‌TPIC6B596 8位移位寄存器技术文档总结

该TPIC6B596是一款单片、高压、中电流功率 8 位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器，该寄存器为 8 位 D 型存储寄存器供电。数据分别通过移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除 （SRCLR） 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。写入数据和读取数据仅在 RCK 较低时有效。当SRCLR为低电平时，器件中的所有寄存器都被清除。当输出使能（G）保持为高电平时，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有漏极输出都关断。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲器是透明的。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS-晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 （SER OUT） 在 SRCK 的下降沿从器件中时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号可能偏斜、器件彼此不靠近或系统必须承受电磁干扰的应用提供更高的性能。
*附件：tpic6b596.pdf

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 50V，连续灌电流能力为 150mA。每个输出在TC = 25°C时提供500mA的典型电流限制。 电流限制随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。

该TPIC6B596的表征是在 −40°C 至 125°C 的工作外壳温度范围内工作。

特性

• 低 rDS（on）：5Ω
• 雪崩能量：30mJ
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为 150 mA
• 500mA典型限流能力
• 输出箝位电压：50V
• 增强多级级联
• 所有寄存器均通过单输入清除
• 低功耗

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌低导通电阻‌：5Ω
• ‌输出能力‌：8路功率DMOS晶体管输出，每路支持150mA连续电流，典型限流500mA
• ‌保护功能‌：50V输出钳位电压，30mJ雪崩能量保护
• ‌级联支持‌：通过SEROUT引脚实现多级级联，时钟下降沿输出增强抗干扰能力
• ‌工作温度‌：-40°C至125°C

‌2. 典型应用‌

• 汽车电子：仪表盘集群、指示灯控制
• 工业驱动：继电器、电磁阀控制
• LED照明：多通道LED驱动

‌3. 功能描述‌

• ‌寄存器结构‌：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存储寄存器，数据在SRCK（移位时钟）和RCK（存储时钟）上升沿同步传输。
• ‌控制逻辑‌：
  • SRCLR低电平清除所有寄存器
  • G引脚控制输出使能（低电平有效）
  • 输出为低侧开漏DMOS晶体管，支持PWM调光

‌4. 关键参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 逻辑供电电压：4.5V~5.5V（超出5.5V可能影响可靠性）
  • 静态导通电阻：典型值5Ω（ID=100mA时）
• ‌开关特性‌：
  • 传输延迟：tPLH≤150ns，tPHL≤90ns
  • 最大时钟频率：10MHz（级联模式）

‌5. 封装与订购信息‌

• ‌封装选项‌：
  • SOIC-20（DW）：12.8mm×7.5mm
  • PDIP-20（N）：25.4mm×6.35mm
• ‌型号后缀说明‌：
  • DWR表示卷带包装，N表示塑料双列直插

‌6. 设计注意事项‌

• 避免VCC<4.5V工作，可能导致功能异常
• 雪崩能量测试需配置L=200mH电感，IAS=0.5A
• 热管理建议：RθJA（SOIC）为90°C/W，需考虑散热设计