‌TPIC6B273 功率逻辑八路D型锁存器技术文档摘要

该TPIC6B273是一款单片、高压、中电流、功率逻辑八进制 D 型锁存器，具有 DMOS 晶体管输出，设计用于需要相对较高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。
*附件：tpic6b273.pdf

该TPIC6B273包含八个正边沿
触发的D型触发器，具有直接清除输入。每个触发器都具有漏极开路功率DMOS晶体管输出。

当清除（CLR）为高电平时，D输入端满足建立时间要求的信息将传输到时钟（CLK）脉冲正向沿的
DRAIN输出。时钟触发发生在特定的电压电平下，与正向脉冲的转换时间没有直接关系。当时钟输入（CLK）处于高电平或低电平时，D输入信号在输出端没有影响。提供异步CLR，用于关闭所有八个DMOS晶体管输出。当给定输出的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

输出为低侧漏极开路DMOS晶体管，具有50 V的输出额定值和150 mA的连续灌电流能力。每个输出在 T 时提供 500 mA 的典型电流限制 C = 25°C。 电流限制随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。

该TPIC6B273的特点是在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内工作。

特性

• 低 r DS（开） ...5 典型
• 雪崩能量 ...30 毫焦
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为
  150mA
• 500mA典型限流能力
• 输出箝位电压...50伏
• 低功耗

参数

‌1. 产品概述‌
TPIC6B273是德州仪器（TI）设计的高电压、中电流功率逻辑八路D型锁存器，集成DMOS晶体管输出，适用于需要较高负载功率的系统（如继电器、螺线管驱动等）。关键特性包括：

• ‌低导通电阻‌：典型值5Ω
• ‌输出保护‌：内置50V钳位电压，支持30mJ雪崩能量
• ‌电流能力‌：每路150mA连续电流，500mA典型限流能力
• ‌封装选项‌：提供SOIC（DW）和PDIP（N）两种封装

‌2. 功能描述‌

• ‌锁存逻辑‌：8个正边沿触发的D型触发器，带异步清除（CLR）输入。数据在CLK上升沿传输至输出，CLR高电平时强制所有输出关闭。
• ‌输出结构‌：开漏DMOS晶体管，支持低边驱动，输出额定50V/150mA（连续），500mA（脉冲）。

‌3. 电气特性‌

• ‌工作条件‌：逻辑电压VCC=4.5V5.5V，温度范围-40°C125°C
• ‌关键参数‌：
  • 静态导通电阻（rDS(on)）：5Ω（典型值，ID=100mA）
  • 传播延迟：tPLH=150ns（最大），tPHL=90ns（最大）
  • 反向恢复时间：trr=300ns（典型）

‌4. 热性能与可靠性‌

• ‌散热能力‌：DW封装热阻90°C/W（结到环境），需注意多路同时导通时的电流降额（见图9-10）。
• ‌绝对最大额定值‌：
  • 逻辑输入电压：-0.3V~7V
  • DMOS漏源电压：50V
  • 单脉冲雪崩能量：30mJ

‌5. 封装与订购信息‌

• ‌型号后缀‌：DW（SOIC）、N（PDIP），支持卷带（DWR）或管装（DW/N）
• ‌环保合规‌：符合RoHS标准，引脚镀层为NiPdAu