DP8570A 定时器控制外设技术手册

该DP8570A旨在用于基于微处理器的系统，其中需要信息来处理多任务、数据记录或一般时间/日期信息。该器件采用低压硅栅 microCMOS 技术实现，可在备用电池环境中提供低待机功耗。该电路的架构看起来像一个连续的内存或 I/O 端口块。地址空间组织为 2 个 32 字节的软件可选页面。这包括控制寄存器、时钟计数器、报警比较 RAM、定时器及其数据 RAM 以及省时 RAM。任何未用于其预期目的的 RAM 位置都可以用作通用 CMOS RAM。
*附件：dp8570a.pdf

时间和日期以 BCD 格式、12 或 24 小时模式从 1/100 秒到年和闰年保持。提供星期几、月份中的某一天和一年中的某一天计数器。时间由片内晶体振荡器控制，只需添加晶体和两个电容器。晶体频率的选择是程序可选的。

提供两个独立的多功能 10 MHz 16 位定时器。这些定时器以四种模式运行。每个都有自己的预分频器，可以选择 8 个可能的时钟输入中的任何一个。因此，通过对输入时钟和定时器计数器值进行编程，可以实现非常宽的定时持续时间范围。范围从大约 400 ns（4.915 MHz 振荡器）到 65,535 秒（18 小时 12 分钟）。

断电逻辑和控制功能已集成在片上。TCP 使用此逻辑来发出电源故障

中断，并锁定 μp 接口。当 V 时，电源故障时间可能会自动登录到 RAM 中 BB型 > V CC .此外，还提供了两个电源引脚。当 V BB型 > V CC ，内部电路会自动从主电源切换到电池电源。提供状态位以指示电池电源、系统电源和低电量检测的初始应用。

特性

• 全功能实时时钟/日历
  • 12/24 小时模式计时
  • 星期几和年份日期计数器
  • 四个可选的振荡器频率
  • Parallel Resonant Oscillator
• 两个 16 位定时器
  • 10 MHz 外部时钟频率
  • 可编程多功能输出
  • 灵活的重新触发设施
• 电源故障功能
  • 内部电源开关到外部电池
  • 电源总线毛刺保护
  • 断电时自动记录 RAM 的时间
• 片上中断结构
  • 定期、报警、定时器和电源故障中断
• 高达 44 字节的 CMOS RAM
• INTR/MFO/T1引脚可编程高/低和推挽式或漏极开路

参数

‌1. 概述‌
DP8570A是一款专为微处理器系统设计的实时时钟/日历外设芯片，采用低电压硅栅微CMOS技术，适用于电池备份环境。主要功能包括：

• ‌实时时钟‌：支持BCD格式的时间/日期记录（1/100秒至年），可选12/24小时模式，含星期、月、年计数器。
• ‌双16位定时器‌：两个独立定时器，最高10MHz外部时钟，4种工作模式，可编程时钟输入。
• ‌电源管理‌：集成电源故障检测逻辑，支持VCC/VBB自动切换，低功耗待机模式（典型待机电流10μA）。
• ‌中断系统‌：支持周期性、闹钟、定时器和电源故障中断，可路由至INTR或MFO引脚。
• ‌44字节CMOS RAM‌：部分RAM区域可作通用存储。

‌2. 关键特性‌

• ‌时钟功能‌：
  • 4种可编程晶振频率（32kHz/32.768kHz/4.9152MHz/4.194304MHz）。
  • 支持“时间保存RAM”功能，防止读取时计数器翻转错误。
• ‌定时器功能‌：
  • 定时器0/1支持模式0-3，输出可配置为推挽或开漏。
  • 计时范围宽（400ns至65,535秒）。
• ‌电源故障保护‌：
  • 自动切换至电池供电（VBB），支持时间自动保存。
  • 提供低电量检测（<2.1V）和上电复位标志。

‌3. 寄存器与内存映射‌

• ‌双页结构‌：32字节/页，包含控制寄存器、计数器、闹钟RAM、定时器及通用RAM。
• ‌关键寄存器‌：
  • ‌主状态寄存器‌：中断状态和电源故障标志。
  • ‌中断控制寄存器‌：配置中断源（定时器/闹钟/周期性/电源故障）。
  • ‌实时模式寄存器‌：控制时钟启停和晶振选择。

‌4. 应用场景‌

• 多任务数据记录、时间戳日志、电源故障事件记录。
• 需电池备份的嵌入式系统，如工业控制、医疗设备。

‌5. 电气参数‌

• 工作电压：VCC 4.5-5.5V，VBB≥2.2V（电池模式）。
• 温度范围：-40°C至+85°C。
• ESD防护：1kV（典型）。

‌6. 封装与引脚‌

• 提供28引脚DIP和PLCC封装，关键引脚包括：
  • ‌OSC IN/OUT‌：外接晶振。
  • ‌MFO/INTR‌：可编程中断输出。
  • ‌PFAIL‌：电源故障检测输入。
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    芯片内部模块包括时钟链、定时器、中断逻辑、电源切换电路，通过并行总线与微处理器交互。