TPIC6595 8位功率移位寄存器技术文档摘要

该TPIC6595是一款单片、高压、大电流功率的8位移位寄存器，设计用于需要相对较高负载功率的系统。该器件在输出端包含一个内置电压钳位，用于电感瞬态保护。功率驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中电流或高压负载。

该器件包含一个 8 位串行输入、并行输出移位寄存器，该寄存器为 8 位 D 型存储寄存器供电。数据分别通过移位寄存器时钟 （SRCK） 和寄存器时钟 （RCK） 上升沿的移位寄存器和存储寄存器传输。当移位寄存器清除 （SRCLR） 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。写入数据和读取数据仅在 RCK 较低时有效。当SRCLR为低电平时，输入移位寄存器被清除。当输出使能（G）保持为高电平时，输出缓冲器中的所有数据都保持为低电平，并且所有漏极输出都关断。当G保持低电平时，来自存储寄存器的数据对输出缓冲器是透明的。串行输出 （SER OUT） 允许将数据从移位寄存器级联到其他器件。
*附件：tpic6595.pdf

输出为低侧漏极开路DMOS晶体管，输出额定值为45V，连续灌电流能力为250mA。当输出缓冲器中的数据为低电平时，DMOS晶体管输出关断。当数据为高电平时，DMOS晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源和逻辑电平接地引脚，以促进最大的系统灵活性。引脚 1、10、11 和 20 是内部连接的，每个引脚必须从外部连接到电源系统接地，以最大限度地减少寄生电感。引脚 19 逻辑接地 （LGND） 和引脚 1、10、11 和 20 电源接地 （PGND） 之间的单点连接必须以减少逻辑和负载电路之间串扰的方式进行外部连接。该TPIC6595的特性是在−40°C至125°C的工作外壳温度范围内工作。

特性

• 低 rDS（on）：1.3Ω 典型值
• 雪崩能量：75mJ
• 八个功率 DMOS 晶体管输出，连续电流为 250mA
• 每个输出 1.5A 脉冲电流
• 45V 时的输出钳位电压
• 设备可以级联
• 低功耗

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

• ‌低导通电阻‌：典型值1.3Ω，支持高效功率传输
• ‌高电流输出‌：8路开漏DMOS晶体管，每路250mA连续电流/1.5A脉冲电流
• ‌电压保护‌：集成45V输出钳位，75mJ雪崩能量保护
• ‌级联功能‌：通过SER OUT引脚支持多设备串联
• ‌宽温工作‌：-40°C至125°C工业级温度范围

‌2. 典型应用‌

• 汽车电子：仪表盘集群、指示灯驱动
• 工业控制：继电器/电磁阀驱动
• LED照明：多通道LED矩阵控制

‌3. 关键功能描述‌

• ‌双寄存器架构‌：8位串入并出移位寄存器 + 8位D型存储寄存器
  • 数据在SRCK上升沿移位，RCK上升沿锁存
  • SRCLR低电平清除寄存器
• ‌输出控制‌：
  • G引脚高电平时关闭所有输出
  • 支持PWM全局调光
• ‌级联设计‌：通过SER IN/SER OUT实现设备扩展

‌4. 电气参数要点‌

参数	条件	典型值
工作电压	VCC	4.5-5.5V
导通电阻	ID=250mA	1.3Ω
传输延迟	CL=30pF	650ns
功耗	八路全开	≤1125mW

‌5. 封装选项‌

• ‌SOIC-20‌ (12.8×7.5mm)
• ‌PDIP-20‌ (25.4×6.35mm)

‌6. 设计注意事项‌

• 需单独连接逻辑地(LGND)与功率地(PGND)以降低干扰
• 工作电压低于4.5V时性能不保证
• 长期超5.5V工作可能影响可靠性