‌TPIC6C596 8位移位寄存器芯片技术文档总结

TPIC6C596器件是单片、中压、 低电流、8位移位寄存器，设计用于需要相对中等负载的系统 电源，例如 LED。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感 瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他低电流或 中压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入并行输出移位寄存器，可为 8 位馈电 D型存储寄存器。通过移位寄存器和存储寄存器进行数据传输 移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 的边沿。存储 寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 时将数据传输到输出缓冲器 很高。当CLR为低电平时，设备中的所有寄存器都将被清除。什么时候 输出使能 （G） 保持为高电平，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平 并且所有漏极输出均关闭。当 G 保持低电平时，来自存储的数据 寄存器对输出缓冲区是透明的。当输出缓冲区中的数据为低电平时，DMOS 晶体管输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流 能力。
*附件：tpic6c596.pdf

串行输出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿从器件中时钟输出，以 为级联应用提供额外的保持时间。这将为以下人员提供改进的性能 时钟信号可能偏斜、设备彼此不靠近或 系统必须能承受电磁干扰。

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 33 V 和 100 mA 连续灌电流能力。每个输出提供250 mA的最大电流限制 T C = 25°C。 电流限制随着结温的升高而降低 用于额外的设备保护。该器件还提供高达 2500 V 的 ESD 保护，适用于以下情况 使用人体模型和 200 V 机器模型进行测试。

TPIC6C596器件的特点是在工作外壳温度下运行 范围为 –40°C 至 125°C。

特性

• 低R DS（开） ，7 和 3937;（典型）
• 雪崩能量，30 mJ
• 8个功率DMOS晶体管输出
  ，连续电流为100 mA
• 250mA 限流能力
• ESD 保护，2500 V
• 输出箝位电压，33 V
• 增强多级级联
• 所有寄存器均通过单输入清除
• 低功耗

参数

方框图

‌1. 核心功能特性‌

• 采用低RDS(on)设计（典型值7Ω），集成8路功率DMOS晶体管输出
• 每通道支持100mA连续电流，峰值电流限制250mA
• 内置33V输出钳位电压保护，提供30mJ雪崩能量保护
• 增强级联功能支持多级扩展，串行输出采用下降沿触发提升时序裕度
• 工作温度范围-40°C至125°C，符合车规级应用要求

‌2. 关键电气参数‌

• 逻辑供电电压：4.5V-5.5V
• 输出导通电阻：9Ω（典型值@50mA）
• 时钟频率：最高10MHz（级联模式）
• ESD防护：2500V（人体模型）

‌3. 典型应用场景‌

• 汽车仪表盘指示灯驱动
• LED照明控制系统
• 继电器/电磁阀驱动电路
• 需要中等电压（≤33V）的负载开关

‌4. 封装选项‌

• SOIC-16（9.9×3.91mm）
• PDIP-16（19.3×6.35mm）
• TSSOP-16（5×4.4mm）

‌5. 设计要点‌

• 建议PCB布局时加强散热设计（RθJA典型值83.7°C/W）
• 级联应用时需注意SEROUT到下级SERIN的布线
• 电源需配置0.1μF去耦电容
• CLR引脚应在初始化时执行清零操作

该文档详细规范了TPIC6C596作为功率逻辑移位寄存器的技术指标、应用方法和可靠性数据，特别适用于需要精确控制多个中等功率负载的嵌入式系统设计。