‌Texas Instruments TPS737线性LDO稳压器技术解析‌

Texas Instruments TPS737线性低压差（LDO）稳压器在电压跟随器配置中使用NMOS导通晶体管。该拓扑结构对ESR和输出电容值的敏感度相对较低。此功能有助于实现各种负载配置。即使搭配较小的1µF陶瓷输出电容器，负载瞬态响应也非常出色。NMOS拓扑结构还可实现极低的压差。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS737线性LDO稳压器数据手册.pdf

TPS737采用先进的BiCMOS工艺，实现高精度的同时，可提供极低的压差电压和接地引脚电流。带有M3后缀的器件型号采用依托当前TI工艺技术的最新设计。未启用时，电流消耗小于20nA。该功能专为便携式应用而设计。热关断和折返限流功能可为器件提供保护。

对于需要更高输出电压精度的应用，用户应考虑使用Texas Instruments TPS7A37 1%总精度、1A低压差稳压器。

特性

• 在搭配1µF或更大陶瓷输出电容器时可稳定工作
• 2.2 V 到 5.5 V 的输入电压范围
• 超低压差电压
  • 传统硅：130mV（1A时典型值）
  • 新硅（M3后缀）：122mV（1A时典型值）
• 即使采用1µF输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
• NMOS拓扑结构具有低反向漏电流
• 初始精度：1%
• 在整个线路、负载和温度范围内的整体精度
  • 传统硅：3%
  • 新硅（M3后缀）：1.5%
• 关断模式下IQ 小于20nA（典型值）
• 热关断和电流限制，用于故障保护
• 提供多种输出电压版本
  • 可调输出：1.20V至5.5V
  • 可使用工厂封装级编程提供定制输出

典型应用电路

Texas Instruments TPS737线性LDO稳压器技术解析‌

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‌一、产品概述‌

TPS737是德州仪器（TI）推出的‌1A低压差线性稳压器‌，采用NMOS拓扑结构，具有超低静态电流（20nA关断电流）和反向电流保护功能。其关键特性包括：

• ‌超低压差‌：122mV（新型硅片）@1A负载
• ‌宽输入范围‌：2.2V至5.5V
• ‌高精度输出‌：±1.5%总精度（新型硅片）
• ‌低噪声设计‌：27μVRMS噪声（10Hz-100kHz带宽）
• ‌多封装选项‌：SOT-223、VSON、WSON

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‌二、核心性能参数‌

1. ‌电气特性‌
   • ‌输出电流‌：1A连续输出
   • ‌压差电压‌：
     • 新型硅片：122mV典型值@1A
     • 传统硅片：130mV典型值@1A
   • ‌静态电流‌：400μA典型值@10mA负载
   • ‌关断电流‌：<20nA
2. ‌热性能‌
   • ‌结到环境热阻‌：
     • SOT-223：76°C/W
     • VSON：49.4°C/W
     • WSON：67.3°C/W
   • ‌工作结温‌：-40°C至+125°C
3. ‌保护功能‌
   • 热关断（160°C触发）
   • 折返式过流保护（1.6A典型限流值）

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‌三、关键技术创新‌

1. ‌NMOS拓扑优势‌
   • 与传统PMOS LDO相比，NMOS结构提供：
     • 更低压差（典型值降低30%）
     • 对输出电容ESR不敏感（支持1μF陶瓷电容）
     • 固有反向电流阻断能力
2. ‌双硅片版本设计‌
   • ‌新型硅片‌（CSO: RFB）：
     • 总精度提升至±1.5%
     • 压降低至122mV
     • 启动时间缩短30%（431μs典型值）
   • ‌传统硅片‌（CSO: DLN）保持向后兼容
3. ‌噪声抑制技术‌
   • 内置27kΩ电阻+外部CNR电容构成低通滤波
   • 可降低参考噪声至8.5μVRMS/V（CNR=10nF时）

四、设计注意事项‌

1. ‌布局指南‌
   • 输入/输出电容需就近放置（<10mm）
   • 采用星型接地连接散热焊盘
   • 避免在散热路径上布置敏感信号线
2. ‌热管理建议‌
   • 计算最大功耗：PD = (VIN - VOUT) × IOUT
   • 对于SOT-223封装，至少需要2in²铜箔面积（θJA<50°C/W）
3. ‌瞬态响应优化‌
   • 增加输出电容可减少欠冲幅度
   • 可调版本添加CFB电容（≤0.1μF）改善负载瞬态响应

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‌五、选型对比‌

型号	输出类型	关键优势
TPS73701	可调(1.2-5.5V)	灵活的输出电压配置
TPS73733	固定3.3V	优化用于MCU供电
TPS7A37（升级款）	1%精度版本	适用于精密模拟电路