这款 25 位 1:1 或 14 位 1:2 可配置寄存器缓冲器设计用于 1.7V 至 1.9V VCC 工作。在 1:1 引脚配置中,每个 DIMM 只需要一个器件即可驱动 9 个 SDRAM 负载。在 1:2 引脚配置中,每个 DIMM 需要两个器件来驱动 18 个 SDRAM 负载。
所有输入均SSTL_18,但复位 (RESET) 和控制 (Cn) 输入除外,它们是 LVCMOS。所有输出均为边沿控制电路,针对未端接的DIMM负载进行了优化,并符合SSTL_18规格。
*附件:sn74sstub32864.pdf
SN74SSTUB32864采用差分时钟(CLK和CLK)工作。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点上记录。
C0输入控制1:2引脚排列的引脚配置,从寄存器A配置(低电平时)到寄存器B配置(高电平时)。C1输入控制引脚配置,从25位1:1(低电平时)到14位1:2(高电平时)。正常运行期间不应切换 C0 和 C1。它们应硬连线到有效的低电平或高电平,以将寄存器配置为所需模式。在 25 位 1:1 引脚配置中,A6、D6 和 H6 端子被驱动为低电平,并且是不使用(DNU)引脚。
在DDR2 RDIMM应用中,RESET被指定为相对于CLK和CLK完全异步。因此,无法保证两者之间的时间关系。进入复位时,寄存器被清除,数据输出相对于禁用差分输入接收器所需的时间快速驱动为低电平。然而,当复位结束时,寄存器相对于使能差分输入接收器所需的时间迅速变为活动状态。只要数据输入为低电平,并且时钟在RESET从低到高转换到输入接收器完全使能期间保持稳定,SN74SSTUB32864的设计就可以确保输出保持低电平,从而确保输出上不会出现毛刺。
为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出,在上电期间必须将RESET保持在低电平状态。
该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时,差分输入接收器被禁用,未驱动(浮动)数据、时钟和基准电压(V 裁判 ) 输入。此外,当RESET为低电平时,所有寄存器都被复位,所有输出都强制为低电平,QERR除外。LVCMOS RESET和Cn输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。
该器件还通过监控系统芯片选择(DCS 和 CSR)输入来支持低功耗有源作,并在 DCS 和 CSR 输入均为高电平时将 Qn 输出门控使其状态不变。如果DCS或CSR输入为低电平,则Qn输出正常工作。RESET输入优先于DCS和CSR控制,当驱动为低电平时,强制Qn输出为低电平。如果不需要DCS控制功能,则可以将CSR输入硬接线到地,在这种情况下,DCS的建立时间要求与其他D数据输入相同。要仅使用DCS控制低功耗模式,应将CSR输入上拉至VCC通过上拉电阻器。
两个V裁判引脚(A3 和 T3)在内部连接在一起大约 150 个。但是,需要只连接两个 V 中的一个裁判引脚连接到外部V裁判电源。未使用的 V裁判引脚应以 V 结尾裁判耦合电容器。
特性
参数

1. 产品概述
2. 关键特性
3. 电气特性
4. 封装与订购信息
5. 应用注意事项
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