‌TPIC6A259 8位可寻址锁存器技术文档摘要

该电源逻辑 8 位可寻址锁存器控制漏极开路 DMOS 晶体管输出，专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解码器或解复用器。这是一款多功能器件，能够作为8个可寻址锁存器或一个具有/DMOS输出的8线解复用器运行。每个漏极开路DMOS晶体管都具有独立的斩波限流电路，以防止短路时损坏。

通过控制函数表中列举的清除 （CLR） 和启用 （G） 输入，可以选择四种不同的作模式。在可寻址锁存器模式下，数据输入 （D） 端子上的数据被写入寻址锁存器。寻址的DMOS晶体管输出反转数据输入，所有未寻址的DMOS晶体管输出仍保持在之前的状态。在存储器模式下，所有DMOS晶体管输出都保持在之前的状态，不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性，在地址行更改时，启用 G 应保持高电平（非活动状态）。在8线解复用模式下，寻址输出相对于D输入反相，所有其他输出均为高电平。在清除模式下，所有输出均为高电平，不受地址和数据输入的影响。
*附件：tpic6a259.pdf

提供单独的电源接地 （PGND） 和逻辑接地 （LGND） 端子，以促进最大的系统灵活性。所有 PGND 端子均内部连接，每个 PGND 端子必须外部连接到电源系统接地，以最大限度地减少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间的单点连接必须以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式从外部进行。

该TPIC6A259采用耐热增强型双列直插式 （NE） 封装和宽体表面贴装 （DW） 封装。该TPIC6A259的特点是在 -40°C 至 125°C 的工作温度范围内工作。

特性

• 低 r DS（开） . . .1 典型值
• 输出短路保护
• 雪崩能源 . . .75 毫焦
• 8个350 mA DMOS输出
• 50V 开关能力
• 四种不同的功能模式
• 低功耗

参数

‌1. 核心功能特性‌

• ‌器件类型‌：功率逻辑8位可寻址锁存器，控制开漏DMOS晶体管输出，适用于数字系统中的通用存储应用（如工作寄存器、串行保持寄存器、解码器/解复用器）。
• ‌关键参数‌：
  • 低导通电阻（rDS(on)）：1 Ω（典型值）
  • 8路350mA DMOS输出，支持50V开关能力
  • 四种工作模式（可寻址锁存、存储、8线解复用、清除）
  • 输出短路保护，雪崩能量75mJ

‌2. 工作模式详解‌

• ‌可寻址锁存模式‌：数据输入（D）写入被寻址的锁存器，对应输出反相，其他输出保持原状态。
• ‌存储模式‌：所有输出保持原状态，不受数据和地址输入影响。
• ‌8线解复用模式‌：被寻址输出反相于D输入，其他输出为高电平。
• ‌清除模式‌：所有输出强制为高电平。

‌3. 封装与电气特性‌

• ‌封装选项‌：
  • NE（双列直插，20引脚）
  • DW（宽体表贴，24引脚）
• ‌工作温度范围‌：-40°C至125°C
• ‌电气极限值‌：
  • 逻辑电源电压（VCC）：7V
  • DMOS漏源电压（VDS）：50V
  • 单脉冲雪崩能量（EAS）：75mJ

‌4. 设计注意事项‌

• ‌接地分离‌：提供独立的功率地（PGND）和逻辑地（LGND）引脚，需外部单点连接以减少串扰。
• ‌热管理‌：
  • DW封装最大功耗1750mW（25°C时），NE封装2500mW（25°C时）。
  • 需限制结温与外壳温差（TJ-TC ≤10°C）。

‌5. 典型应用与测试数据‌

• 包含开关时间、静态导通电阻与温度关系曲线（如25°C下tPLH=125ns，rDS(on)=1Ω@350mA）。
• 提供雪崩能量测试电路及反向恢复电流波形图。