AMC21C12隔离式窗口比较器技术解析

描述

Texas Instruments AMC21C12隔离式窗口比较器是一款隔离式窗口比较器,具有开漏输出和可选的锁存功能。开漏输出通过抗磁干扰能力强的隔离栅与输入电路进行电隔离。隔离栅支持高达200VRMS 或280VDC 的工作电压和高达570VRMS 或800VDC 的瞬态过电压。

数据手册:*附件:Texas Instruments AMC21C12隔离式窗口比较器数据手册.pdf

比较窗口以0V为中心,这意味着如果输入电压的绝对值超过跳闸阈值,则比较器跳闸。单个外部电阻器可在20mV至300mV范围内调节跳闸阈值。比较窗口范围为±20mV至±300mV。当REF引脚上的电压大于550mV时,负比较器被禁用,只有正比较器能够正常工作。该模式下的基准电压可高达2.7V。该模式对于监控电压电源特别有用。

该器件上的开漏输出支持透明模式(锁存输入绑定到GND2),其中输出遵循输入状态,或锁存模式(其中,输出在锁存输入信号的下降沿被清除)。Texas Instruments AMC21C12采用8引脚、0.65mm脚距VSON封装,额定扩展工业温度范围为-40°C至+125°C。

特性

  • 使工程师能够通过以下特性创建更小、更精确的电机控制设计:
    • 高测量分辨率:12-14有效位数(ENOB)
    • 小封装尺寸:3.5mmx2.7mm
    • 高CMTI性能:150 V/ns(最小值)
    • 以小尺寸实现更精确的电机控制
  • 宽高侧电源电压范围:3 V至27 V
  • 低侧电源电压范围:2.7V至5.5V
  • 可调节阈值:
    • 窗口比较器模式:±20mV至±300mV
    • 正比较器模式:600mV至2.7V
  • 100µA、±1%基准,用于阈值调整
  • 跳闸阈值误差:250mV时为±1%(最大值)
  • 开漏输出,带可选锁存模式
  • 传播延迟:280ns(典型值)
  • 高CMTI:55V/ns(最小值)
  • 功能隔离
    • 工作电压:200V RMS ,280VDC
    • 瞬态过电压(60s):570V RMS ,800VDC
  • 小型、0.65mm脚距、无引线封装,爬电距离和电气间隙为1mm
  • 额定扩展工业温度范围(-40°C至+125°C)

功能框图

隔离式

AMC21C12隔离式窗口比较器技术解析

一、产品概述

AMC21C12是德州仪器(TI)推出的一款高速响应、功能隔离的窗口比较器,具有可调阈值和锁存功能。该器件专为需要快速检测过流或过压条件的工业应用而设计,主要特点包括:

  • 高边供电范围:3V至27V
  • 低边供电范围:2.7V至5.5V
  • 可调阈值范围:±20mV至±300mV(窗口模式)或600mV至2.7V(正比较器模式)
  • 280ns典型传播延迟
  • 高CMTI性能:55V/ns(最小值)

二、关键特性与技术参数

1. 隔离性能

  • 工作电压:200VRMS/280VDC
  • 瞬态过电压:570VRMS/800VDC(60秒)
  • 1mm爬电距离和间隙
  • 高共模瞬态抗扰度(CMTI)

2. 比较器特性

  • 精密100μA参考电流(±1%精度)
  • 可配置为窗口比较器或正比较器模式
  • 两种输出模式:
    • 透明模式(输出实时响应输入)
    • 锁存模式(需外部信号清除)

3. 电气参数

参数条件最小值典型值最大值单位
传播延迟VREF=250mV-280410ns
参考电流20mV

三、功能原理

1. 窗口比较器模式

当REF引脚电压低于550mV时,器件工作在窗口比较器模式:

  • 正比较器(Cmp0)阈值:VREF + VHYS
  • 负比较器(Cmp1)阈值:-VREF - VHYS
  • 典型迟滞电压:4mV

2. 正比较器模式

当REF引脚电压超过550mV时:

  • 负比较器被禁用
  • 仅正比较器工作
  • 迟滞电压增至25mV
  • 支持最高2.7V的参考电压

3. 输出模式配置

  • 透明模式‌:LATCH=低电平,输出实时反映比较结果
  • 锁存模式‌:LATCH=高电平,输出保持锁定状态直到LATCH信号下降沿

四、典型应用设计

1. 过流检测电路

典型设计参数:

  • 分流电阻:10mΩ
  • 过流阈值:20A→200mV
  • 参考电阻计算:(200mV-4mV)/100μA=1.96kΩ
  • 输入RC滤波:10Ω+1nF(增加10ns延迟)

2. 电源电压监测

48V电源监测设计示例:

  • 分压电阻:R5=88.7kΩ, R6=4.99kΩ
  • 监测阈值:38V→2.025V
  • 参考电阻:20kΩ(对应2V阈值)

五、设计要点

  1. PCB布局建议‌:
    • 保持GND1连接短而低阻抗
    • REF引脚电容尽量靠近器件放置
    • 使用<10kΩ的上拉电阻优化CMTI性能
  2. 电源设计‌:
    • 高边供电:100nF+1μF去耦组合
    • VDD1>5.5V时建议串联10Ω电阻滤波
    • 注意参考电压建立时间(典型470μs)
  3. 保护功能‌:
    • 内置高低边电源监控
    • 高边故障检测延迟时间:45μs(典型值)

六、应用领域

AMC21C12特别适用于:

  • 电信电源的过流/过压检测
  • 电机驱动保护电路
  • 工业模拟I/O模块
  • 变频器系统
  • 其他需要快速响应和电气隔离的监测应用
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