DM9051ANX新旧版差异介绍

芯片型号	DM9051ANX  (新版)	‌DM9051NP (旧)‌
电源与功耗
‌电源设计‌	1.8/2.5/3.3V 可变电压供电	模拟/数字电源需严格隔离，AVDD/DVDD分别滤波
十兆模式功耗	32mA ±	106mA ±
百兆模式功耗	45mA ±	142mA ±
‌MAC地址配置‌	自带1组MAC地址	需外置EEPROM存储MAC地址或软件烧录
RBOM对比
匹配电阻	不需外接	要
‌网络变压器‌	常规变压器即可，无特殊抽头要求‌	必须使用带‌中心抽头‌的变压器
封装	QFN24	QFN32
外围物料成本	约12个	约20个
‌PCB面积占用‌	更小 （布局更精简，增加空间）	较大 （需阻抗控制与电源隔离区域）‌
封装	QFN 24	QFN 32

说明1：DM9051ANX可节省4个电阻、2个电容、1个EERPOM、1个匹配电阻、1个3.3V转1.8V电平转换。‌

说明2：原本旧版已是MCU单片机、SoC (FreeRTOS)以及CPU (Linux)的官方参考设计，DM9051ANX可沿用平台系统的驱动，直接使用、无缝接轨，让用户的项目开发顺利推进。

新版DM9051ANX的五个过硬

 性能过硬、功耗过硬、设计过硬、质量过硬、支持过硬

 

1. 网口性能过硬：DM9051ANX使单片机MCU选型更灵活。

DM9051ANX以SPI接口传输数据，在实际应用中，SPI时钟频率（通常≤ 60MHz），在ESP32平台(FreeRTOS)可测得17.4Mbps、雅特力AT32F415(FreeRTOS)为8.3Mbps / AT32F423(裸跑+uIP)为7.5Mbps、STM32F103(裸跑+uIP)为6Mbps、在MTK MT8766等则为7.5Mbps。以上数据满足各平台的应用所需，所以获选为主控官方有线网口参考设计。

2. 功耗节能过硬：DM9051ANX功耗甚至低于以太网PHY芯片。

新版DM9051ANX在10M模式低至32mA，100M百兆模式降低到45mA;

旧版DM9051NP在10M模式下功耗电流达106mA，100M百兆模式是142mA，

与常见以太网口PHY比较(如下表)，DM9051ANX毫不逊色，甚至还低于某厂PHY芯片的功耗数据，能满足IoT行业应用项目的低能耗要求。

百兆模式	功耗(mW)
DM9051ANX	165
瑞昱RTL8201F	178
裕太YT8522	202

3. 设计开发过硬：DM9051ANX使单片机MCU选型更灵活。

而新一代DM9051ANX的高集成度更高：

1.)精简外围元器件，节省1.8V转3.3V电平转换、EERPOM以及电容电阻。

2.)TCP/IP校验和卸载引擎由芯片硬件加速实现，无需主控MCU参与，减少负载，可减少MCU约30%计算开销，同等负载功耗降低约30%，而且硬件加速使网络吞吐量提升20%以上，适用于储能、BMS(电池管理系统)与电池设备。

4. 质量稳定过硬： DM9051ANX芯片温度更低，项目联网稳定。

在项目应用的‌密集数据传输时，于100M百兆全双工模式，芯片温度从旧版43.1℃降到30.7℃，芯片发热情况获得更进一步优化，大大避免了因过热而引发数据丢包，增加长时间联网稳定，能满足工业级应用长时间通信稳定性

（DM9051AINX支持工业级-40℃~85℃环境)。

5. 技术支持过硬：DM9051ANX在研发项目省时省力。

1.)DM9051ANX是Expressif ESP32的以太网口官方参考设计，亦是雅特力MCU的以太网口官方参考设计。

2.)在Linux与FreeRTOS已有现成对应的驱动代码可提供给用户; 在MCU平台，已有现成可用的例程，连底层驱动挂载都不用麻烦用户，使用DM9051ANX不需用户深入了解芯片规格书，不会有进入障碍，更没有所谓的技术门槛。

审核编辑 黄宇