Texas Instruments TMAG5273线性3D霍尔效应传感器设计用于各种工业和个人电子应用。TMAG5273在X、Y和Z轴上集成了三个独立的霍尔效应传感器。该传感器采用精密模拟信号链和集成式12位ADC,可对测量的模拟磁场值进行数字化处理。
数据手册:*附件:Texas Instruments TMAG5273线性3D霍尔效应传感器数据手册.pdf
该I^2^C接口在支持多种工作VCC 范围的同时,确保与低压微控制器进行无缝数据通信。TMAG5273具有集成温度传感器,可用于多种系统功能,例如热预算检查或给定磁场温度补偿计算。
TI TMAG5273可通过I^2^C接口进行配置,以实现磁轴和温度测量的任意组合。此外,该传感器可配置为各种电源选项(包括唤醒和睡眠模式),从而让用户能够根据其系统级需求优化系统功耗。
该器件提供多种传感器转换方案,I2C读取帧有助于优化吞吐量和精度。专用INT引脚可在低功耗唤醒和睡眠模式下可用作系统中断引脚,可由微控制器来触发新的传感器转换指令。集成角度计算引擎 (CORDIC) 为轴上和轴外角度测量拓扑提供全方位的360°角度位置信息。使用两个用户选择的磁轴进行角度计算。TMAG5273具有磁性增益和偏移校正功能,以减轻系统机械误差源的影响。
TMAG5273有四个不同的工厂编程I2C地址可选。通过修改用户可配置的I^2^C地址寄存器,该器件还支持其他I^2^C地址。在系统校准期间,每个可订购部件均可配置为选择适合磁体强度和元件放置的两个磁场范围中的一个。
TMAG5273可在–40°C至+125°C宽环境温度范围内稳定工作,采用DBV封装。
特性
- 可配置的功率模式包括:
- 有源模式电流:2.3mA
- 唤醒和睡眠模式电流:1µA
- 休眠模式电流:5nA
- X、Y或Z轴可选择的线性磁场范围:
- TMAG5273x1:±40mT、±80mT
- TMAG5273x2:±133mT、±266mT
- 来自用户定义的磁性和温度阈值交叉的中断信号
- 灵敏度漂移:5%(典型值)
- 集成角度CORDIC计算,带增益和失调调整
- 单轴转换速率:20kSPS
- 可配置平均高达32x,用于降低噪声
- 通过I^2^C或专用INT引脚的转换触发
- 经过优化的具有循环冗余校验 (CRC) 功能的I^2^C接口:
- 最大1MHz I^2^C时钟速度
- 特殊I^2^C帧读长,提高吞吐量
- 工厂编程和用户可配置的I^2^C地址
- 集成温度补偿,用于多种磁体类型
- 内置温度传感器
- 1.7V至3.6V电源电压 (V
CC ) 范围 - 工作温度范围:–40℃至+125℃
功能框图

TMAG5273线性3D霍尔效应传感器的技术解析与应用
一、产品概述
Texas Instruments推出的TMAG5273是一款低功耗线性3D霍尔效应传感器,集成I2C接口,专为工业与消费电子设计。其核心特性包括:
- 多轴磁感应:支持X、Y、Z三轴独立磁场测量,线性范围可选(如±40mT至±266mT)。
- 超低功耗:2.3mA活动模式电流,睡眠模式低至5nA。
- 高精度:12位ADC、温度补偿及CORDIC角度计算引擎,实现±0.5°的角度误差。
- 灵活接口:支持1MHz I2C通信,内置CRC校验,提供中断引脚(INT)触发功能。
二、关键技术与性能亮点
- 磁场测量与范围选择
- 用户可通过寄存器配置不同量程(如TMAG5273x1为±40/80mT,x2为±133/266mT),适配不同磁体强度。
- 灵敏度典型值为820 LSB/mT(±40mT范围),温漂仅±5%。
- 低功耗设计
- 支持多种模式:活动模式(2.3mA)、待机模式(2.2mA)、睡眠模式(5nA)。
- 唤醒-睡眠模式(W&S)可周期性测量,平均电流低至1μA(间隔5秒唤醒)。
- 集成温度补偿
- 内置温度传感器,支持多类磁体的温度漂移补偿(补偿系数0%~0.2%/℃可调)。
- 中断与触发机制
- 支持通过INT引脚或SCL线触发中断,适用于低功耗唤醒场景(如电子锁、门窗传感器)。
三、典型应用场景
- 工业领域
- 电机控制:精确检测转子位置,适用于无人机、机器人电机。
- 电能表:非接触式电流测量,提升系统可靠性。
- 消费电子
- 游戏手柄/操纵杆:3D磁场检测实现高精度操控。
- 智能门锁:磁接近感应,支持低功耗唤醒。
- 物联网设备
四、设计建议
- 布局优化:减少PCB对磁场的干扰,霍尔元件与磁体间距建议0.5-2mm。
- 电源管理:推荐1.8-3.6V供电,并添加去耦电容以降低噪声。
- 数据校准:利用内置增益/偏移校正功能,补偿机械安装误差。