森国科SG8410B高电压线性稳压器介绍

SG8410B高电压线性稳压器----一颗在100V输入下仍可稳定输出50mA的“小身材、大能量”LDO。它用23µA超低静态电流、±1.5%输出精度、160°C热关断及短路保护，重新定义了“高压、低耗、高可靠”的电源边界，为工程师提供前所未有的设计自由度。

01三大创新性能，直击高压供电痛点

100V连续耐压 + 110V瞬态生存

无需前级TVS或降压模块，一颗LDO直接挂母线，节省BOM与面积。

23µA静态电流 / 8µA关断电流

电池、超级电容、能量采集系统可“歇人不歇芯”，待机寿命延长3倍-5倍。

50mA带载下仅2.8V压差，±1.5%全温区精度

给后级MCU、运放、隔离电源提供干净、精准、低噪的辅助电源，EMI一次性通过。

02目标市场与应用场景

工业自动化——“传感器+执行器”双供电

24V/36V/48V导轨PLC、IO-Link、阀岛、编码器，传统方案需DC-DC+二阶LDO两级转换。SG8410B可直接由36V母线生成3.3V/5V，纹波<20mV，省去开关噪声与补偿烦恼，整机待机<0.5W，轻松过Energy Star。

智能照明——“交流掉电维持”黑科技

220V经整流后母线高达120V，灯具需维持BLE/Zigbee模块3s以上掉电上报。SG8410B 100V输入+10µA级静态电流，让维持电容体积缩小一半，灯头温度降低8℃，寿命翻倍。

以太网供电（PoE）——“PD端辅助电源”

PoE++（90W）PSE输出54V，PD需给MCU、数字隔离器、eFuse提供12V/5V偏置。SG8410B从54V直接取电，50mA足以驱动光耦与继电器；短路时120mA精准限流，保护PSE不被拉回。

物联网传感器——“电池+能量采集”混合供电

4～20mA回路、NB-IoT水表、风电塔振动监测，往往只有200µA平均预算。SG8410B 23µA静态电流，比常规高压LDO低60%，让同一节ER18505电池多工作5年，现场维护成本直降40%。

车载12V/24V系统——“抛负载”生存者

ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms抛负载测试，SG8410B 110V瞬态耐压无需额外TVS，直接为CAN/LIN收发器、车规MCU提供5V待机电源，简化AEC-Q100外围，缩短开发周期30%。

03设计友好，方便使用   

SOT23-5L 3*3mm，0.95mm脚距，兼容自动光学检测  

外围仅4颗阻容：CIN≥0.47µF、COUT≥2.2µF，R1/R2任意设定1.8～12V输出 

内置补偿，无需ESR折中；支持铝电解/陶瓷/钽电容，Layout“一线到底”  

-40~105°C工业级温区，160℃热关断+140℃回滞，终身免校准

PCB Layout 指导

CIN和 COUT 离 LDO 尽可能近，一般推荐 CIN=COUT在 1uF-10uF 之间，需要注意输入电容耐压值。

LDO 输入端建议串联 10Ω左右的电阻，以吸收前级输入尖峰电压。

尽量大的铺地面积，可以提高抗干扰性，增加 LDO 散热性能。

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V、1200V 和碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，成功推出了单相BLDC散热风扇电机系列和三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司！