数据
• ‌ OE(输出使能) ‌：低电平时输出有效；高电平时输出为高阻态

2. 真值表

OE	LE	D	Q
L	H	H	H
L	H	L	L
L	L	X	Q0
H	X	X	Z

(注：H=高电平，L=低电平，X=任意电平，Q0=保持前一状态，Z=高阻态)

四、关键参数

1. 绝对最大额定值

• 电源电压范围：-0.5V至7V
• 输入电压范围：-0.5V至VCC+0.5V
• 输出电流：±50mA(连续)，±75mA(脉冲)
• 存储温度范围：-65°C至150°C

2. 推荐工作条件

• 电源电压：4.5V至5.5V
• 高电平输入电压：2V(最小)
• 低电平输入电压：0.8V(最大)
• 工作温度范围：-40°C至85°C(商用级)

3. 时序特性(5V供电)

• LE脉冲宽度：最小4ns
• 数据建立时间(LE↓前)：最小3.5ns
• 数据保持时间(LE↓后)：最小0ns
• 传播延迟(D→Q)：最大12ns

五、设计指南

1. 电源设计

• 每个VCC引脚配置0.1μF去耦电容
• 高开关频率应用增加1μF钽电容
• 总接地电流不超过200mA

2. 布局建议

• 关键信号(LE、OE)走线尽量短
• 避免90°拐角走线
• 隔离数字和模拟地
• 未使用输入必须接VCC或GND

3. 热管理

• 高负载应用优先选用VQFN封装
• 增加散热过孔
• 避免连续最大电流工作

六、常见问题解答

‌ Q1: OE和LE信号是否可以同时控制？ ‌
A: 可以，OE控制输出使能，LE控制数据锁存，两者功能独立。当OE为高时，无论LE状态如何，输出均为高阻态。

‌ Q2: 未使用的输入引脚如何处理？ ‌
A: 必须连接到VCC或GND，绝对不允许悬空。悬空输入会导致不可预测行为并增加功耗。

‌ Q3: 多个SN74ACT573输出是否可以并联？ ‌
A: 可以，利用3态输出特性可实现总线共享，但需确保任何时候只有一个器件处于输出使能状态。