TPS543021是一个 4.5V 至 28V 输入电压范围、3A 同步降压转换器。该器件包括两个集成开关 FET、内部环路补偿和 5ms 内部软启动,以减少元件数量。
通过集成 MOSFET,该TPS543021实现了高功率密度,并在 PCB 上提供了较小的占用空间。TPS543021通过不同的FB电阻配置具有可调节的输出。
*附件:tps543021.pdf
该TPS543021在PFM(脉冲频率调制)模式下工作,可实现高轻负载效率并降低功率损耗。该器件采用扩频功能,可减少电磁干扰 (EMI)。
高侧 MOSFET 中的逐周期电流限制可在过载条件下保护转换器,并通过低侧 MOSFET 续流电流限制得到增强,可防止电流失控。如果过流状态持续的时间超过预设时间,则触发打嗝模式保护。
特性
- 针对广泛的应用进行配置
- 4.5V 至 28V 输入电压范围
- 高达 3A 的连续输出电流
- –40°C 至 150°C 结温范围
- 70ns 最小导通时间
- ±1% 容差参考电压 (25°C)
- 支持低压差模式
- 精确启用
- 高效率
- 集成75mΩ和35mΩ MOSFET
- 2μA低关断,28μA静态电流
- 脉冲频率调制 (PFM) 可实现高轻负载效率
- 易用性
- 带内部补偿的峰值电流模式控制
- 固定 400kHz 开关频率
- 内部 5ms 软启动
- 频率扩频以降低 EMI
- 带打嗝模式的过流保护
- 非锁存保护,用于过热保护 (OTP)、过流保护 (OCP)、过压保护 (OVP) 和欠压锁定 (UVLO)
- SOT-563封装
参数

方框图

1. 核心特性
- 宽输入范围:4.5V至28V输入电压,支持3A连续输出电流,适用于工业、音频、数字电视等应用。
- 高效能设计:集成75mΩ(高侧)和35mΩ(低侧)MOSFET,轻载时采用PFM模式提升效率,静态电流低至28μA。
- EMI优化:内置频率扩展频谱技术(±6%中心频率抖动),减少电磁干扰。
- 保护功能:过流(OCP)、过压(OVP)、欠压锁定(UVLO)及热关断(160°C触发),支持打嗝模式(Hiccup Mode)保护。
2. 关键参数
- 开关频率:固定400kHz(CCM模式),支持100%占空比运行。
- 精度:±1%参考电压容差(25°C),内部5ms软启动。
- 封装:SOT-563(1.6mm×1.6mm),热阻θJA为131.2°C/W。
3. 功能描述
- 控制模式:峰值电流模式控制,集成内部补偿简化设计。
- 轻载优化:PFM模式自动激活,降低开关损耗。
- 可调输出:通过FB引脚外部分压电阻设置电压(公式:VOUT = VREF × (1 + RFBT/RFBB))。
4. 典型应用设计
- 输入电容:建议≥10μF陶瓷电容,附加0.1μF高频滤波。
- 输出滤波:电感值10μH(5V输出),电容30μF(陶瓷材质,考虑降额)。
- EN引脚配置:可外接电阻分压网络调整UVLO阈值(计算公式见文档6.3.5节)。
5. 保护机制
- 过流响应:高/低侧MOSFET逐周期限流,持续故障触发40ms打嗝重启。
- 过热保护:160°C关断,150°C恢复,80ms重启间隔。
6. 设计工具支持
- 推荐使用TI的WEBENCH® Power Designer进行定制化设计,优化效率与布局。