Texas Instruments LM5158EVM-BST转换器评估模块 (EVM) 演示LM5158器件宽输入电压升压转换器(带双随机扩频)的特性和性能。Texas Instruments LM5158EVM-BST的标准配置设计在输入为3V至9V时提供稳定的12V、1.2A输出(负载从<6V输入降额到0.6A),开关频率为2.1MHz。
数据手册:*附件:Texas Instruments LM5158EVM-BST转换器评估模块数据手册.pdf
特性
- 12V严格稳压输出电压,1%精密基准电压
- 满载时具有高转换效率:>92%
- 在输入电压范围内具有恒定逐周期峰值电感电流限制
- 可编程断续模式,用于输出过流保护
- 用户可使用C
SS调节软启动时间 - 输出过压保护
- 开关频率:2.1MHz
- 多个BIAS引脚和V
CC引脚连接,用于测试多种配置 - BIAS连接到V
CC - BIAS带外部电源
- BIAS由输出电压供电
- 电源良好 (PGOOD) 指示灯,带可选上拉源
- 外部时钟同步
- 可编程双随机扩频功能可降低EMI
测试设置

基于LM5158EVM-BST评估模块的高效升压转换器设计与性能分析
摘要
LM5158EVM-BST评估模块展示了TI公司LM5158器件作为一款宽输入电压、非同步升压转换器的卓越性能,其特色在于双随机扩频技术。本文将从技术规格、设计特点、测试结果等多个维度对该评估模块进行全面解析,为工程师提供设计参考。
产品概述
LM5158EVM-BST评估模块标准配置设计用于在2.1MHz开关频率下,从3.3V至9V的输入电压提供12V/1.2A的稳压输出(当输入电压低于6V时,负载能力减半)。该模块采用TI的LM5158QRTERQ1控制器,是一款2.2MHz宽输入电压(最高85V)的升压/SEPIC/反激转换器,集成了双随机扩频技术。
核心特性
- 高效能转换:在6V输入、1.2A负载条件下,转换效率高达92.4%
- 精确稳压:12V输出电压采用1%精度基准电压实现严格稳压
- 全面保护功能:
- 输出过压保护(13.6V触发)
- 可编程打嗝模式的输出过流保护
- 输入电压范围内恒定的逐周期峰值电感电流限制
- 灵活的配置选项:
- 四种不同工作模式可启用/禁用扩频和打嗝模式
- 多路BIAS引脚和VCC引脚连接测试配置
- 带可选上拉源的电量良好(PGOOD)指示器
- EMI优化:2.1MHz开关频率结合可编程双随机扩频技术有效降低EMI
电气性能参数
| 参数类别 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|
| 输入特性 | 输入电压范围 | 工作状态 | 3.3 | - | 9 | V |
| 输出特性 | 输出电压 | VIN=6V~9V | - | 12 | - | V |
| 最大输出电流 | VIN=6V~9V | - | 1.2 | - | A |
| | VIN=3.3V~6V | - | 0.6 | - | A |
| 输出过压保护 | - | - | - | 13.6 | V |
| 系统特性 | 开关频率 | - | - | 2.1 | - | MHz |
| 外部时钟同步 | - | 1.8 | - | 2.4 | MHz |
| 满负载效率 | VIN=6V, IOUT=1.2A | - | 92.4 | - | % |
| 结温 | - | -40 | - | 150 | °C |
关键电路设计
评估模块采用标准升压拓扑结构,核心元件包括:
- 功率开关:100V N沟道MOSFET (BSS123)
- 整流二极管:45V/10A肖特基二极管(PMEG045V100EPDAZ)
- 储能电感:1.5μH屏蔽复合电感(XEL6030-152MEB),14A额定电流
- 输出滤波:多颗陶瓷电容并联(总计约68μF)结合100μF聚合物混合电容
反馈网络设计采用精密电阻分压,关键电阻值包括:
- 上分压电阻:49.9kΩ(1%)
- 下分压电阻:10.0kΩ(1%)
热性能分析
测试数据显示,在不同工作条件下模块表现出良好的热特性:
- 3.3V输入/0.6A输出:BIAS=3.3V时最高温度点约58°C
- 6V输入/1.2A输出:BIAS=6V时最高温度点约72°C
- 9V输入/1.2A输出:热性能最佳,主要元件温升约40°C
值得注意的是,所有热测试均在无强制风冷条件下进行,实际应用中适当散热设计可进一步提升性能。
测试结果分析
- 效率曲线:
- 最佳效率出现在6V输入、约0.8A负载时,达到94%
- 即使在3.5V低压输入条件下,1A负载时效率仍保持85%以上
- 负载调整率:
- 12V输出在0-1.2A负载变化时,电压波动小于±0.5%
- 动态负载测试(0.6A↔1.2A阶跃)显示恢复时间<50μs
- 控制环路响应:
- 环路带宽约20kHz,相位裕度>60°
- 在6V输入、0.6A负载条件下,增益交越频率为15.8kHz
应用设计建议
- PCB布局要点:
- 采用4层板设计,包含完整的接地平面
- 功率回路面积最小化,特别是SW节点
- 敏感模拟信号(如COMP、FB)远离高频开关节点
- 元件选型指南:
- 电感选择:推荐低DCR、饱和电流>15A的屏蔽型功率电感
- 输出电容:低ESR陶瓷电容(如X7R/X5R)结合聚合物电容优化动态响应
- 二极管:40V以上肖特基二极管,额定电流≥10A
- 散热设计:
- 在PCB上为功率元件预留足够的铜箔面积散热
- 高功率应用建议添加散热片或强制风冷
扩展应用
除标准升压配置外,LM5158EVM-BST还可支持:
- SEPIC拓扑:适用于输入电压可能高于或低于输出电压的场合
- 反激拓扑:需要隔离输出的应用场景
- 多相并联:通过SYNC引脚同步多个模块,扩展输出能力