中芯国际与一线阵营代差巨大 如何摆脱“空芯”之痛？

中国最大的晶圆代工厂中芯国际目前最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段，其试产的良率已经可以达到95%。距离2019年正式量产的目标似乎已经不远了。但半导体人才储备不足依然是中芯国际面临的重要问题。                                 

中芯国际与一线阵营代差巨大

中芯国际成立于2000年，是中国大陆技术最全面、配套最完善、规模最大的集成电路制造企业，成立以来就专注做半导体芯片。在外界看来，中芯国际就是“中国芯”的代表。

但是中芯国际目前最先进的制程为28纳米，而从2018年第一季的财报来看，28纳米占其营收不过3.2%，相较联电、英特尔等先进制程发展较慢的厂商来说，落后的一个世代以上，更罔论与先进制程开发进度较快的台积电、格罗方德、三星等企业已经准备切入7纳米制程相较。

截至2017年第二季度末，台积电28纳米以下的中高端制程芯片已经占总收入的54%，40纳米以下占67%。而中芯国际2017年收入贡献度最高的还是来自于90纳米及以下的制程技术，占比达到50.7%。2017年中芯14纳米技术的研发也才到关键的突破期，尚未完成开发。由此可见，当中芯国际还在28纳米挣扎时，台积电的技术已经至少遥遥领先三代。

为了追赶这样的落差，中芯国际不但在2017年底延揽三星电子及台积电的前高层梁孟松来担任联席首席执行长的职务，主要就是希望借助他过去的经验，指导中芯国际在发展14纳米FinFET制程上的进程，使中芯国际的14纳米FinFET制程能在2019年达成量产的目标。

中芯国际在今年初还宣布，将联同两大政府产业基金共同投资102.4亿美元，以加快14纳米及以下先进制程研发和量产计划，最终达成每月量产3.5万片的目标。如今，在中芯国际的14纳米FinFET制程达到良率95%的情况下，等于是向目标又迈进了一大步。

人才缺失导致行业发展缓慢

中芯国际在自主芯片的道路上摸索前行18年，还是未能进入一线阵营。除了与竞争对手台积电等巨头相比研发进展较慢之外，另个一个重要原因就在于高端芯片人才储备的不足，这不但是中芯国际发展的阻碍，也是整个中国芯片产业普遍存在的问题。人才储备与培养比较薄弱，是我国芯片半导体产业与国际顶尖水平相比仍有明显差距的一个关键因素。

2017年工业和信息化部软件与集成电路促进中心发布的《中国集成电路产业人才白皮书(2016-2017)》介绍，目前需要70万人投入到该产业中来，人才的不足导致我国集成电路产业的自主创新缓慢。

作为首批国家集成电路人才培养基地之一的东南大学，这些年来正在为集成电路领域培养大批人才。东南大学集成电路相关的专业招生在急剧增加，在培养硕士方面，微电子学院的招生名额已经从前几年的200多人，增加到了去年的400多人。华中科技大学在集成电路人才培养方面，去年也增加了120名非全日制工程硕士生名额，今年计划扩大50%的博士招生计划。

然而远水解不了近渴，集成电路产业是一个技术密集型、人才密集型和资金密集型产业，其产业链包括设计、制造、封装、测试、设备和材料等多个环节。这个行业强调经验积累，人才的培养并非一朝一夕。因此在短时间内，中国芯片产业依然无法摆脱人才不足的窘境。

如何摆脱“空芯”之痛？

中兴通讯事情虽落下帷幕，但没有核心技术必然“如鲠在喉”。核心技术受制于人，中国制造2025的根基就不牢。

芯片产业的发展需要投入大量的人力、物力、财力，而且这些投入在短期内难以看到成效，单个企业的单打独斗是远远不够的。说到底，集成电路产业是一个国家综合国力的比拼。

虽然如今的“芯片热”集聚了一些政策、资金等资源在集成电路产业，可以起到吸引人才的作用，但要想突破我国集成电路产业人才瓶颈，还需要考虑更长远的战略，让“芯片热”不只是一阵风。另外，基于集成电路全球化产业特征，人才的全球化流动是必然趋势。在我国产业水平相对落后的情况下，应加大吸引全球优秀集成电路人才的力度。

随着2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》发布，国家集成电路产业投资基金成立，我国正加大对龙头企业的扶持，鼓励企业增加对重点领域关键技术的研发投入。在产学研用协同机制方面，业界也在积极探索。随着创新投入的不断加大、创新机制的日益完善、知识产权意识的逐渐提高，我国芯片产业能早日去除“空芯”之痛。