Texas Instruments DRV8311HEVM评估模块设计用于评估DRV8311H三相无刷电机驱动器。该模块提供三个半桥集成MOSFET驱动器,用于驱动三相无刷直流 (BLDC) 电机。该电机采用5A峰值电流驱动,用于12V直流电源轨或电池供电应用。该模块具有可支持100mA外部电流的集成LDO。该模块兼容DRV8311S(SPI器件型号)和DRV8311P(tSPI器件型号)。
数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8311HEVM评估模块数据手册.pdf
特性
- 工作电压范围为3V至20V,峰值电流驱动为5A
- 集成CSA,用于三相低侧电流测量
- 集成LDO,可支持100mA外部电流
- 兼容DRV8311S(SPI器件型号)和DRV8311P(tSPI器件型号)
- C2000 (LAUNCHXL-F280049C) InstaSPIN GUI兼容性
DRV8311HEVM PCB布局

DRV8311HEVM硬件块

德州仪器DRV8311HEVM评估模块深度解析
评估模块概述
德州仪器(TI)的DRV8311HEVM是一款用于评估DRV8311系列3-20V三相智能栅极驱动器的客户评估模块。该模块可与LAUNCHXL-F280049C(C2000 Piccolo MCU F280049C LaunchPad™开发套件)配合使用,实现高效的三相无刷直流电机控制解决方案。
核心特性
- 宽电压输入范围:3V至20V工作电压
- 高集成度设计:集成三个半桥驱动器,支持5A峰值电流输出
- 多控制接口:支持硬件(H)、SPI(S)和tSPI(P)三种控制模式
- 内置保护功能:包含过流、过热等多种保护机制
- 灵活配置:通过跳线和电阻选择不同工作模式
硬件架构详解
1. 主要硬件模块
DRV8311HEVM包含以下关键硬件模块:
- 电源管理:3.3V降压稳压器,为系统提供稳定电源
- 驱动核心:DRV8311H/S/P驱动芯片
- 接口连接:与LaunchPad连接的40针接口
- 状态指示:4个状态LED(VM、3V3、nFAULT、MCU_LED)
- 电机接口:三相电机输出端子(OUTA/OUTB/OUTC)
2. 电源配置选项
评估板提供多种电源配置方式:
- 分离供电模式:3-20V主电源通过VM引脚输入,3.3V逻辑电源可单独提供
- 集成供电模式:通过LAUNCHXL-F280049C提供3.3V和5V电源
- 外部供电模式:通过测试点TP22和TP23提供外部3.3V/5V电源
3. 设备变体兼容性
DRV8311HEVM支持三种设备变体:
- DRV8311H(硬件变体) :通过跳线设置工作模式
- 增益选择(0.25V/A至2V/A)
- 转换速率选择(25V/μs至200V/μs)
- PWM模式选择(3x或6x PWM)
- DRV8311S(SPI变体) :通过SPI接口配置
- 需配置R1、R8-R11为0Ω电阻
- R13需配置为5.1kΩ电阻
- DRV8311P(tSPI变体) :支持多设备SPI控制
- 需配置R8-R10、R12、R41为0Ω电阻
- R13需配置为5.1kΩ电阻
- 通过J7/J8设置设备地址
快速启动指南
- 电源连接:将3-20V电源正极接VM,负极接GND
- 电机连接:将电机三相线正确连接至OUTA、OUTB、OUTC端子
- LaunchPad连接:将评估板插接到LaunchPad的J1/J3和J2/J4接口
- USB连接:通过Micro-USB线连接LaunchPad与PC
- 上电启动:打开DRV8311HEVM电源
注意:使用DRV8311H硬件变体时,必须移除R7并从外部或LaunchPad提供3.3V电源
软件控制与GUI应用
DRV8311HEVM支持通过C2000 InstaSPIN Universal GUI实现高级电机控制:
1. 电机识别
- 启用系统后自动进行偏移校准
- 运行电机识别算法获取关键参数(Rs、Ls-d、Ls-q等)
- 识别过程约需2分钟
2. 无传感器FOC控制
- 基于识别参数实现磁场定向控制
- 可调节速度参考值(speedRef)控制电机转速
- 实时显示速度误差和运行状态
3. 高级控制功能
- 扭矩控制模式
- 速度控制模式
- MTPA(最大转矩每安培)算法
- 弱磁控制技术
4. SPI寄存器配置(DRV8311S专用)
- 状态寄存器监控
- 控制寄存器配置
- PWM生成寄存器设置
- 支持手动地址读写操作
典型应用场景
- 工业驱动系统:用于风扇、泵等设备的无刷电机控制
- 机器人关节驱动:精确控制机器人关节运动
- 电动工具:实现高效能无刷电机驱动
- 汽车辅助系统:车窗升降、座椅调节等应用
设计考量与建议
- 热管理:评估板工作时表面可能高温,需采取适当散热措施
- 信号完整性:高频信号走线需考虑阻抗匹配和噪声抑制
- 电源去耦:在VM和GND间靠近芯片处放置足够容量的去耦电容
- 电机匹配:根据电机参数调整控制算法参数以获得最佳性能
- 保护电路:建议在功率回路中添加适当保护元件