‌TPIC6C595 8位移位寄存器数据手册总结

该TPIC6C595是单片、中压、低电流 功率 8 位移位寄存器设计用于需要相对中等负载功率的系统 例如 LED。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态 保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他低电流或 中压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入并行输出移位寄存器，可为 8 位馈电 D型存储寄存器。通过移位寄存器和存储寄存器进行数据传输 移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 的边沿。设备 从SRCK上升沿的串行输出（SER OUT）端口传输数据。存储 寄存器在移位寄存器清除 （CLR） 时将数据传输到输出缓冲器 很高。当CLR为低电平时，输入移位寄存器被清除。当输出 使能 （G） 保持为高电平，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有 漏极输出关闭。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据 对输出缓冲区透明。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管 输出关闭。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。这 SER OUT 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。
*附件：tpic6c595.pdf

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 33V 至 100mA 连续灌电流能力。每个输出都提供一个 T 时 250mA 最大电流限制 C = 25°C。 电流限制降低 随着结温的升高，提供额外的设备保护。该设备还提供 使用人体模型和 200 V 机器进行测试时，可达到 2500 V 的 ESD 保护 型。

该TPIC6C595的特点是在 −40°C 至 125°C。

特性

• 低 r DS（开） ， 7 Ω典型值
• 雪崩能量，30 mJ
• 8个功率DMOS晶体管输出
  ，连续电流为100 mA
• 250mA 限流能力
• ESD 保护，2500 V
• 输出箝位电压，33 V
• 设备是可级联的
• 低功耗

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
TPIC6C595是德州仪器（TI）推出的单片中压、低电流功率逻辑8位移位寄存器，专用于驱动LED等中等负载功率系统。其核心特性包括：

• ‌8路开漏DMOS晶体管输出‌：每路支持100mA连续灌电流，峰值限流250mA（25°C时）
• ‌集成电压钳位‌：33V输出钳位电压，提供电感瞬态保护
• ‌级联功能‌：通过SER OUT引脚可实现多器件级联
• ‌宽温操作‌：工作温度范围-40°C至125°C

‌2. 关键特性‌

• ‌电气参数‌：
  • 典型导通电阻7Ω（50mA时）
  • ESD保护：2500V（人体模型）/200V（机器模型）
  • 30mJ雪崩能量耐受
• ‌封装选项‌：SOIC-16（9.9×3.91mm）、TSSOP-16（5×4.4mm）、PDIP-16（19.3×6.35mm）

‌3. 功能描述‌

• ‌串行输入接口‌：8位串入并出移位寄存器，通过SRCK（移位时钟）和RCK（存储寄存器时钟）上升沿触发数据传输
• ‌输出控制‌：
  • G引脚低电平时输出使能
  • CLR低电平清除所有寄存器
• ‌保护机制‌：电流限制随结温升高自动降低，增强器件可靠性

‌4. 典型应用‌

• ‌汽车仪表盘‌：驱动指示灯（Tell-Tale灯）和LED照明
• ‌工业控制‌：继电器/电磁阀驱动
• ‌扩展应用‌：多器件级联可控制16路及以上负载（需配合MCU SPI接口）

‌5. 设计注意事项‌

• ‌热管理‌：建议PCB布局时最大化铜覆盖率，增加散热过孔
• ‌电流计算‌：LED驱动需根据电源电压（9-16V）和正向压降计算限流电阻
• ‌电压要求‌：逻辑供电需稳定在4.5-5.5V范围

‌6. 文档结构‌
手册包含完整的技术规格、时序图、测试电路、封装尺寸及订购信息，并提供了典型应用电路示例（如汽车集群LED驱动方案）。