‌SN74HCS373 Octal透明锁存器技术解析与应用指南

Texas Instruments SN74HCS373/SN74HCS373-Q1八路透明D类锁存器包含八个D类锁存器。所有输入均包括施密特触发器架构。Texas Instruments SN74HCS373/SN74HCS373-Q1的所有通道共享锁存使能 (LE) 输入和输出使能 (OE) 输入。

数据手册：

*附件：SN74HCS373数据手册.pdf

*附件：SN74HCS373-Q1数据手册.pdf

特性

• 符合汽车应用类AEC-Q100标准：
  • 器件温度等级1：-40°C至+125°C，TA
  • 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级2
  • 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
• 低功耗
  • 典型ICC为100nA
  • 典型输入漏电流：±100nA
• 采用可湿性侧翼QFN (WBQB) 封装
• 宽工作电压范围：2V至6V
• 施密特触发器输入允许缓慢或嘈杂的输入信号
• 输出驱动：±7.8mA (6V)
• TA扩展环境温度范围：–40°C至+125°C

功能框图

SN74HCS373 Octal透明锁存器技术解析与应用指南‌

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‌一、器件概述‌

SN74HCS373是德州仪器（TI）推出的八路D型透明锁存器，采用Schmitt-Trigger输入架构和3态输出设计，适用于低功耗、高噪声抑制场景。其关键特性包括：

• ‌宽电压工作范围‌：2V至6V，兼容多种逻辑电平。
• ‌低功耗‌：典型静态电流仅100nA，输入漏电流±100nA。
• ‌高驱动能力‌：6V电压下输出驱动电流达±7.8mA。
• ‌工业级温度范围‌：-40°C至+125°C。

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‌二、核心功能与原理‌

‌1. 功能框图‌

• ‌共享控制逻辑‌：所有通道共用锁存使能（LE）和输出使能（OE）信号。
• ‌透明锁存模式‌：
  • ‌LE=高电平‌：数据从D端透明传输至Q端。
  • ‌LE=低电平‌：Q端保持最后一次锁存值，无视D端变化。
• ‌3态输出控制‌：
  • ‌OE=低电平‌：输出有效（高/低电平）。
  • ‌OE=高电平‌：输出高阻态（不影响内部锁存状态）。

‌2. Schmitt-Trigger输入优势‌

• ‌抗噪能力强‌：内置迟滞（ΔVT典型值0.2V~0.6V），可容忍缓慢或噪声输入信号。
• ‌低动态功耗‌：相比传统CMOS输入，静态功耗极低，但需注意未用输入需接地或VCC。

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‌三、典型应用场景‌

‌1. 并行数据存储‌

• ‌应用示例‌：微控制器扩展存储接口，通过LE信号控制数据锁存时机，OE管理总线占用。
• ‌时序要求‌：
  • 数据建立时间（tsu）最小6ns（VCC=6V时）。
  • 保持时间（th）为0ns，适合高速数据捕获。

‌2. 数字总线缓冲‌

• ‌多设备共享总线‌：利用3态输出隔离非活动设备，避免总线冲突。
• ‌布局建议‌：
  • 总线终端加10kΩ上拉/下拉电阻，确保高阻态时电平稳定。
  • 走线长度≤50mm以减少容性负载（CL≤50pF）。

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‌四、设计注意事项‌

‌1. 电源与热管理‌

• ‌去耦电容‌：VCC与GND间并联0.1μF+1μF电容，贴近器件放置。
• ‌热阻参数‌：
  • VQFN封装（RKS）θJA=83.2°C/W，VSSOP封装（DGS）θJA=130.6°C/W。
  • 避免持续输出电流超过35mA（绝对最大值）。

‌2. 输入/输出处理‌

• ‌未用引脚‌：输入必须接VCC或GND，输出可悬空。
• ‌并联增强驱动‌：同信号驱动多通道时，可并联输出以提升电流能力。

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‌五、性能参数速查‌

参数	条件（VCC=6V）	典型值	单位
传播延迟（tpd）	D→Q	9.6ns	ns
输出上升时间（tt）	CL=50pF	7.4ns	ns
输出驱动电阻（低态）	IOL=7.8mA	30Ω	Ω

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‌六、封装与选型‌

• ‌封装选项‌：
  • ‌ RKS（VQFN-20） ‌：4.5mm×2.5mm，适合高密度布局。
  • ‌ DGS（VSSOP-20） ‌：5.1mm×3.0mm，便于手工焊接。
• ‌订购型号‌：SN74HCS373DGSR（VSSOP）、SN74HCS373RKSR（VQFN）。