‌TPS65295 DDR4内存电源解决方案技术文档总结

TPS65295器件以最低的总成本和最小的空间为 DDR4 内存系统提供完整的电源解决方案。它符合 DDR4 上电和断电序列要求的 JEDEC 标准。该TPS65295集成了两个同步降压转换器（VPP 和 VDDQ）以及一个 1A 灌电流和源极跟踪 LDO （VTT） 以及一个缓冲低噪声基准电压源 （VTTREF）。该TPS65295采用D-CAP3™模式和600kHz开关频率，易于使用，瞬态快速，并支持陶瓷输出电容器，无需外部补偿电路。

VTTREF 跟踪 1/2 VDDQ，精度极高，精度极高，为 0.8%。VTT提供1A灌电流和源极连续电流功能，只需要10μF的陶瓷输出电容。
*附件：tps65295.pdf

该TPS65295提供了丰富的功能和出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高阻，在S4/S5状态下放电VDDQ、VTT和VTTREF。还提供 OVP、UVP、OCP、UVLO 和热关断保护。该器件采用耐热增强型 18 引脚 HotRod™ VQFN 封装，设计用于在 –40°C 至 125°C 结温范围内工作。

特性

• 同步降压转换器 （VDDQ）
  • 输入电压范围：4.5 V 至 18 V
  • 输出电压固定为 1.2 V
  • D-CAP3™ 模式控制，实现快速瞬态响应
  • 连续输出电流：8 A
  • 高级 Eco 模式™脉冲跳跃
  • 集成 22mΩ 和 8.6mΩ R DS（开） 内部电源开关
  • 600 kHz 开关频率
  • 内部软启动：1.6 ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV 和紫外线防护
• 同步降压转换器 （VPP）
  • 输入电压范围：3 V 至 5.5 V
  • 输出电压固定为 2.5 V
  • D-CAP3™ 模式控制，实现快速瞬态响应
  • 连续输出电流：1 A
  • 高级 Eco 模式™脉冲跳跃
  • 集成 150mΩ 和 120mΩ R DS（开） 内部电源开关
  • 580kHz 开关频率
  • 内部软启动：1 ms
  • 逐周期过流保护
  • 锁存输出 OV 和紫外线防护
• 1-A LDO（VTT）
  • 1-A 连续灌电流和源电流
  • 仅需要 10 μF 的陶瓷输出电容器
  • 在 S3 中支持高 z
  • ±30 mV VTT 输出精度 （DC+AC）
• 缓冲引用 （VTTREF）
  • 缓冲、低噪声、±10mA 能力
  • 0.8% 输出精度
• 低静态电流：150 μA
• 电源良好指示灯
• 输出放电功能
• 上电和断电排序控制
• 用于 OT 和 UVLO 保护的非锁存
• 18引脚3.0mm×3.0mm HotRod™ VQFN封装

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
TPS65295是德州仪器（TI）推出的完整DDR4内存电源解决方案，集成以下核心模块：

• ‌双同步降压转换器‌：
  • ‌VDDQ‌：固定1.2V输出，输入电压4.5V-18V，持续电流8A，采用D-CAP3™控制模式，开关频率600kHz。
  • ‌VPP‌：固定2.5V输出，输入电压3V-5.5V，持续电流1A，开关频率580kHz。
• ‌ 1A LDO（VTT） ‌：支持1A持续灌/拉电流，输出精度±30mV（DC+AC）。
• ‌ 缓冲参考电压（VTTREF） ‌：跟踪½ VDDQ电压，精度0.8%。

‌2. 关键特性‌

• ‌高效控制‌：D-CAP3™模式支持快速瞬态响应，无需外部补偿电路。
• ‌低功耗‌：静态电流仅150µA，支持Advanced Eco-mode™轻载脉冲跳跃。
• ‌保护功能‌：过压（OVP）、欠压（UVP）、过流（OCP）、热关断（TSD）及电源序列控制。
• ‌封装‌：18引脚3.0mm×3.0mm HotRod™ VQFN，工作温度-40°C至125°C。

‌3. 应用场景‌

• DDR4内存供电（笔记本、PC、服务器、超极本、单板计算机等）。
• 符合JEDEC DDR4上电/掉电时序要求。

‌4. 功能详解‌

• ‌电源管理‌：支持S0（全开）、S3（VTT高阻）、S4/S5（全关放电）状态控制。
• ‌软启动‌：VDDQ（1.6ms）、VPP（1ms）内置软启动时间。
• ‌Power Good信号‌：通过PGOOD引脚指示输出电压状态（90%-110%范围）。

‌5. 设计建议‌

• ‌布局‌：推荐4层PCB，关键元件靠近引脚放置，减少开关节点干扰。
• ‌元件选型‌：
  • ‌电感‌：VDDQ推荐0.47-0.68µH，VPP推荐3.3-6.8µH。
  • ‌电容‌：VDDQ输出88-132µF，VTT需10µF陶瓷电容。
  • ‌输入电容‌：PVIN需30µF，PVIN_VPP需10µF。

‌6. 典型性能‌

• ‌效率‌：VDDQ在12V输入、8A负载下效率＞90%，VPP在5V输入、1A负载下＞85%。
• ‌瞬态响应‌：VDDQ（1.6A→8A）波动±60mV，VPP（0→1A）波动±125mV。

‌7. 安全与认证‌

• ESD防护：HBM ±2000V，CDM ±500V。
• 环保标准：符合RoHS无铅要求。