LMK1D2104L 系列超低附加抖动LVDS缓冲器技术文档总结

描述

LMK1D210xL 是一款低噪声双时钟缓冲器,可将一个输入分配给最多 2 (LMK1D2102L)、4 (LMK1D2104L)、6 (LMK1D2106L) 或 8 (LMK1D2108L) 个 LVDS 输出。输入可以是 LVDS、LVPECL、HCSL、CML 或 LVCMOS。

LMK1D210xL 专为驱动 50Ω 传输线而设计。在单端模式下驱动输入时,向未使用的负输入引脚施加适当的偏置电压。
*附件:lmk1d2104l.pdf

LMK1D210xL 缓冲器为不同的工作电源提供两种输出共模作(0.7V 和 1.2V)。该器件为直流耦合模式应用提供了设计灵活性。

AMP_SELA/AMP_SELB控制引脚可用于选择不同的输出幅度LVDS(350mV)或升压LVDS(500mV)。除了幅度选择外,还可以使用同一引脚禁用输出。

该器件还支持时钟和数字输入引脚的故障安全输入功能。该器件还集成了输入迟滞,可防止在没有输入信号的情况下输出随机振荡。

特性

  • 高性能LVDS时钟缓冲器系列:高达2GHz
    • 双 1:2 差分缓冲器
    • 双 1:4 差分缓冲器
    • 双 1:6 差分缓冲器
    • 双 1:8 差分缓冲器
  • 电源电压:1.71V 至 3.465V
  • 双输出共模电压作:
    • 输出共模电压:1.8V电源电压时为0.7V。
    • 输出共模电压:2.5V/3.3V电源电压时为1.2V
  • 低附加抖动:
    • < 1250.25MHz时,12kHz至20MHz(典型值为17fs RMS)
    • < 625MHz时,12kHz至20MHz(典型值为22fs RMS)
    • < 12kHz至20MHz(156.25MHz)时最大60fs RMS
    • 极低的本底相位噪声:-164dBc/Hz(典型值为156.25MHz)
  • 极低的传播延迟:最大< 575ps
  • 输出偏斜:
    • 最大15ps(LMK1D2102、LMK1D2104)
    • 最大20ps(LMK1D2106、LMK1D2106)
  • 零件到零件偏斜:150ps
  • 高摆幅LVDS(升压模式):AMP_SELA时典型值为500mV VOD,AMP_SELB=浮动
  • 使用 AMP_SELA 和 AMP_SELB 启用/禁用银行
  • 故障安全输入作
  • 通用输入接受 LVDS、LVPECL、LVCMOS、HCSL 和 CML 信号电平
  • LVDS 基准电压,VAC_REF,可用于电容耦合输入
  • 扩展的工业温度范围:–40°C 至 105°C

参数
输入信号

方框图
输入信号

1. 产品概述
LMK1D210xL是德州仪器(TI)推出的高性能LVDS时钟缓冲器家族,包含四款型号:

  • LMK1D2102L‌(双1:2差分缓冲器)
  • LMK1D2104L‌(双1:4差分缓冲器)
  • LMK1D2106L‌(双1:6差分缓冲器)
  • LMK1D2108L‌(双1:8差分缓冲器)

核心特性‌:

  • 超低附加抖动‌:典型值低至17fs RMS(12kHz–20MHz频段,1250.25MHz频率)。
  • 宽电压支持‌:1.71V至3.465V供电,兼容1.8V/2.5V/3.3V系统。
  • 双输出共模电压‌:0.7V(1.8V供电)或1.2V(2.5V/3.3V供电)。
  • 高速性能‌:支持高达2GHz输入频率,传播延迟<575ps。
  • 灵活输入兼容性‌:支持LVDS、LVPECL、HCSL、CML及LVCMOS信号电平。

2. 关键参数

  • 抖动性能‌:
    • 156.25MHz时最大60fs RMS,625MHz时22fs RMS,1250.25MHz时17fs RMS。
  • 输出特性‌:
    • 差分输出电压幅度:350mV(标准模式)或500mV(增强模式)。
    • 输出偏斜:≤20ps(同型号内),器件间偏斜≤150ps。
  • 功耗‌:
    • 100MHz全输出启用时,典型电流80mA(LMK1D2102L)至160mA(LMK1D2108L)。

3. 应用场景

  • 电信与网络设备
  • 医疗成像系统
  • 测试测量仪器
  • 无线基础设施
  • 专业音视频及数字标牌

4. 功能描述

  • 输入处理‌:支持差分/单端输入,内置失效保护功能,防止无输入信号时输出振荡。
  • 输出控制‌:通过AMP_SELx引脚选择输出幅度(350mV/500mV)或禁用输出以降低功耗。
  • 热管理‌:采用带裸露焊盘的VQFN封装,需通过PCB散热设计控制结温≤135°C。

5. 设计建议

  • 电源去耦‌:每个电源引脚配置0.1μF高频旁路电容,建议串联铁氧体磁珠抑制高频噪声。
  • 布局优化‌:缩短高频信号路径,热焊盘需焊接至PCB地平面以增强散热。
  • 终端匹配‌:未使用的输出建议用100Ω差分端接以优化信号完整性。

6. 封装信息

  • LMK1D2102L‌:16引脚VQFN(3mm×3mm)
  • LMK1D2104L‌:28引脚VQFN(5mm×5mm)
  • LMK1D2106L‌:40引脚VQFN(6mm×6mm)
  • LMK1D2108L‌:48引脚VQFN(7mm×7mm)

7. 文档支持

  • 提供评估板用户指南、热设计应用笔记等配套资源,可通过TI官网获取更新通知。
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