供不应求压力缓解，NAND Flash价格续跌

集邦咨询调查显示，下半年NAND Flash市场受需求动能相对平淡，以及供货商64/72层3D NAND良率及产出继续提升影响，市场将从原先预期的供给紧缩来到接近供需平衡的状态......

依据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，下半年NAND Flash市场受需求动能相对平淡，以及供货商64/72层3D NAND良率及产出继续提升影响，市场将从原先预期的供给紧缩来到接近供需平衡的状态，预期各产品合约价仍将续跌。

回顾2018年上半年NAND Flash市场状况，受到传统淡季冲击及64/72层3D NAND产能稳定扩张影响，各类产品合约价已连续两个季度下跌，各供货商也在这段期间内藉由对高容量产品提供价格诱因，吸引客户增加搭载容量，以刺激旺季需求进一步成长，同时稍微放缓今年的扩产计划，试图力挽价格走跌态势延续至下半年。

然而，从需求面来看，第三季虽属传统旺季，但来自智能手机、笔记本电脑及平板电脑的需求分别呈现0-1%、0-1%及9-10%的季成长，动能相对平淡，供货商试图透过进一步降价刺激需求，却也让价格跌幅大于先前预期。

第四季价格料续跌，惟须观察苹果新机销售表现

展望第四季，在供给面虽然新增产能不多，但供货商的64/72层产品良率预期皆将接近或超过80%水平，达到成熟状态；供货商并准备新增或转移产能至96层制程世代，带动位元产出持续成长。

至于需求面，在笔记本电脑成长疲软、智能手机硬件规格缺乏亮点，以及换机动能不足的状况下，需求成长难以追上供给成长，价格恐将进一步走跌，预期跌幅将比第三季更为显著。但需观察的是若苹果新机销售状况稳健，可望微幅减缓第四季价格跌幅。

大阪强震对东芝影响有限，NAND Flash供给无虞

6月18日在日本大阪发生规模达6.1级的强震，东芝NAND Flash工厂所在的四日市市亦有四级震度。DRAMeXchange追踪显示，东芝在地震后立即停机检查，并于6月19日完成晶圆受损状况盘点，受影响晶圆数量有限且可以重制（Rework）后返回市场销售，对于市场供给几无影响，工厂也迅速回复正常运作。

抢攻全球NAND Flash市场 美光宣布在新加坡兴建第3工厂

在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。

美光指出，继目前在新加坡拥有Fab 10N、Fab 10X两座NAND Flash快闪存储器工厂之后，将在当地兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约16．5万平方米，计划2019年年中前后完工，2019年第4季开始投产。

不过，美光没有公布新工厂的具体投产NAND Flash快闪存储器类型和产能。但是，根据外界的预估，其投产的NAND Flash快闪存储器产品类型，应该是现有64层堆叠快闪存储器的下一代产品。

另外，美光除了宣布将在新加坡兴建第3座NAND Flash快闪存储器工厂之外，美光还表示，将在新加坡扩大当前的研发规模，这将使得当地员工总数，有望从目前的7，500人增加到1万人以上。

除了美光在NAND Flash快闪存储器的发展外，在DRAM方面，值得一提的是，不久之前，美光的台中工厂也因为供氮设备出现电路问题，发生氮气供应故障的情况，影响到部分的产品。对此，美光CEO Sanjay Mehrotra在之前的法说会也已经证实此事。

Sanjay Mehrotra表示，氮气供应受阻事件恐将导致美光本季DRAM产出减少2％到3％。而美光已经将相关故障设备被送往美国进行维修，并于日前重新回到工厂，并且在4月份开始重新投入生产的工作。