‌TPIC6A595 8位移位寄存器技术文档总结

该TPIC6A595是一款单片、高压、大电流电源逻辑8位移位寄存器，设计用于需要相对高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。每个漏极开路DMOS晶体管都具有独立的斩波限流电路，以防止短路时损坏。
*附件：tpic6a595.pdf

该器件包含一个 8 位串行输入并行输出移位寄存器，该寄存器为 8 位 D 型存储寄存器供电。数据分别通过移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除 （SRCLR） 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。写入数据和读取数据仅在 RCK 较低时有效。当SRCLR为低电平时，输入移位寄存器被清除。当输出使能（G）保持为高电平时，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有漏极输出都关断。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲器是透明的。串行输出 （SER OUT） 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。

输出为低侧开漏 DMOS 晶体管，输出额定值为 50V，连续灌电流能力为 350mA。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源接地 （PGND） 和逻辑接地 （LGND） 端子，以促进最大的系统灵活性。所有 PGND 端子均内部连接，每个 PGND 端子必须外部连接到电源系统接地，以最大限度地减少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间的单点连接必须以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式从外部进行。

该TPIC6A595采用热增强型正直插式 （NE） 封装和宽体表面贴装 （DW） 封装。该TPIC6A595的特点是在 -40 至 125°C 的工作箱温度范围内运行。

特性

• 低 rDS（on）：1Ω（典型值）
• 输出短路保护
• 雪崩能量：75mJ
• 8个350mA DMOS输出
• 50V 开关能力
• 设备是可级联的
• 低功耗

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌高性能输出‌：8路开漏DMOS晶体管输出，每路支持50V耐压及350mA连续灌电流能力，内置短路保护和75mJ雪崩能量吸收。
• ‌低功耗设计‌：典型导通电阻1Ω，逻辑与功率地分离设计降低干扰。
• ‌级联功能‌：通过SER OUT引脚支持多设备串联扩展。

‌2. 关键功能‌

• ‌数据控制‌：
  • 串行输入（SER IN）通过上升沿时钟（SRCK）移位至8位寄存器。
  • 存储寄存器在RCK上升沿锁存数据，SRCLR低电平清零寄存器。
  • 输出使能（G）控制DMOS开关，支持全局PWM调光。
• ‌保护机制‌：独立电流斩波限流电路，防止输出短路损坏。

‌3. 电气参数‌

• ‌工作条件‌：逻辑电压4.5V5.5V（超压至7V可能影响可靠性），温度范围-40°C125°C。
• ‌开关特性‌：传播延迟典型值30ns（高→低）、125ns（低→高），输出上升/下降时间60ns/30ns。

‌4. 封装与型号‌

• ‌封装选项‌：
  • PDIP-20（NE）：24.0mm×6.86mm，适合通孔安装。
  • SOIC-24（DW）：15.4mm×7.5mm，表贴封装。
• ‌型号标识‌：如TPIC6A595DW（SOIC）、TPIC6A595NE（PDIP）。

‌5. 应用场景‌

• ‌汽车电子‌：仪表盘指示灯、继电器驱动。
• ‌工业控制‌：电磁阀、电机驱动。
• ‌LED系统‌：多路照明控制与调光。

‌6. 设计注意事项‌

• ‌布局建议‌：功率地（PGND）与逻辑地（LGND）单点连接以降低噪声。
• ‌热管理‌：PDIP封装最大功耗2.5W（25°C时），需根据工况降额使用。

‌7. 文档支持‌

• 提供详细时序图、热阻曲线及测试电路，涵盖雪崩能量、反向恢复电流等参数测量方法。