‌TPS7H3301-SP 辐射硬化3A DDR终端稳压器技术文档总结

TPS7H3301-SP 是一款 TID 和 SEE 抗辐射双倍数据速率 （DDR） 3A 终端稳压器，内置 VTTREF 缓冲器。该稳压器专门设计用于为单板计算机、固态记录仪和有效载荷处理等空间 DDR 终端应用提供完整、紧凑、低噪声的解决方案。

TPS7H3301-SP 支持使用 DDR、DDR2、DDR3、DDR4 的 DDR VTT 端接应用。TPS7H3301-SP VTT 稳压器的快速瞬态响应允许在读/写条件下提供非常稳定的电源。在瞬变期间，VTTREF电源的快速跟踪功能可最大限度地减少VTT/Vo和VTTREF之间的任何电压偏移。为了实现简单的电源排序，TPS7H3301-SP中集成了使能输入和电源良好输出（PGOOD）。PGOOD输出是漏极开路的，因此可以连接到多个漏极开路输出，以监控所有电源何时进入稳压状态。使能信号还可用于在挂起至 RAM （S3） 掉电模式下放电 VTT/Vo。
*附件：tps7h3301-sp.pdf

特性

• 5962R14228（1）：
  • 辐射硬度保证 （RHA） 符合总电离剂量 （TID） 100 krad（Si）
  • 单事件闩锁 （SEL）、单事件栅极破裂 （SEGR）、单事件烧毁 （SEB） 不受 LET 影响 = 70 MeV-cm2/mg（2）
  • 单事件瞬态 （SET）、单事件功能中断 （SEFI） 和单事件扰动 （SEU） 表征为 70 MeV-cm2/mg（2）
• 支持 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 端接应用
• 输入电压：支持2.5V和3.3V电源轨（3）
• 低至0.9 V的独立低压输入（VLDOIN），可提高电源效率（3）
• 3-A 灌电流和源端接稳压器包括压降补偿
• 为电源排序启用输入和电源良好输出
• VTT端接稳压器
  • 输出电压范围：0.5 至 1.75 V
  • 3A 灌电流和源电流
• 带检测输入的集成精密分压器网络
• 遥感 （VTTSNS）
• VTTREF 缓冲引用
  • VDDQSNS 精度为 49% 至 51% （±3 mA）
  • ±10mA 灌电流和源电流
• 集成欠压锁定 （UVLO） 和过流限制 （OCL） 功能

参数

方框图

‌1. 产品概述‌
TPS7H3301-SP是一款专为太空应用设计的辐射硬化双数据速率（DDR）终端稳压器，支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L/DDR4内存终端供电。核心特性包括：

• ‌辐射防护‌：通过100 krad(Si)总电离剂量（TID）认证，抗单粒子闩锁（SEL）、烧毁（SEB）等功能中断（SEFI）至LET=70 MeV-cm²/mg。
• ‌高精度输出‌：集成VTTREF缓冲器，输出电压范围0.5~1.75 V，精度达±3 mA（49%~51% VDDQSNS）。
• ‌电流能力‌：3A源/吸电流，支持快速瞬态响应，适用于读写操作中的稳定供电。

‌2. 关键参数‌

• ‌输入电压‌：2.5V/3.3V主电源（VDD/VIN），VLDOIN低至0.9 V以提升能效。
• ‌保护功能‌：欠压锁定（UVLO）、过流限制（OCL）、热关断（210°C阈值）。
• ‌封装‌：16引脚CFP陶瓷封装（9.6×11.0 mm），重量1.55 g，支持-55°C至125°C工作温度。

‌3. 应用场景‌

• ‌航天电子‌：单板计算机、固态记录器、载荷处理系统。
• ‌终端配置‌：通过远程检测（VTTSNS）和功率良好信号（PGOOD）实现精确电压跟踪与时序控制。

‌4. 设计要点‌

• ‌布局建议‌：输入/输出电容需就近放置以降低ESR/ESL影响，VTTSNS需独立走线以减少压降误差。
• ‌热管理‌：需通过多通孔连接散热焊盘至地层，确保功率耗散（如DDR3应用中最大3A电流时需300mV VLDOIN-VTT裕量）。

‌5. 文档更新‌

• ‌修订历史‌：2024年9月更新测试条件、电气特性（如VTTSNS测试范围扩展至±1A）及热性能计算。

‌6. 支持资源‌

• 提供EVM评估板（TPS7H3301EVM-CVAL）及辐射测试报告（SLAK008），详细设计参考用户指南SLVUAK2。