TPS50601A-SP Buck Converter评估模块深度解析

描述

Texas Instruments TPS50601ASPEVM-S转换器评估模块 (EVM) 设计用于获取TPS5061A-SP的各种特性。TPS50601A-SP是一款辐射硬化型6.3V、6A同步降压转换器,通过高效集成高侧和低侧MOSFET进行了小尺寸设计优化。通过电流模式控制进一步节省空间,从而降低元件数量,并且高开关频率减少了电感器占位面积。Texas Instruments TPS50601ASPEVM-S的布局方便客户按用户需求修改配置,并针对不同的输入、输出电容器和输出电感器进行调整。

数据手册:*附件:Texas Instruments TPS50601ASPEVM-S转换器评估模块数据手册.pdf

特性

  • 辐射硬化型同步降压转换器,采用散热增强型封装
  • 逐周期电流限制实现电流模式控制
  • 逻辑电路的分路输入电压VIN 和MOSFET的分路输入电压PVIN
  • 灵活的开关频率(从100kHz到1Mhz
  • 通过外部电容器可调节软启动时间

板布局

转换器

TPS50601A-SP Buck Converter评估模块深度解析

一、产品概述

Texas Instruments的TPS50601ASPEVM-S是一款用于评估TPS50601A-SP同步降压转换器性能的开发模块。该评估板基于TPS50601A-SP芯片设计,具有以下显著特点:

  • 宽输入电压范围‌:3V至6.3V(PVIN=VIN配置)
  • 高输出电流‌:最大6A连续输出
  • 可调输出电压‌:通过外部电阻网络配置(默认2.5V)
  • 开关频率‌:100kHz(可调至1MHz)
  • 高效率设计‌:峰值效率达95%(VIN=5V,VOUT=2.5V,1A负载时)

二、关键性能参数

根据测试数据,模块在25°C环境温度下表现如下:

参数测试条件典型值
输入电压范围PVIN=VIN4.5-6.3V
启动电压无负载4.5V
关断电压无负载4.3V
输出电压精度VIN=5V2.49V
峰值效率VIN=5V, IOUT=1A95%
负载调整率0-6A±0.7%

三、硬件配置与设计

3.1 功率架构

评估板采用四层PCB设计(2oz铜厚),包含:

  • 输入滤波电路‌:多颗22μF陶瓷电容(C8-C13)并联
  • 功率转换电路‌:集成MOSFET的TPS50601A-SP芯片
  • 输出滤波电路‌:330μF聚合物钽电容(C7)搭配4.7μH电感(L1)

3.2 关键配置选项

  1. 输出电压设置‌:
    • 通过R21(10kΩ)和R22(4.7kΩ)电阻分压网络设定
    • 计算公式:VOUT = 0.804V × (1 + R22/R21)
    • 常见配置:
      • 1.2V输出:R22=20kΩ
      • 1.8V输出:R22=8.06kΩ
      • 3.3V输出:R22=3.2kΩ
  2. 使能控制‌:
    • J3跳线连接EN至GND可禁用输出
    • 默认通过R13(10kΩ)和R15(3.4kΩ)设置UVLO阈值
  3. 缓启动时间‌:
    • 由C1(0.01μF)设定,计算公式:Tss = (C1 × 0.804V)/2μA
    • 默认4ms启动时间

四、PCB布局要点

  1. 层叠结构‌:
    • 顶层:主功率走线(PVIN/VIN/VOUT)
    • 第二层:完整地平面
    • 第三层:信号走线
    • 底层:辅助地平面
  2. 关键布局原则‌:
    • 输入电容(C8-C13)尽可能靠近IC放置
    • 电压设定分压电阻靠近FB引脚
    • 功率地(PGND)与信号地(AGND)单点连接
    • IC底部添加多个散热过孔(连接各层地平面)
  3. 热管理‌:
    • 采用20引脚HKW封装(带裸露散热垫)
    • 底层铜箔作为辅助散热路径

五、典型测试结果

  1. 效率曲线‌:
    • 峰值效率95% @1A负载
    • 6A满载时效率约88%
  2. 动态响应‌:
    • 3mA→5A负载阶跃时输出电压偏差<50mV
    • 环路带宽:约15kHz(相位裕度60°)
  3. 纹波性能‌:
    • 输出纹波:<20mVpp @6A(20MHz带宽限制)
    • 输入纹波:<50mVpp @6A

六、应用设计指南

  1. 元件选型建议‌:
    • 电感‌:推荐4.7μH/9.4A饱和电流
    • 输出电容‌:低ESR聚合物钽电容(330μF/10V)
    • 补偿网络‌:R16=2.26kΩ, C14=33nF, C6=680pF
  2. 辐射敏感设计‌:
    • 采用星型接地策略
    • 敏感信号远离高频开关节点
    • 增加局部去耦电容(C20=0.1μF)
  3. 高可靠性设计‌:
    • 所有元件符合AEC-Q200标准
    • 关键电阻采用0.1%精度(R21/R22)
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