Texas Instruments DRV8251A H桥驱动器是一款高度集成的电机驱动器,具有N沟道H桥、电荷泵、电流检测反馈、电流调节和保护电路。电荷泵通过支持N沟道MOSFET半桥和100%占空比驱动来提高效率。
数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8251A H桥驱动器数据手册.pdf
TI DRV8251A H桥驱动器在IPROPI引脚上采用内部电流镜架构,可提供电流检测和调节功能。该架构无需大功率分流电阻器,可节省电路板空间并降低系统成本。IPROPI电流检测输出允许微控制器检测电机失速或负载条件的变化。外部电压基准引脚VREF可在启动和失速事件期间确定电流调节阈值,无需微控制器交互。低功耗休眠模式通过关断大部分内部电路来实现超低静态电流消耗。内部保护功能包括电源欠压锁定、输出过流和器件过温。
DRV8251A驱动器只需最小的设计变更,就能提供引脚对引脚、可扩展的RDS(on) 和电源电压选项,以支持各种负载和电源轨。
特性
- N通道H桥有刷直流电机驱动器
- 4.5 V至48 V工作电源电压范围
- 引脚对引脚、R
DS(on) 、电压和电流检测/调节变体(外部分流电阻器和集成电流镜) - 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入
- 集成IPROPI电流检测,用于失速检测和电流调节
- 低功耗睡眠模式
- < 1µA,V
VM = 24V,TJ = 25°C
- 小型封装尺寸和占位面积
- 8引脚HSOP封装,带有PowerPAD™,4.9mm × 6.0mm
- 集成保护特性
- VM欠压闭锁 (UVLO)
- 自动重试过流保护 (OCP)
- 热关断 (TSD)
框图

简化示意图

DRV8251A H桥电机驱动器技术解析与应用指南
一、产品概述
Texas Instruments的DRV8251A是一款集成N沟道H桥的直流有刷电机驱动器,具有4.1A峰值输出电流能力和4.5V至48V的宽工作电压范围。该器件集成了电流检测与调节功能,采用8引脚HSOP封装(4.9×6.0mm),特别适合空间受限的应用场景。
作为DRV82xx系列的一员,DRV8251A提供了450mΩ的低导通电阻(RDS(on)),并采用创新的电流镜像(current mirror)架构实现电流检测,相比传统外部分流电阻方案可节省板空间和系统成本。
二、关键特性
- 电机驱动性能
- 4.5V至48V宽工作电压范围
- 4.1A峰值输出电流能力
- 支持PWM控制接口(0-200kHz)
- 兼容1.8V/3.3V/5V逻辑输入
- 集成电流检测
- 通过IPROPI引脚提供与负载电流成比例的模拟输出
- 电流镜像架构消除对大功率分流电阻的需求
- 支持失速检测和电流调节功能
- 电源管理
- 低功耗睡眠模式(<1µA @ VVM=24V)
- 集成电荷泵支持100%占空比驱动
- 保护特性
- VM欠压锁定(UVLO)
- 自动重试过流保护(OCP)
- 热关断(TSD)
三、功能详解
3.1 H桥控制逻辑
DRV8251A通过IN1和IN2两个逻辑输入控制H桥输出状态:
| IN1 | IN2 | OUT1 | OUT2 | 工作模式 |
|---|
| 0 | 0 | 高阻 | 高阻 | 滑行模式(进入睡眠) |
| 0 | 1 | L | H | 反转(OUT2→OUT1) |
| 1 | 0 | H | L | 正转(OUT1→OUT2) |
| 1 | 1 | L | L | 刹车(低侧慢衰减) |
3.2 集成电流检测(IPROPI)
DRV8251A的创新之处在于其集成电流检测功能:
- 通过内部电流镜像架构测量低侧MOSFET电流
- IPROPI引脚输出电流:IPROPI = (ILS1 + ILS2) × AIPROPI
- 典型AIPROPI增益为1575µA/A,误差±5%
- 外部电阻RIPROPI将电流转换为电压供MCU读取
3.3 电流调节功能
器件采用固定关断时间斩波方案实现电流调节:
- 调节阈值:ITRIP = VVREF / (RIPROPI × AIPROPI)
- 当电流超过ITRIP时,H桥进入tOFF时间的刹车状态
- 支持高达100%占空比的电流调节
四、典型应用设计
4.1 电机驱动电路
典型应用连接包括:
- VM引脚:4.5-48V电源,需0.1µF去耦电容+47µF大容量电容
- VREF引脚:接MCU的DAC或PWM滤波输出(0-5V)
- IPROPI引脚:通过RIPROPI电阻接地,产生比例电压
- IN1/IN2:接MCU的GPIO或PWM输出
4.2 参数设计示例
假设设计要求:
- 电机电压:12V
- 平均电流:0.8A
- 启动电流:2.1A
- 调节阈值:1.9A
- VREF电压:3.3V
五、保护机制
- 过流保护(OCP)
- 模拟限流电路监控每个FET
- 持续超过tOCP时间(1.5µs)触发保护
- 自动重试时间tRETRY=3ms
- 热关断(TSD)
- 结温超过150°C(典型)时关断
- 温度下降40°C后自动恢复
- 欠压锁定(UVLO)
- VM低于4.05V-4.35V时关断
- 上升阈值4.15V-4.45V
六、应用场景
DRV8251A特别适用于以下应用:
- 打印机和POS打印机
- 真空机器人
- 洗衣机和干衣机
- 咖啡机
- 自动取款机(ATM)
- 医疗设备(呼吸机、手术设备)
- 健身器材
七、设计建议
- 布局指南
- 将0.1µF去耦电容尽量靠近VM引脚
- 使用大面积接地层和多个过孔改善散热
- IPROPI走线应远离噪声源
- 电流调节优化
- 在IPROPI引脚添加10nF电容可滤除瞬态干扰
- 根据实际需求调整VREF和RIPROPI
- 散热考虑
- 器件热阻RθJA=40.4°C/W
- 高功率应用需考虑额外散热措施