‌TPIC6B259 8位可寻址锁存器技术文档摘要

该电源逻辑 8 位可寻址锁存器控制漏极开路 DMOS 晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解码器或解复用器。这是一款
多功能器件，能够将单线数据存储在八个可寻址锁存器和具有低电平有效DMOS输出的3到8个解码器或解复用器中。
*附件：tpic6b259.pdf

通过控制函数表中列举的清除 （CLR） 和启用 （G） 输入，可以选择四种不同的作模式。在可寻址锁存器模式下，数据输入 （D） 端子上的数据被写入寻址锁存器。寻址的DMOS晶体管输出反转数据输入，所有未寻址的DMOS晶体管输出仍保持在之前的状态。在存储器模式下，所有DMOS晶体管输出都保持在之前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，在地址行更改时，启用 G 应保持高电平（非活动状态）。在 3 到 8 解码或解复用模式下，寻址输出相对于 D 输入和所有其他输入反相

输出关闭。在清除模式下，所有输出均关闭，不受地址和数据输入的影响。当给定输出的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

输出为低侧漏极开路DMOS晶体管，具有50 V的输出额定值和150 mA的连续灌电流能力。每个输出在 T 时提供 500 mA 的典型电流限制 C = 25°C。 电流限制随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。

该TPIC6B259的特点是在 -40°C 至 125°C 的工作外壳温度范围内工作。

特性

• 低 r DS（开） ...5 典型
• 雪崩能源...30 毫焦
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为
  150mA
• 500mA典型限流能力
• 输出箝位电压...50伏
• 四种不同的功能模式
• 低功耗

参数

‌1. 核心功能特性‌

• ‌器件类型‌：功率逻辑8位可寻址锁存器，集成开漏DMOS晶体管输出，专为数字系统通用存储应用设计。
• ‌关键参数‌：
  • 低导通电阻（典型值5Ω）
  • 单脉冲雪崩能量30mJ
  • 8路功率DMOS输出，连续电流150mA/路，典型限流能力500mA
  • 输出钳位电压50V
  • 四种工作模式（可寻址锁存、存储器、3-8解码/解复用、清除）

‌2. 封装与引脚配置‌

• ‌封装选项‌：DW（SOIC-20）、N（PDIP-20）
• ‌引脚功能‌：
  • 控制信号：S0-S2（地址选择）、D（数据输入）、G（使能）、CLR（清除）
  • 输出端：DRAIN0-DRAIN7（低侧开漏输出）
  • 电源：VCC（4.5-5.5V）、GND

‌3. 工作模式详解‌

‌模式‌	‌**控制条件（CLR/G/D）**‌	‌输出行为‌
可寻址锁存	H/L/H	寻址输出反相D输入，其他保持原态
存储器	H/H/X	所有输出保持原态
3-8解码/解复用	L/L/H	寻址输出反相D输入，其他关闭
清除	L/X/X	所有输出关闭

‌4. 电气特性‌

• ‌绝对最大额定值‌：
  • 逻辑电源电压：7V
  • DMOS漏源电压：50V
  • 工作温度：-40°C至125°C
• ‌典型性能‌：
  • 静态导通电阻：5Ω（ID=100mA时）
  • 传播延迟：150ns（低到高电平）

‌5. 应用场景‌

• 工作寄存器、串行保持寄存器、解码器/解复用器
• 需注意：地址线变化期间应保持G为高电平以避免误写入

‌6. 生产与封装信息‌

• 制造商：德州仪器（TI）
• 文档版本：SLIS030（1994年4月发布，1995年7月修订）
• 符合ANSI/IEEE Std 91-1984和IEC 617-12标准

‌附加说明‌：器件提供温度保护机制，电流限值随结温升高而降低，确保可靠性。