Texas Instruments DRV8770EVM栅极驱动器评估模块 (EVM) 可以轻松评估DRV8770 100V器件。DRV8770器件提供两个半桥栅极驱动器,每个驱动器可驱动高侧和低侧N沟道功率MOSFET。DRV8770设有BST欠压闭锁、GVDD欠压和热关断等保护功能。
数据手册:*附件:Texas Instruments DRV8770EVM栅极驱动器评估模块 (EVM)数据手册.pdf
该评估模块有一个板载降压转换器和LDO,为所有板上元件和半桥高压电源供电。该评估板配有电位器,用于设置输入控制引脚(INHA、INLA、INHB、INLB)的占空比。Texas Instruments DRV8770EVM可以改装以支持外部微控制器,从而控制DRV8770电机驱动器。

Texas Instruments的DRV8770是一款专为有刷直流电机驱动应用设计的高性能栅极驱动器芯片,该评估模块(EVM)提供了完整的硬件实现方案。作为100V半桥栅极驱动器,DRV8770集成了两个独立半桥驱动器,可直接驱动N沟道MOSFET,支持高达100V的MOSFET电源电压(SHx)和5-20V的栅极驱动电源(GVDD)。
DRV8770特别适合以下应用场景:
DRV8770采用自举栅极驱动架构,通过集成自举二极管和外接电容为高边MOSFET生成正确的栅极驱动电压,而GVDD则为低边MOSFET栅极提供驱动。这种设计支持高达750mA源电流和1.5A灌电流的栅极驱动电流。
在QFN封装版本中,MODE引脚提供了灵活的控制选项:
TSSOP封装版本默认采用反相模式,无需MODE引脚控制。
DRV8770提供了可调节的死区时间功能:
死区时间计算公式为:RDT(kΩ) = (tDEAD(ns) - 150)/0.25
DRV8770集成了多重保护功能:
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