该电源逻辑 8 位可寻址锁存器控制漏极开路 DMOS 晶体管输出,专为数字系统中的通用存储应用而设计。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解码器或解复用器。这是一款多功能器件,能够将单线数据存储在八个可寻址锁存器中,具有 3 到 8 个解码或解复用模式/DMOS 输出。
通过控制函数表中列举的清除 (CLR) 和启用 (G) 输入,可以选择四种不同的作模式。在可寻址锁存器模式下,数据输入 (D) 端子上的数据被写入寻址锁存器。寻址的DMOS晶体管输出反转数据输入,所有未寻址的DMOS晶体管输出仍保持在之前的状态。在存储器模式下,所有DMOS晶体管输出都保持在之前的状态,不受数据或地址输入的影响。为了消除在锁存器中输入错误数据的可能性,在地址行更改时,启用 G 应保持高电平(非活动状态)。在3-8解码或解复用模式下,寻址输出相对于D输入反相,所有其他输出均为高电平。在清除模式下,所有输出均为高电平,不受地址和数据输入的影响。
*附件:tpic6259.pdf
提供单独的电源和逻辑电平接地引脚,以促进最大的系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 是内部连接的,每个引脚必须从外部连接到电源系统接地,以最大限度地减少寄生电感。引脚 9 逻辑接地 (LGND) 与引脚 1、10、11 和 20 电源接地 (PGND) 之间的单点连接必须以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式进行外部连接。
该TPIC6259的特点是在 -40°C 至 125°C 的工作外壳温度范围内工作。
特性
参数
1. 产品概述
TPIC6259是德州仪器(TI)推出的功率逻辑器件,集成了8个开漏DMOS晶体管输出,专为数字系统中的通用存储应用设计。主要特点包括:
2. 关键特性
3. 功能模式(通过CLR和G输入控制)
| 模式 | CLR | G | D | 输出行为 |
|---|---|---|---|---|
| 可寻址锁存 | L | H | L/H | 寻址输出反相,其他保持原状态 |
| 存储模式 | H | H | X | 所有输出保持原状态 |
| 3-8解码/解复用模式 | L | L | L/H | 寻址输出反相,其他输出高电平 |
| 清除模式 | H | L | X | 所有输出强制高电平 |
4. 应用场景
5. 设计注意事项
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