‌TLC552C 双路LinCMOS™定时器芯片技术文档摘要

TLC552 是使用 TI LinCMOS 制造的双单片定时电路^TM的^该工艺，可与 CMOS、TTL 和 MOS 逻辑完全兼容，并在高达 2 MHz 的频率下工作。由于输入阻抗高，使用比 NE555 更小、更便宜的定时电容器可以实现精确的时间延迟和振荡。在整个电源电压范围内功耗都很低。
*附件：tlc552.pdf

与 NE556 一样，TLC552 的触发电平约为电源电压的三分之一，阈值电平约为电源电压的三分之二。这些电平可以通过使用控制电压端子来改变。当触发输入低于触发电平时，触发器被设置，输出变为高电平。如果触发输入高于触发电平，而阈值输入高于阈值电平，则触发器复位，输出为低电平。复位输入可以覆盖所有其他输入，并可用于启动新的时序周期。如果复位输入为低电平，则触发器复位，输出为低电平。每当输出为低电平时，放电端子和地之间都会提供一条低阻抗路径。

虽然CMOS输出能够吸收超过100 mA的电流并提供超过10 mA的电流，但TLC552在输出转换期间表现出大大降低的电源电流尖峰。这最大限度地减少了对 NE556 所需的大型去耦电容器的需求。

这些器件具有内部静电放电 （ESD） 保护电路，可防止在高达 2000 V 的电压下发生灾难性故障，如根据 MIL-STD-883C 方法 3105.2 进行测试。但是，在处理这些设备时应小心，因为暴露于 ESD 可能会导致设备参数性能下降。

所有未使用的输入都应连接到适当的逻辑电平，以防止错误触发。

该TLC552C的特点是在 0°C 至 70°C 范围内工作。

特性

• 极低的功耗。 。 。V 时典型值为 2 mW DD = 5 伏
• 能够在非稳态模式下运行
• 能够摆动轨到轨的CMOS输出
• 高输出电流能力灌
  电流 100 mA 典型值 源
  极 10 mA 典型值
• 输出完全兼容 CMOS、TTL 和 MOS
• 低电源电流减少了输出转换期间的尖峰
• 高阻抗输入 . . .10^12^ 典型值
• 1 V 至 18 V 的单电源工作
• 功能上可与 NE556 互换;具有相同的引脚排列

参数

‌1. 核心特性‌

• ‌低功耗设计‌：典型功耗2mW（VDD=5V时），支持1V至18V宽电压单电源供电。
• ‌高性能输出‌：
  • 灌电流能力100mA（典型值），拉电流10mA（典型值）。
  • 输出兼容CMOS、TTL和MOS逻辑电平，支持轨到轨摆动。
• ‌高精度定时‌：
  • 采用LinCMOS™工艺，输入阻抗高达10¹²Ω，支持高达2MHz的工作频率。
  • 与NE556引脚兼容，但所需定时电容更小且成本更低。

‌2. 功能描述‌

• ‌双定时器结构‌：包含两个独立定时器，每个定时器功能框图包含阈值（THRES）、触发（TRIG）、复位（RESET）等控制端。
• ‌工作模式‌：
  • ‌ 非稳态模式（Astable） ‌：支持振荡电路设计（见图1典型应用电路）。
  • ‌复位优先级‌：RESET可覆盖TRIG和THRES输入，强制输出低电平。

‌3. 电气参数‌

• ‌关键电压阈值‌：
  • 触发电平≈1/3 VDD，阈值电平≈2/3 VDD（可通过CONT引脚调整）。
• ‌ESD保护‌：支持2000V静电放电防护（MIL-STD-883C标准）。
• ‌温度范围‌：工作温度0°C至70°C，存储温度-65°C至150°C。

‌4. 封装与订购信息‌

• ‌封装选项‌：
  • SOIC（D封装）和PDIP（N封装），支持卷带（T&R）包装。
  • 型号示例：TLC552CDR（SOIC卷带封装）。
• ‌环保合规‌：符合RoHS标准，表面处理为无铅镀层（NIPDAU）。

‌5. 应用提示‌

• ‌未使用引脚处理‌：需连接至适当逻辑电平以避免误触发。
• ‌电源去耦‌：相比NE556，输出瞬态电流尖峰更小，所需去耦电容更少。