TPS4816-Q1 是一系列具有保护和诊断功能的低 IQ 智能高侧驱动器。该器件具有 3.5V 至 95V 的宽工作电压范围(100V 绝对最大额定值),适用于 12V、24V 和 48V 汽车系统设计。
该器件具有强大的 0.5A 峰值源和 2A 峰值灌电流 GATE 驱动器,可在大电流系统设计中使用并联 FET 进行电源切换。使用 INP 作为栅极驱动器控制输入。通过放置外部 R-C 元件,可以实现 MOSFET 压摆率控制(ON 和 OFF)。
*附件:tps4816-q1.pdf
它还集成了预充电驱动器 (G) 和控制输入 (INP_G)。此功能支持必须驱动大容性负载的设计。在关断模式下,控制器在48V电源输入时消耗1μA的总关断电流。
该器件具有精确的双向电流检测 (±2%) 输出 (IMON,I_DIR),并使用外部 RSNS 电阻和 FLT 指示提供基于 I2t 的可调过流和短路保护 (±5%)。可以配置自动重试和锁存故障行为。该器件还具有基于NTC的温度传感(TMP)和监控输出(ITMPO)输出,用于外部FET的过温检测。
TPS4816-Q1 采用 23 引脚 VQFN 封装。
特性
- AEC-Q100 汽车级温度认证
- 3.5V 至 95V 输入范围(绝对最大值 100V)
- 低至 –60V 的反向输入和输出保护
- 集成 12V 电荷泵
- 1μA低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
- 双栅极驱动:GATE = 0.5A src/2A 灌电流,G = 100μA src/0.39A 灌电流
- 集成预充电开关驱动器 (INP_G) 用于驱动容性负载
- 精确的 I2t 过流保护 (IOC),具有可调节的断路器定时器 (I2t)
- 精确 (±5%) 和快速 (5μs) 短路保护
- 精确的模拟双向电流监测器输出(IMON,I_DIR):30mV VSNS 时为 ±2%
- 基于 NTC 的过温传感 (TMP) 和监控输出 (ITMPO)
- 短路故障期间的故障指示 (FLT)、I2t、电荷泵 UVLO、OV、过热
- TPS48160-Q1(启用 I2t)、TPS48161-Q1(禁用 I2t)
- 精确 (±2%) 和可调节欠压锁定 (UVLO) 和过压保护 (OV)
参数

方框图

1. 产品概述
TPS4816-Q1是德州仪器(TI)推出的汽车级高边开关控制器系列,专为12V/24V/48V汽车系统设计,具有宽输入电压范围(3.5V-95V,绝对最大值100V),集成多重保护功能(反向输入/输出保护、过流/短路保护、过温监测等),并支持双向电流监测(IMON)和诊断功能。
2. 核心特性
- 低功耗:1μA关断电流,适合常电应用。
- 高驱动能力:
- 主路径(GATE):0.5A源电流/2A灌电流,支持并联MOSFET。
- 预充电路径(G):100μA源电流/0.39A灌电流,用于容性负载预充电。
- 精准保护:
- I²t过流保护:可调阈值(±5%精度)和计时器(通过外部CI2t电容设置)。
- 短路保护:5μs快速响应,阈值可配置。
- 双向电流监测:±2%精度(30mV VSNS时)。
- 诊断功能:通过FLT引脚指示短路、I²t触发、电荷泵欠压等故障。
3. 典型应用
- 电源分配盒(PDU)
- 车身控制模块(BCM)
- DC/DC转换器
- 电池管理系统(BMS)
4. 关键电路设计
- 电荷泵与驱动:集成12V电荷泵,支持BST-SRC电压生成,驱动外部MOSFET。
- 容性负载处理:
- 预充电路径(G驱动)可限制浪涌电流。
- 主路径(GATE驱动)支持RC栅极调速(通过R1/C1/D2)。
- 保护机制:
- I²t配置:通过RIOC电阻设置过流阈值,CI2t电容设定熔断时间。
- 温度监测:NTC接口(TMP引脚)监测外部MOSFET温度。
5. 封装与引脚
- 封装:23引脚VQFN(4mm×4mm)。
- 关键引脚:
- EN/UVLO:使能/欠压锁定输入。
- FLT:开漏故障输出(短路、过压等)。
- IMON/I_DIR:电流监测与方向指示。
6. 电气参数
- 工作温度:-40℃至150℃(结温)。
- ESD防护:HBM ±2000V,CDM ±500V。
- 时序特性:
- GATE开启延迟:1.2μs(典型值)。
- 短路保护响应:<5μs(最大值)。
7. 设计支持
- 提供典型应用电路图(如驱动背靠背MOSFET、容性负载充电)。
- 布局建议:强调BST电容(≥0.1μF)和电流检测电阻(RSNS)的靠近放置。
文档范围
涵盖特性、引脚定义、电气规格、功能框图、应用设计及封装信息,适用于汽车电子工程师进行高边开关系统设计。