TTexas Instruments LMG342xEVM-04x子板将两个LMG342xR0x0 GaN FET配置在一个半桥中,具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外围电路。Texas Instruments LMG342xEVM-04x设计用于与大型系统搭配使用。
数据手册:*附件:Texas Instruments LMG342xEVM-04x半桥子卡数据手册.pdf
特性
- 输入电压高达600 V
- 简单的开环设计,用于评估LMG342xR0xx的性能
- 板载单/双PWM信号输入,用于死区时间可变的PWM信号
- 逐周期过流保护功能
- 便利的探测点,用于逻辑和功率级测量,示波器探头具有短接地弹簧探头
框图

基于LMG342XEVM-04X半桥子卡的GaN功率器件设计与应用
LMG342XEVM-04X核心特性解析
集成化设计优势
LMG342XEVM-04X采用创新设计,将两个LMG342XR0X0 600V GaN FET与集成驱动器和保护电路组合在半桥配置中。这种高度集成的设计包含了所有必需的偏置电路和逻辑/电源电平转换,显著简化了系统设计。
关键性能参数
- 电压规格:最大推荐工作电压480V,绝对最大电压600V
- 保护功能:集成了过温、过流、短路和欠压锁定保护
- 逻辑兼容性:支持3.3V和5V逻辑输入
- 实时监测:提供反映器件结温的实时数字输出
评估模块的硬件架构
功率回路优化设计
该评估模块的一个显著特点是其优化的功率回路布局。所有电源级和栅极驱动的高频电流回路都完全封闭在板上,最大限度地减少了功率回路寄生电感。这种设计带来了两大优势:
- 降低电压过冲
- 提高整体开关性能
接口设计特点
模块采用插座式外部连接设计,便于与外部电源级接口,支持在各种应用中灵活使用LMG342XR0X0器件。评估模块提供了12个逻辑引脚和6个电源引脚,具体功能包括:
- 低侧和高侧PWM输入
- 故障和过流指示输出
- 温度监测输出
- 电源和接地连接
典型应用场景
电力电子转换拓扑
LMG342XEVM-04X特别适合以下应用场景:
- 图腾柱PFC转换器:利用GaN的高频优势实现高效率功率因数校正
- 相移全桥或LLC转换器:适用于隔离型DC/DC转换
- 逆变器应用:用于太阳能逆变器或电机驱动
- Buck或Boost转换器:实现非隔离的电压转换
与主板配合使用
TI提供了两款配套主板(LMG342X-BB-EVM和LMG34XX-BB-EVM)用于评估:
- LMG342X-BB-EVM:支持高达4kW功率
- LMG34XX-BB-EVM:提供最高1.7kW功率
这些主板设计用于在开环同步Buck或Boost转换器中运行LMG342XR0X0。
安全操作指南
高压安全注意事项
由于涉及高压操作,使用LMG342XEVM-04X时必须严格遵守安全规范:
- 工作区域安全:
- 保持工作区域清洁有序
- 电路通电时必须有合格的观察人员在场
- 使用隔离测试设备,配备过压和过流保护
- 电气安全措施:
- 进行任何电气测量前,断开EVM所有输入、输出和电气负载
- 假设EVM可能完全接入高压,采取适当预防措施
- 通电时切勿触摸EVM或其电路
- 个人防护装备:
- 佩戴乳胶手套和带侧罩的安全眼镜
- 考虑使用带联锁装置的半透明塑料盒保护EVM
热管理方案
散热设计考量
评估模块安装了散热器以帮助LMG342XR0X0散热。关键热设计要素包括:
- 铜垫设计:裸露的铜垫连接到器件上的DAP(Die Attach Pad),为散热器提供低热阻抗点
- 隔离要求:两个铜垫之间存在高电势差,需要使用电隔离的热界面材料(TIM)
- 推荐材料:使用"S05MZZ12-A"散热器和"GR80A-0H-50GY"TIM(热导率8W/m·K,厚度0.5mm)
封装与PCB热设计
为实现最佳热性能,TI建议:
- 采用四层或更多层PCB以减少布局寄生电感
- 热垫中填充热过孔并平面化
- 遵循器件数据表中的布局指南优化焊点可靠性
测试与验证方法
必备测试设备
使用LMG342XEVM-04X进行评估需要以下设备:
- 直流电压源:能够提供高达480V的输入
- 直流偏置源:12V输出,电流能力达1.5A
- 函数发生器:产生0-5V方波,具有可调占空比和频率
- 示波器:至少200MHz带宽,推荐1GHz以上
- 直流万用表:能够测量600V电压
- 直流负载:600V工作电压,电流能力达20A
推荐测试条件
TI建议在硬开关转换器中使用50kHz至200kHz的开关频率操作LMG342XEVM-04X和主板。对于更高功率水平,建议使用外部电感。
设计指导与最佳实践
布局建议
- 隔离器选择:推荐使用ISO77xxF系列,其在载波信号受共模噪声影响时默认输出低电平
- 滤波设计:在隔离器输出的FAULT和OC信号上添加RC滤波器以减少CMTI噪声
- 斜率控制:通过改变RDRV引脚连接电阻可调整GaN器件的斜率速率
自举模式配置
评估模块可修改为在自举模式下工作,其中12V偏置电压用于为两个LMG342XR0X0器件供电。实现此模式需要进行以下修改:
- 移除R1
- 在R2上放置2Ω电阻
- 在D1上放置600V SOD-123二极管
- 将低侧Rdrv电阻调整为70kΩ以上(对应斜率速率低于60V/ns)