Texas Instruments TPS766低压差（LDO）线性稳压器支持高达250mA的负载电流，输入电压范围为2.5V至16V（新芯片）。该器件的输入电压高达16V（新芯片），使其非常适用于稳压电源轨（如10V或12V）和变压器次级绕组供电。此外，该器件具有宽输出电压范围，因此能够为碳化硅（SiC）栅极驱动器和麦克风产生偏置电压，并为微控制器（MCU）和处理器供电。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS766 LDO线性稳压器数据手册.pdf

高带宽PSRR性能在1kHz时大于70dB，在1MHz时大于46dB（新芯片），因此有助于衰减上游DC/DC转换器的开关频率，并最大限度地减少后置稳压器滤波。新芯片支持内部软启动电路机制，可减小启动期间的浪涌电流，从而降低输入电容。传统芯片可在整个负载电流范围内提供恒定的静态电流（对于0mA至250mA的整个输出电流范围，通常为35µA）。

Texas Instruments TPS766 LDO还具有睡眠模式。在该模式下，向EN（使能）施加TTL高电平信号可关闭稳压器。在禁用模式下，新芯片的静态电流约为1.6µA（典型值），而传统芯片的静态电流小于1µA（典型值）。电源正常（PG）为高电平有效输出，可用于实现上电复位或低电池电量指示器。后缀M3是采用TI最新工艺技术全新设计的新芯片代号。TPS766采用8引脚SOIC封装。

特性

• 输入电压范围
  • 传统芯片：2.7V至10V（绝对最大值为13.5V)
  • 新芯片：2.5V至16V（绝对最大值为18V）
• 输出电压范围
  • 传统芯片：1.5V至5V（固定）和1.25V至5.5V（可调）
  • 新芯片：1.2V至12V（固定）和0.8V至14.6V（可调）
• 输出电流：高达250mA
• 输出精度
  • 传统芯片：3%（整个负载和温度范围内）
  • 新芯片：1%（整个负载和温度范围内）
• 低静态电流（I Q ）
  • 传统芯片：空载时典型值为35µA
  • 新芯片：空载时典型值为55µA
• I Q （禁用状态）
  • 传统芯片：10µA（最大值）
  • 新芯片：4µA（最大值）
• 压差（新芯片）
  • 250mA时高达225mV（典型值）(TPS76650)
• 高PSRR：46dB（1MHz时）（新芯片）
• 内部软启动时间：750μs（典型值）（新芯片）
• 过流限制和热保护
• 与2.2µF或更高电容器搭配使用时可保持稳定（新芯片）
• 开漏电源良好
• 封装：8引脚、4.9mm × 6mm SOIC (D)

功能框图

TPS766系列LDO线性稳压器技术解析与应用指南

一、产品概述与核心特性

TPS766是德州仪器(TI)推出的高性能低压差(LDO)线性稳压器系列，最新版本于2024年3月修订(SLVS237E)。该系列器件提供250mA输出电流能力，具有超低静态电流和出色的电源抑制比(PSRR)特性。

‌关键技术创新‌：

• ‌宽输入电压范围‌：2.5V至16V(新芯片)，兼容多种电源架构
• ‌高精度输出‌：新芯片输出电压精度达±1%(全温度范围)
• ‌超低静态电流‌：工作模式下仅55μA(典型值)，关断模式下低至1.6μA
• ‌先进保护功能‌：集成过流保护、热关断和反向电流保护
• ‌温度适应性‌：工作温度范围-40°C至125°C

二、电气特性深度分析

1. 关键参数对比(新芯片vs传统芯片)

参数	传统芯片	新芯片	改进幅度
输入电压范围	2.7-10V	2.5-16V	+60%
输出电压范围(可调)	1.25-5.5V	0.8-14.6V	+165%
输出精度	±3%	±1%	提高3倍
静态电流(IQ)	35μA	55μA	-
关断电流	10μA	4μA	降低60%
PSRR@1MHz	-	46dB	-

2. 动态性能指标

• ‌ 压降电压(VDO) ‌：225mV@250mA(典型值，TPS76650型号)
• ‌电源抑制比‌：70dB@1kHz，46dB@1MHz
• ‌启动时间‌：750μs(带内部软启动)
• ‌输出噪声‌：165μVRMS(10Hz-100kHz带宽)

三、热设计与PCB布局指南

1. 热管理要点

• ‌热阻参数‌：
  • RθJA = 126.5°C/W(SOIC-8封装)
  • ΨJT = 18°C/W(结到顶部特征参数)
• ‌功率计算‌：
  PD = (VIN - VOUT) × IOUT
• ‌结温估算‌：
  TJ = TA + (RθJA × PD)

2. PCB布局建议

1. ‌电源处理‌：
   • 输入/输出电容尽量靠近器件引脚
   • 使用宽铜箔降低寄生电感
2. ‌信号完整性‌：
   • 敏感走线远离功率路径
   • 反馈电阻就近布局
3. ‌热优化‌：
   • 增加散热过孔阵列
   • 使用2oz铜厚设计大电流路径

四、选型与版本对比

‌型号命名规则‌：
TPS766[XX][Y][Z][M3]

• XX：输出电压(如33表示3.3V)
• Y：封装代码
• Z：包装数量
• M3：新工艺版本标识

‌推荐选型‌：

• 工业应用：TPS76633DR(3.3V固定输出)
• 高温环境：TPS76650DRM3(5V输出，新工艺)
• 空间受限：TPS76601DDF(可调输出，SOT-23封装)

五、可靠性设计考量

1. ‌反向电流保护‌：
   • 当VOUT > VIN时可能发生
   • 建议方案：在IN-OUT之间添加肖特基二极管
2. ‌稳定性设计‌：
   • 输出电容ESR范围需满足：
     • 传统芯片：300mΩ-20Ω
     • 新芯片：最高支持2Ω(与负载电流相关)
3. ‌故障保护‌：
   • 过流保护阈值：0.8A(典型值)
   • 热关断温度：150°C(触发)，125°C(恢复)

六、应用案例分享

1. 工业传感器供电

• ‌需求特点‌：需要低噪声、高PSRR
• ‌方案优势‌：
  • 利用70dB@1kHz的PSRR特性抑制开关电源噪声
  • 165μVRMS低噪声适合高精度传感器

2. 电池供电设备

• ‌设计要点‌：
  • 选择新芯片版本(4μA关断电流)
  • 配置EN引脚实现电源管理
  • 利用内部软启动限制浪涌电流