Texas Instruments TPS376XEVM窗口监控器评估模块 (EVM) 设计用于评估TPS3762/TPS3762-Q1电压监控器。该系列是汽车级设备，支持欠压和过压监控器以及内置自检功能。TPS376XEVM预装TPS3762D02OVDDFRQ1设备，但是可与任何TPS3762-Q1型号搭配使用。Texas Instruments TPS376XEVM提供与所有输入和输出引脚的连接。测试点可为用户提供额外连接，用于示波器或万用表测量。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS376XEVM窗口监控器评估模块数据手册.pdf

特性

• 支持所有引脚和可调型号
• 测试点便于输入/输出访问
• 可定制重置延迟

板布局

TPS376XEVM窗口监控器评估模块技术解析与应用指南

一、产品概述

Texas Instruments推出的TPS376XEVM是一款专为TPS3762-Q1系列电压监控器设计的评估模块，主要用于功能安全应用中的欠压和过压监控场景。该评估模块通过提供完整的测试接口和测量点，帮助工程师快速验证TPS3762-Q1系列器件的性能特性。

核心特性

• ‌宽电压工作范围‌：支持2.7V至65V的输入电压监控
• ‌功能安全合规‌：满足汽车电子功能安全应用要求
• ‌ 内置自检功能(BIST) ‌：可检测内部器件故障
• ‌可配置复位输出‌：支持复位锁存功能
• ‌灵活的延时设置‌：通过外部电容可调感应和复位延时

二、硬件设计解析

1. 模块布局与接口

TPS376XEVM评估板预装了TPS3762D02OVDDFRQ1器件，提供全面的测试接入点：

• ‌电源输入‌：通过TP1接入VDD（2.7-65V）
• ‌感应电压输入‌：通过TP9接入VSENSE（0-65V）
• ‌复位输出‌：通过TP8监测RESET信号
• ‌自检接口‌：TP3(BIST)和TP4(BIST_EN/LATCH_CLR)

2. 关键跳线配置

评估板提供7组关键跳线用于功能配置：

1. ‌ J4(CTS) ‌：配置感应时间延迟电容连接
   • 默认闭合引脚3-4连接C4
   • 可切换连接C3/C5/C6调整感应延时
2. ‌ J5(CTR) ‌：配置复位时间延迟电容连接
   • 默认闭合引脚3-4连接C8
   • 可切换连接C7/C9/C10调整复位延时
3. ‌ J11(BIST控制) ‌：配置自检功能上拉电压
   • 默认闭合引脚3-4连接TP11
   • 可切换连接VDD或悬空

3. 测试点功能说明

评估板提供11个测试点用于性能验证：

• ‌TP1‌：主电源VDD监测点
• ‌TP2/TP9‌：感应电压监测点
• ‌TP3‌：BIST自检输出监测
• ‌TP4‌：BIST_EN/LATCH_CLR控制监测
• ‌TP8‌：RESET输出监测
• ‌TP10/TP11‌：外部上拉电压接入点

三、典型应用场景

1. 汽车电子电源监控

利用TPS376XEVM可快速验证：

• 蓄电池电压异常检测（欠压/过压）
• ECU电源监控与故障处理
• 安全相关系统的电源完整性检查

2. 工业控制系统

适用于：

• PLC电源监控
• 电机驱动保护电路验证
• 关键设备电源故障预警系统

3. 功能安全系统开发

通过内置自检功能：

• 验证监控电路自身可靠性
• 开发故障检测与恢复机制
• 构建符合ISO 26262的安全架构

四、使用指南与设计建议

1. 基本操作流程

1. ‌硬件连接‌：
   • 通过TP1接入2.7-65V测试电源
   • 通过TP9接入待监控电压
   • 连接示波器至相关测试点
2. ‌功能配置‌：
   • 通过跳线设置所需延时参数
   • 配置BIST_EN/LATCH_CLR工作模式
   • 设置RESET输出特性（锁存/非锁存）
3. ‌性能验证‌：
   • 逐步改变VSENSE电压，观察RESET响应
   • 触发BIST功能，验证自检机制
   • 测试不同温度条件下的监控精度

2. 设计注意事项

• ‌电源噪声抑制‌：建议在VDD输入端增加0.1μF去耦电容（评估板已集成C1）
• ‌温度影响‌：工作结温范围为-40°C至125°C，高温环境下需考虑降额使用
• ‌布局优化‌：监控信号走线应远离高频噪声源
• ‌ESD防护‌：操作时需采取防静电措施

五、性能评估结果

根据数据手册提供的测试数据：

1. ‌BIST功能波形‌：
   • BIST恢复时间(tBIST_recover)：典型值10μs
   • BIST检测时间(tBIST)：典型值1ms
2. ‌过压响应特性‌：
   • 感应阈值精度：±1.5%（典型值）
   • 响应时间：可配置为1ms-10s（通过CTS电容）
3. ‌复位延时特性‌：
   • 复位释放延时：可配置为1ms-10s（通过CTR电容）
   • 复位信号下降时间：<100ns