Texas Instruments TPS7A15 LDO稳压器提供出色的瞬态响应和400mA拉电流，具有出色的交流性能（负载和线路瞬态响应）。该器件具有0.7V至2.2V输入电压范围和0.5V至2.05V输出范围，在整个负载、线路和温度范围内具有非常高的精度（1%）。

数据手册：*附件：Texas Instruments TPS7A15 LDO稳压器数据手册.pdf

该器件的主电源路径通过IN引脚，可连接至电压至少高于输出电压50mV的电源。所有电气特性（包括出色的输出电压容差、瞬态响应和PSRR）均针对输入电压（比输出电压高100mV）进行规定，可实现高效率。TPS7A15使用一个为LDO内部电路供电的外部较高VBIAS电压轨，支持很低的输入电压。

TPS7A15配备了一个有源下拉电路，用于在输出处于禁用状态时使其快速放电，并提供已知的启动状态

TPS7A15采用超小型0.71mm × 1.0mm 、6凸点DSBGA封装，设计用于空间受限的应用。

特性

• 超低输入电压范围：0.7V至2.2V
• 高效率：
  • 压差：80mV（最大值，400mA时）
  • 额定VIN = VOUT + 100 mV
• 出色的负载瞬态响应（20mV，ILOAD 1mA至250mA，10μs）
• +1%，–1.1%精度（负载、线路、温度）
• 高PSRR：84dB（1kHz时）
• 提供固定输出电压：0.5V至2.05V（阶跃25mV）
• VBIAS范围：2.2V至5.5V
• 6引脚、1mm x 0.71 mm DSBGA封装
• 有源输出放电

典型应用电路

框图

TPS7A15超低压差LDO稳压器技术解析与应用指南

一、产品概述

TPS7A15是德州仪器(TI)推出的一款超低输入电压、超低压差的线性稳压器(LDO)，具有以下突出特性：

• ‌超宽输入范围‌：0.7V至2.2V工作电压
• ‌超低压差‌：400mA负载时仅80mV(最大值)
• ‌超高精度‌：全温度范围内±1.1%输出精度
• ‌双电源架构‌：支持VBIAS(2.2-5.5V)辅助供电
• ‌微型封装‌：提供1mm×0.71mm WCSP和2mm×2mm WSON封装

‌典型应用场景‌：

• 智能穿戴设备(手表/耳机)
• 手机/平板相机模块
• 便携式医疗设备
• SSD固态硬盘供电

二、关键技术创新

2.1 双电源架构设计

TPS7A15采用创新的双电源架构：

• ‌主电源路径‌(IN引脚)：支持低至VOUT+50mV的输入电压
• ‌偏置电源‌(BIAS引脚)：为内部电路提供独立供电
• ‌优势‌：主路径可采用高效DC/DC输出，BIAS接电池，实现最佳能效

2.2 超低压差性能

在400mA负载时：

• ‌VIN压差‌：典型值31mV(最大值80mV)
• ‌VBIAS压差‌：典型值1V(最大值1.3V)
• ‌效率优势‌：VIN仅需比VOUT高100mV即可维持全性能

2.3 动态响应优化

• ‌负载瞬态响应‌：1mA→250mA阶跃仅20mV波动
• ‌PSRR性能‌：
  • 1kHz时84dB(3mA负载)
  • 1MHz时仍保持65dB
• ‌快速启动‌：EN使能至95%VOUT仅需200μs

三、引脚功能详解

‌ 6引脚配置(WCSP/WSON封装) ‌：

引脚	名称	功能描述
OUT	输出	需接≥1μF陶瓷电容(推荐2.2μF)，布局时尽量靠近引脚
IN	输入	需接≥0.75μF陶瓷电容，建议使用2.2μF以上电容优化瞬态响应
SENSE	检测	连接至负载端可消除走线电阻导致的压降误差
EN	使能	高电平有效(≥0.6V)，不用时可接IN或BIAS
GND	地	必须良好接地，WSON封装的热焊盘需连接至地平面
BIAS	偏置	建议接0.1μF陶瓷电容，布局时尽量靠近引脚

四、典型应用设计

4.1 电源方案设计

‌推荐参数‌：

• 输入电容(CIN)：≥2.2μF X7R/X5R陶瓷电容
• 输出电容(COUT)：≥2.2μF 低ESR陶瓷电容
• 偏置电容(CBIAS)：0.1μF陶瓷电容
• PCB布局：所有去耦电容需在3mm范围内

4.3 保护功能配置

• ‌电流限制‌：450-1100mA可折返式保护
• ‌热关断‌：165°C触发，140°C恢复
• ‌主动放电‌：EN禁用时36Ω下拉电阻(仅P版本)
• ‌UVLO保护‌：
  • VIN欠压锁定：584-623mV(上升/下降)
  • VBIAS欠压锁定：1.15-1.7V(上升/下降)

五、设计注意事项

1. ‌压差模式操作‌：
   • 当VIN < VOUT + VDO时进入压差模式
   • 此时PSRR和瞬态性能会下降
   • 恢复时可能出现输出电压过冲
2. ‌启动时序要求‌：
   • VIN/VBIAS/EN可任意顺序上电
   • 建议EN最后使能以优化启动特性
3. ‌布局指南‌：
   • 采用完整地平面
   • 关键信号远离高频干扰源
   • WSON封装需充分利用热焊盘
4. ‌电容选择‌：
   • 避免使用Y5V材质电容
   • 实际有效容量按标称值50%计算