Texas Instruments LM516x/LM516x-Q1同步降压转换器设计用于在宽输入电压范围内进行调节,最大限度地减少对外部浪涌抑制组件的需求。最低可控制导通时间为50 ns,便于实现较大的降压转换比,进而实现从48 V额定输入到低电压轨的直接降压,从而降低系统复杂性以及解决方案成本。LM516x/LM516x-Q1可在输入电压突降至6V期间以接近100%的占空因数工作,因此非常适合用于宽输入电源范围工业和高节电池组应用。
数据手册:*附件:Texas Instruments LM516x,LM516x-Q1同步降压转换器数据手册.pdf
凭借集成式高侧和低侧功率MOSFET,LM5169/LM5169-Q1可提供高达0.65A的输出电流,Texas Instruments LM5168/LM5168-Q1可提供高达0.3A的输出电流。恒定导通时间 (COT) 控制架构提供了近乎恒定的切换频率,以及出色的负载和线路瞬时响应。LM516x/LM516x-Q1可在FPWM或自动模式下工作。FPWM模式在整个负载范围内提供强制CCM运行,支持隔离式Fly-Buck运行。自动模式支持超低IQ 和二极管仿真模式运行,从而提高轻负载效率。LM516x-Q1设备符合汽车应用类AEC-Q100认证。
特性
- 专为在严苛的应用中实现可靠性而设计
- 6 V 至 120 V 的宽输入电压范围
- -40 °C至+150 °C结温范围
- 固定3 ms内部软启动定时器
- 峰值和谷值限流保护
- 输入UVLO和热关断保护
- 适用于可扩展的工业电源和电池组
- 最短导通和关断时间:50ns
- 可调开关频率:高达1MHz
- 二极管仿真,提高轻负载时的效率
- 自动模式,具有低静态电流 (<10 µA)
- FPWM模式支持fly-buck功能
- 3µA关断静态电流
- 与LM5164、LM5163、LM5017和LM34927引脚对引脚兼容
- 集成度高,减小了解决方案尺寸并降低了成本
- COT模式控制架构
- 集成1.9ΩNFET降压开关
- 集成0.71 ΩNFET同步整流器
- 1.2V内部电压基准
- 无环路补偿元件
- 内部V
CC 偏置稳压器和自举二极管 - 开漏电源正常指示器
- 8引脚SOIC封装,带PowerPAD
功能框图

LM516x系列同步降压转换器技术解析
一、产品概述
LM516x系列是德州仪器(TI)推出的超低功耗同步降压转换器,包含LM5168和LM5169两款型号,具有120V绝对最大输入电压范围和Fly-Buck™转换器能力。该系列器件采用SOIC PowerPAD™-8或WSON-8封装,专为工业电源和电池组应用设计。
核心特性:
- 宽输入范围:6V至120V绝对最大输入电压
- 高效率:集成1.9Ω高边和0.71Ω低边MOSFET
- 超低功耗:睡眠模式电流<10μA,关断电流3μA
- 灵活控制:支持FPWM和自动模式(DEM/PFM)
- 高可靠性:-40°C至+150°C工作温度范围
- 简化设计:无需环路补偿,内置软启动和电源良好指示
二、关键参数对比
| 型号 | 输出电流 | 工作模式 | 电流限制 | 封装选项 |
|---|
| LM5168P | 0.3A | AUTO/PFM | 0.42A | DDA(SOIC)/NGU |
| LM5168F | 0.3A | FPWM | 0.42A | DDA(SOIC)/NGU |
| LM5169P | 0.65A | AUTO/PFM | 0.84A | DDA(SOIC)/NGU |
| LM5169F | 0.65A | FPWM | 0.84A | DDA(SOIC)/NGU |
三、架构设计
3.1 控制架构
采用恒定导通时间(COT)控制方案:
- 通过RT电阻设置固定导通时间(tON)
- 输入电压前馈维持准固定频率
- 最小导通时间50ns,支持高降压比
- 三种纹波注入方案可选(Type1/2/3)
3.2 功率级设计
- 集成高低边MOSFET(1.9Ω/0.71Ω)
- 自举电路采用2.2nF电容
- 支持二极管仿真模式(DEM)提升轻载效率
3.3 保护功能
- 峰值/谷值电流限制
- 热关断(175°C)与自动恢复
- 输入欠压锁定(UVLO)
- 电源良好(PGOOD)监控
四、典型应用设计
4.1 Buck转换器设计
- 频率设置:
RT(kΩ) = 2500 × VOUT / FSW(kHz)
例:5V输出@500kHz → RT=24.9kΩ - 电感选择:
L = (VIN-VOUT)×VOUT / (FSW×ΔIL×VIN)
建议ΔIL为负载电流的20-40% - 输出电容:
最小2.2μF,建议低ESR陶瓷电容
4.2 Fly-Buck转换器设计
- 变压器选择:
- 匝比N2/N1 ≈ VOUT2/VOUT1
- 初级电感计算同Buck拓扑
- 次级设计:
- 需最小负载防止电压漂移
- 二极管耐压 > (VIN×N2/N1 + VOUT2)
五、PCB布局指南
- 关键路径:
- 输入电容紧靠VIN/GND引脚
- SW节点走线短而宽
- 反馈网络远离噪声源
- 热管理:
- 充分利用散热焊盘(EP)
- 多过孔连接至地层
- 典型RθJA:24°C/W(优化布局)
- EMI优化:
六、应用场景
- 工业系统:
- 电池供电:
- 通信设备:
- 汽车电子: