TX75E16五级16通道超声发射器技术解析与应用指南

描述

Texas Instruments TX75E16五级16通道发射器是一款高度集成的高性能发射器,用于超声成像系统。该设备具有16脉冲电路和16个发送/接收开关(T/R或TR开关),并支持片上波束形成器 (TxBF)。该器件还集成了片上浮动电源,以减少所需的高压电源数量。

数据手册:*附件:Texas Instruments TX75E16五级16通道发射器数据手册.pdf

Texas Instruments TX75E16带有可产生五级高压脉冲(高达±100V)的脉冲电路,可用于激发超声变送器的多个通道。该设备共支持16个输出。最大输出电流为2A。该设备可用作超声波成像、无损检测、声纳、激光雷达、海洋导航系统、脑成像系统等多种应用的发射器。

特性

  • 发射器支持
    • 16通道五级脉冲发生器和有源发送/接收 (T/R) 开关
  • 5级脉冲发生器
    • 最大输出电压:±100V
    • 最小输出电压:±1V
    • 最大输出电流:2 A
    • 支持4A输出电流模式
    • 真正归零以将输出放电至接地
    • 二次谐波:-45dBc(5MHz时)
    • -3dB带宽,1kΩ||240 pF负载
      • 20 MHz(±100V电源)
      • ±70V电源时为25MHz
      • 35MHz(4A模式下±100V电源)
    • 集成抖动:-100fs(在100Hz至20kHz范围内测量)
    • CW模式近载波相位噪声:-154dBc/Hz(1kHz偏移,5 MHz信号)
    • 极低接收功率:1mW/通道
    • 可编程负载阻尼电阻(200Ω、100Ω或67Ω)
  • 有源发送/接收 (T/R) 开关,具有:
    • 导通电阻:8Ω
  • 导通和关断时间:100ns
  • 瞬态毛刺:10mVPP
  • 片上波束形成器具有:
    • 基于通道的T/R开关启闭控制
    • 半波束形成器时钟周期的延迟分辨率:最小2ns
    • 波束形成器时钟周期最大延迟:2^14^
    • 波束形成器最大时钟速度:320MHz
    • 每个通道模式控制,具有2K不同的电平
    • 全局和局部重复模式,支持剪切波成像的长持续时间模式
    • 支持120个延迟配置文件
  • 高速(400MHz最大值)、2通道LVDS串行编程接口
    • 编程时间短:< 500ns,用于延迟配置文件更新
    • 32位校验和功能,可检测错误的SPI写入
  • 支持CMOS串行编程接口(最大50MHz)
  • 内部温度传感器和自动热关断
  • 没有特定的电源排序要求
  • 错误标志寄存器,用于检测故障情况
  • 集成无源器件,用于浮动电源和偏置电压
  • FC-BGA-144 (10mm × 10mm),0.8mm脚距小型封装

简化框图

高性能

TX75E16五级16通道超声发射器技术解析与应用指南

一、产品核心特性与技术创新

TX75E16是德州仪器(TI)最新推出的高集成度超声发射器解决方案,2025年7月最新修订(SLOSEC0A)。该器件集成了16通道五电平脉冲发生器、T/R开关和片上波束成形器,具有以下突破性特征:

高压脉冲性能‌:

  • 五电平输出‌:±1V至±100V可编程输出范围
  • 高驱动能力‌:2A连续输出(4A脉冲模式)
  • 超低谐波失真‌:二次谐波-45dBc@5MHz
  • 宽带宽支持‌:20MHz(-3dB@±100V,1kΩ||240pF)

集成系统特性‌:

  • 智能T/R开关‌:8Ω导通电阻,100ns切换时间
  • 片上波束成形‌:2ns延迟分辨率,支持214个时钟周期最大延迟
  • 模式存储‌:每通道960字RAM,支持全局/局部重复模式
  • 安全保护‌:集成温度传感器和自动热关断

二、关键电气参数解析

1. 绝对工作条件

  • 供电电压‌:±100V(高压侧),3.3V(逻辑侧)
  • 工作温度‌:0°C至70°C(商业级)
  • ESD防护‌:HBM 2kV,CDM 1kV

2. 信号性能指标

  • 时钟系统‌:320MHz最大波束成形时钟
  • 相位噪声‌:-154dBc/Hz@1kHz偏移(5MHz CW)
  • 集成抖动‌:100fs(100Hz-20kHz)
  • 接收功耗‌:仅1mW/通道

3. 配置接口

  • 双编程接口‌:
    • 400MHz LVDS(2通道)
    • 50MHz CMOS(SPI兼容)
  • 配置校验‌:32位校验和错误检测
  • 快速更新‌:延迟配置文件500ns切换时间

三、架构与工作原理

创新性系统设计‌:

  1. 分级供电架构‌:
    • A/B组独立高压供电(AVDDP_HV_A/B)
    • 集成浮动电源管理
    • 内置去耦电容减少外部元件
  2. 智能波束成形‌:
    • 120个可存储延迟配置文件
    • 支持剪切波成像的长周期模式
    • 2K级可编程脉冲模式
  3. 安全保护机制‌:
    • 错误标志寄存器实时监测
    • 多级热管理策略
    • 无时序要求的电源上电

四、PCB设计指南

  1. 电源布局‌:
    • 高压走线间距≥50mil
    • 采用星型拓扑分配逻辑电源
    • 每VCC引脚配置1μF+10nF去耦组合
  2. 信号完整性‌:
    • LVDS差分对长度偏差<100μm
    • 高压输出端避免使用过孔
    • 单独地层分割高压/逻辑区域
  3. 封装处理‌:
    • FC-BGA-144封装(10×10mm)
    • 需要专业BGA焊接工艺
    • 底部散热焊盘需强制冷却

五、开发支持资源

  1. 配置工具链‌:
    • TI提供图形化波束成形配置软件
    • 支持MATLAB接口进行模式仿真
    • 开源Linux驱动支持
  2. 参考设计‌:
    • 超声智能探头前端方案(TIDA-02005)
    • 工业相控阵检测模块(PMP-21021)
    • 医疗成像子系统参考设计
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