该13位至26位寄存器缓冲器设计用于2.3V至2.7V VCC操作。
除LVCMOS复位(RESET)输入外,所有输入均为SSTL_2。所有输出均SSTL_2,II 类兼容。
SN74SSTV16859采用差分时钟(CLK和CLK)工作。数据在 CLK 走高和 CLK 走低的交叉点处记录。
*附件:sn74sstv16859.pdf
该器件支持低功耗待机作。当RESET为低电平时,差分输入接收器被禁用,未驱动(浮动)数据、时钟和基准电压(V 裁判 ) 输入。此外,当RESET为低电平时,所有寄存器都复位,所有输出都强制为低电平。LVCMOS RESET输入必须始终保持在有效的逻辑高电平或低电平。
为确保在提供稳定时钟之前从寄存器获得定义的输出,RESET在上电期间必须保持低电平状态。
特性
- 德州仪器 (TI) Widebus™ 系列成员
- 1 对 2 输出,支持堆叠式 DDR DIMM
- 支持SSTL_2数据输入
- 输出符合 SSTL_2 类 II 规范
- 差分时钟(CLK和CLK)输入
- 支持 RESET 输入上的 LVCMOS 开关电平
- RESET输入禁用差分输入接收器,复位所有寄存器,并强制所有输出为低电平
- 引脚排列优化了 DIMM PCB 布局
- 闩锁性能超过 100 mA,符合 JESD 78,II 类标准
- ESD 保护超过 JESD 22
- 2000-V 人体模型 (A114-A)
- 200V 机器型号 (A115-A)
参数

1. 产品概述
- 型号:SN74SSTV16859,德州仪器(TI)Widebus™系列成员。
- 功能:13位至26位注册缓冲器,支持堆叠DDR DIMMs的1-to-2输出。
- 关键特性:
- 支持SSTL_2数据输入/输出(Class II兼容)。
- 差分时钟输入(CLK/CLK),LVCMOS复位(RESET)输入。
- RESET低电平时禁用差分接收器、复位寄存器并强制输出低电平。
- 工作电压:2.3V至2.7V(VCC)。
2. 电气特性
- 输入/输出标准:
- 数据输入:SSTL_2(VREF参考电压)。
- RESET输入:LVCMOS电平(需保持有效逻辑高/低,禁止悬空)。
- 性能参数:
- 最大时钟频率:200 MHz。
- 传播延迟(CLK→Q):最大2.8 ns。
- 静态/动态功耗:待机电流10 µA,动态操作电流40 mA(全负载)。
3. 封装与订购信息
- 封装选项:
- TSSOP(DGG,64引脚)和QFN(RGQ,56引脚)。
- 环保选项:无铅(Matte-Tin)或锡铅(Tin-Pb)镀层。
- 订购型号示例:
- SN74SSTV16859DGGR(TSSOP封装,卷带包装)。
4. 应用注意事项
- 复位要求:上电期间RESET需保持低电平以确保输出稳定。
- 布局优化:引脚排列针对DIMM PCB布局优化。
- ESD保护:符合JESD 22标准(2000V人体模型)。