镓未来携 Gen3 技术平台全系列新品亮相2025上海PCIM电子展

2025 PCIM Asia Shanghai ——上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会将于2025年9月24至26日在上海新国际博览中心举办。本届展会聚焦电气化交通、太阳能与风能、储能、氢能、人工智能和数据中心的电力电子应用等应用领域。

行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业珠海镓未来科技有限公司将携 Bi-Directional GaN、(全球内阻最低)车规级 9mΩ 650V 氮化镓分立器件、Gen3 系列等多款新品亮相本次展会。

2、新品速递

1：Bi-Directional GaN

G2B65 系列场效应晶体管是混合型常闭双向氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用顶部冷却表贴型封装，具有电隔离的散热金属表面，便于热管理和自动装配工艺。

2：车规级 9mΩ 650V 氮化镓分立器件

G3E65R009 系列场效应晶体管是一款完全符合汽车 AEC-Q101 标准的 650V、9mΩ GaN FET，采用 GaNext Gen3 技术平台，兼容 Si MOSFET 驱动，是全球 Rdson 最小的 650V氮化镓分立器件。其采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（内绝缘）封装，散热能力优异且与同封装的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，能够满足更多大功率应用需求。

3：Gen3 技术平台系列产品

Gen3 650/700V 系列场效应晶体管（FET）是混合型常关式氮化镓（GaN）场效应晶体管，具有市场上所有宽禁带器件中最强的栅极和最低的反向电压降。它们可实现简单的栅极驱动，提供业界最佳的性能和卓越的可靠性。

Gen3 性能优势（相较 Gen2）：

芯片面积相对优化33%：通过工艺优化和结构创新，Gen3 技术平台 DPW 相对提升33%，FOM 相对优化15%，实现更小尺寸与更强性能的完美结合。

器件损耗降低5%：在约2500W的输出功率（P-out）下，效率高达99.3%，进一步实现性能跃升。

热性能优化：在最大输出功率约7700W的严苛条件下，相同 RDS-ON 器件实测温升降低8.6℃，相对降幅高达66%。显著提升系统在持续高功率运行时的稳定性和寿命。

ESD 能力强化：较上一代相对提升50%，全面实现≥ 2000V（HBM&CDM）。（是指在测试电路 Boost 半桥升压电路 240Vin-400Vo 中得到）

镓未来率先推出功率 GaN 行业第一款 TO-3PF 封装器件 G3N70R070TE-H，支持图腾柱无桥 PFC 拓扑 / 传统有桥 PFC 拓扑冷媒散热，可应用于3000W功率等级的家电空调设计。

G3E65R035QD-H 产品采用顶部散热的表贴型 QDPAK 封装，散热能力优于同类型的 TOLT 封装，具有开尔文源极引脚且与同封装的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容，实现最佳开关性能、灵活的 PCB 布局以及高功率密度集成；

G3E65R009 系列是功率 GaN（650V 耐压）行业首款内阻小于10mΩ的分立式器件 ，采用 TO-247PLUS-4L 和 ITO-247PLUS-3L（内绝缘）封装，散热能力优异且与同封装的 Si/SiC MOSFET Pin to Pin 兼容。可支持高达100kW功率等级的新能源汽车电驱应用需求。

镓未来 Gen3 650/700V 系列氮化镓功率产品在本次 PCIM 展会宣布全面推向市场。新一代产品实现了芯片性能、能效表现及系统可靠性的多维跨越，以“更小、更高效、更可靠”的全面进化，再度引领行业创新，为电源工程师带来更具竞争力的高性能解决方案。在立志“打造和普及一流的氮化镓产品”道路上更进一步！

审核编辑 黄宇