BD95821MUV是可在输入电压范围(7.5V~15V)内通过大电流输出实现输出电压(0.8V~5.5V)的1ch降压开关稳压器。通过内置开关晶体管用的N-MOSFET,可实现省空间的高效同步整流开关稳压器。采用H3Reg™罗姆的ONTIME固定控制模式,无需相位补偿部件,即可实现高速瞬态响应特性。具有软启动功能、Power Good功能、带计时锁存的短路输出 / 过电压保护电路功能,适用于数字AV设备用电源。
型号 | BD95821MUV-E2
封装 | VQFN016V3030
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes


Ton = (VOUT / VIN) × (1 / f)计算,低侧 MOSFET(LG)工作至 FB 低于 REF,关断时间受最小关断时间(典型 450nsec)限制。| 功能名称 | 触发条件 | 动作与恢复 | 关键参数 |
|---|---|---|---|
| 固定软启动 | EN 引脚电压≥2.2V | 启动时电流控制,VOUT “斜坡上升”,抑制浪涌电流 | 软启动时间(TSOFT):典型 1.0ms;浪涌电流公式IIN = (COUT × VOUT) / 1.0ms |
| 电源良好(PGOOD) | FB≥0.72V(90%REF) | PGOOD 输出高(开漏输出,需 100kΩ 上拉至 VREG 或其他电源) | FB 高阈值(VFB_PH):典型 0.72V(Min0.65V/Max0.79V);FB 低阈值(VFB_PL):典型 0.68V(Min0.61V/Max0.75V) |
| 过流保护(OCP) | 电感电流(IL)>IOCP | 周期 - by - 周期限制 IL,HG 不导通直至 IL0.96V(典型)且持续 1ms(典型) | 高侧 MOSFET 关断、低侧 MOSFET 导通,进入 OFF 锁存 |
| 热关断(TSD) | 结温(Tj)>175℃(典型) | HG、LG、PGOOD、SS 均为低,IC 进入待机;Tj<150℃(典型)时恢复正常 | 滞回温度:典型 25℃ |
| 欠压锁定(UVLO) | VREG<4.05V(典型) | HG、LG、PGOOD、SS 均为低,IC 进入待机;VREG>4.2V(典型)时恢复 | VREG 阈值(VREG_UVLO):典型 4.20V(Min3.75V/Max4.65V);滞回电压(dVREG_UVLO):典型 160mV(Min100mV/Max220mV) |
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