‌TPIC6B595 8位功率移位寄存器技术文档总结

TPIC6B595器件是一款单片、高压、中电流功率8位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器，该寄存器为 8 位 D 型存储寄存器供电。数据分别通过移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存储寄存器传输。
*附件：tpic6b595.pdf

当移位寄存器清除 （SRCLR） 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。写入数据和读取数据仅在 RCK 较低时有效。当SRCLR为低电平时，输入移位寄存器被清除。当输出使能（G）保持为高电平时，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有漏极输出都关闭。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲器是透明的。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。串行输出 （SER OUT） 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 50V，连续灌电流能力为 150mA。每个输出在TC = 25°C时提供500mA的典型电流限制。 电流限制随着结温的升高而降低，以提供额外的器件保护。

该TPIC6B595的特性是在−40°C至125°C的工作外壳温度范围内工作。

特性

• 低rDS（on），5Ω（典型值）
• 雪崩能量，30mJ
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为 150mA
• 输出钳位电压，50V
• 设备是可级联的
• 低功耗

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌低导通电阻‌：典型值5Ω
• ‌输出能力‌：8路功率DMOS晶体管输出，每路支持150mA连续电流，50V钳位电压
• ‌级联功能‌：支持多设备串联扩展
• ‌保护机制‌：内置30mJ雪崩能量保护，温度升高时自动降低电流限制

‌2. 关键参数‌

• ‌电气特性‌：
  • 工作电压范围：4.5V~5.5V
  • 逻辑高电平输入：≥0.85VCC
  • 静态导通电阻：4.2Ω（典型值，100mA时）
• ‌温度范围‌：-40°C至125°C

‌3. 应用场景‌

• 汽车仪表盘指示灯驱动
• LED照明控制
• 继电器/电磁阀驱动

‌4. 功能描述‌

• ‌串行输入‌：8位串入并出移位寄存器，数据在SRCK上升沿传输
• ‌输出控制‌：通过G引脚（低电平有效）启用输出缓冲
• ‌寄存器清除‌：SRCLR低电平时清空移位寄存器

‌5. 典型应用设计‌

• ‌汽车集群驱动示例‌：
  • 级联2个TPIC6B595驱动16个LED
  • 计算限流电阻公式：R = (Vbattery - VLED) / ILED
  • 电池电压波动时需考虑电流变化（如12V时20mA，9V时降至14mA）

‌6. 封装与布局‌

• ‌封装选项‌：20引脚SOIC/DW（12.8×7.5mm）或PDIP/N（25.4×6.35mm）
• ‌散热建议‌：
  • 最大化PCB铜覆盖率
  • 接地引脚下方添加散热过孔