该CDCVF855是一款高性能、低偏斜、低抖动、零延迟缓冲器,可将差分时钟输入对(CLK、CLK)分配给4个差分时钟输出对(Y[0:3]、Y[0:3])和1对差分反馈时钟输出(FBOUT、FBOUT)。时钟输出由时钟输入(CLK、CLK)、反馈时钟(FBIN、FBIN)和模拟电源输入(AV DD ).当PWRDWN为高电平时,输出与CLK在相位和频率上切换。当PWRDWN为低电平时,所有输出都被禁用到高阻抗状态(3状态),PLL关闭(低功耗模式)。当输入频率低于低于 20 MHz(典型值 10 MHz)的建议检测频率时,器件也会进入这种低功耗模式。输入频率检测电路检测低频条件,在施加>20 MHz输入信号后,该检测电路导通PLL并使能输出。
*附件:cdcvf855.pdf
当 AVDD捆扎低,则 PLL 关闭并旁路用于测试目的。该CDCVF855还能够跟踪扩频时钟以降低 EMI。
由于CDCVF855基于PLL电路,因此需要稳定时间才能实现PLL的锁相。通电后需要此稳定时间。该CDCVF855适用于商业和工业温度范围。
特性
- 兼容扩频时钟
- 工作频率:60 MHz 至 220 MHz
- 低抖动(周期间):±60 ps(200 MHz时为±40 ps)
- 低静态相位偏移:±50 ps
- 低抖动(周期):±60 ps(200 MHz时为±30 ps)
- 1 到 4 差分时钟分配 (SSTL2)
- 同类最佳 V
牛 = V DD /2 ±0.1 伏 - 采用双通道 2.6V 或 2.5V 电源供电
- 采用28引脚TSSOP封装
- 消耗<100μA静态电流
- 外部反馈引脚(FBIN、FBIN)用于将输出与输入时钟同步
- 符合/超过DDRI-200/266/333规范的JEDEC标准(JESD82-1)
- 达到/超过建议的DDRI-400规范(JESD82-1A)
- 当未施加CLK输入信号或PWRDWN为低电平时,进入低功耗模式
- 应用
- DDR内存模块(DDR400/333/266/200)
- 零延迟扇出缓冲器
参数

一、核心特性
- 性能参数
- 工作频率范围:60MHz至220MHz
- 低抖动特性:周期抖动±60ps(200MHz时±30ps),周期间抖动±60ps(200MHz时±40ps)
- 静态相位偏移:±50ps
- 支持扩频时钟(SSC)以降低EMI
- 功能设计
- 1路差分时钟输入(CLK/CLK)转换为4路差分输出(Y[0:3]/Y[0:3])及1路反馈输出(FBOUT/FBOUT)
- 外部反馈引脚(FBIN/FBIN)实现输入与输出时钟同步
- 低功耗模式:无输入信号或PWRDWN为低电平时关闭输出
二、应用场景
- DDR内存模块(DDR400/333/266/200)
- 零延迟扇出缓冲器
三、电气特性
- 供电要求
- 双电源供电:2.5V或2.6V(VDDQ与AVDD)
- 静态电流:<100μA
- 信号规范
- 差分输入电压范围:0.36V至VDDQ+0.6V
- 输出驱动能力:支持120Ω终端负载,14pF容性负载
四、封装与可靠性
- 28引脚TSSOP封装(PW型号)
- 工作温度范围:-40°C至85°C
- 符合JEDEC DDR标准(JESD82-1/1A)
五、关键注意事项
- PLL稳定时间:上电后需10μs锁定相位
- 推荐AVDD电源滤波电路:包含4.7μF、0.1μF及2200pF电容
- 绝对最大额定值:输入/输出电压不超过VDDQ+0.5V